Si9150
Vishay Siliconix公司
同步降压转换器
特点
D
6 16.5 V的输入范围（ Si9150CY ）
D
电压模式PWM控制
D
低电流待机模式
D
使能控制
D
双通道100 mA的输出驱动器
D
2％的带隙参考
D
多个转换器轻松同步
D
过电流保护
描述
该Si9150同步降压稳压控制器是理想
适用于高效率降压转换器中的
电池供电设备。结合Si9943DY
MOSFET半桥，一个90 ％的效率，7.5 -W 3.3 V或5 V
电源可以使用标准surface-来实现
安装组件技术。宽输入范围使
使用六到十，从镍镉或镍氢电池组的操作
细胞。
过电流保护是通过检测导通状态来实现
穿过高侧p沟道MOSFET ，电压降而
省去了一个电流检测电阻。
为0 100％的占空比，开关频率也高达300
千赫是可能的。该IC可通过拉低EN电平被禁用
(I
DD
= 100
毫安） ，
或2.5 V参考电压可以保持与
其他所有功能被禁用，拉STBY低（我
DD
=
500
毫安） 。
该Si9150可在标准和铅（Pb ） - 免费
14引脚SOIC封装，并在额定为商业级温度范围
0至70_C （C后缀） ，以及工业级温度范围
40
至+85 C （D后缀） 。
功能框图
V
DD
14
500千瓦
EN
1
掉电
UVLO
20
mA
0.5 V
13
P-门
Q
R
S
振荡器
比较器，
&误差放大器
参考
发电机
当前
极限
+
频闪
7
2
STBY
4.7 V
I
SENSE
SS
3
REF
根
错误
扩音器
+
5
FB
4
COMP
1V
+
R
OSC
S
Q
突破性
直至─
使
逻辑
V
DD
12
N-二门
5W
6
V
REF
C
T
9
R
T
10
8
SYNC
11
GND
同步降压稳压器控制器
文档编号： 70020
S- 40752 -REV 。女，19 -APR- 04
www.vishay.com
1
Si9150
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考GND 。
V
DD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 V
I
SENSE
输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
2
V到V
DD
+2 V
所有其他输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
到V
DD
+ 0.3 V
P-门，N -门连续源出/吸入电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至125℃
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150_C
功率耗散（包）一个
14引脚SOIC （Y后缀）
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
热阻抗（Q
JA
)
14引脚SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140_C / W
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免7.2毫瓦/ _C 。
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
参考
输出电压
V
REF
T
A
= 25_C
测量反馈
e
5脚
T
民
给T
最大
d
范围
后缀0 70℃
范围
后缀
40
至85℃
符号
6.0
v
V
DD
v
16.5 V
民
b
典型值
c
最大
b
民
b
典型值
c
最大
b
单位
2.45
2.425
2.50
2.500
2.55
2.575
2.45
2.40
2.50
2.500
2.55
2.60
V
振荡器
最大频率
初始精度
振荡器斜坡幅度
温度稳定性
d
f
最大
f
OSC
V
OSC
f
温度
C
OSC
= 94.3 pF的，R
OSC
= 28.7千瓦
T
A
= 25_C
f
C
OSC
= 212 pF的，R
OSC
= 41.2千瓦
T
A
= 25_C
f
T
A
= 25_C ， 100千赫
V
DD
= 10 V ，T
民
给T
最大
255
85
2.05
5
300
100
2.65
"3
345
115
2.85
+5
255
85
2.05
6
300
100
2.65
"4
345
千赫
115
2.85
+6
V
%
误差放大器器
输入偏置电流
开环电压
失调电压
单位增益带宽
d
输出电流
电源抑制
收益
d
I
B
A
VOL
V
OS
BW
I
OUT
PSRR
源，V
COMP
= 2.50 V
水槽，V
COMP
= 1.0 V
1
50
1
V
FB
= V
REF
60
25
72
10
1.5
0.30
2.5
70
0.20
0.9
48
25
1
500
58
25
72
10
1.5
0.30
2.5
70
0.15
30
750
nA
dB
mV
兆赫
mA
dB
保护
电流限制
阈值电压
电流限制
延迟输出
d
欠压
锁定电压
欠压滞后
软启动上拉电流
V
CL
t
d
V
UVLO
V
HYS
I
SS
T
A
= 25 ° C，V
DD
= 10 V
T
A
= 25_C
阈值上限
5.4
0.10
0.43
0.49
500
5.7
0.17
20
0.55
1000
6.0
0.25
5.38
0.10
0.43
0.49
500
5.7
0.17
20
0.55
1000
6.01
0.26
mA
V
ns
V
供应
电源电流
（启用低）
电源电流
（启用高）
电源电流（待机低）
I
关闭
I
CC
I
SB
C
L
= 0 pF的，女
OSC
= 100千赫
V
DD
= 10 V
60
2.2
300
100
3.0
500
60
2.2
300
100
3.0
550
mA
mA
mA
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2
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Si9150
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特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
产量
输出高电压
输出低电压
输出电阻
上升
时间
d
下降时间
d
V
OH
V
OL
R
OUT
t
r
t
f
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 10 V
I
OUT
=
10
毫安，V
DD
= 10 V
I
OUT
= 100毫安， V
DD
= 10 V
C
L
= 800 pF的，V
DD
= 10 V
pF
10
30
30
9.75
0.25
20
60
60
10
30
30
9.7
0.3
25
70
70
V
W
ns
范围
后缀0 70℃
范围
后缀
40
至85℃
符号
6.0
v
V
DD
v
16.5 V
民
b
典型值
c
最大
b
民
b
典型值
c
最大
b
单位
逻辑
延迟输出
使能上拉电阻
STBY上拉电流
导通阈值
关断阈值
t
D（ EN ）
R
EN
I
STBY
V
ENH
V
ENL
T
A
= 25 ° C，V
STBY
= 0 V
V
DD
= 10 V
V
DD
= 10 V ，瑞星输入电压
V
DD
= 10 V ，下降输入电压
25
6
2
从高至低
0.25
500
20
6.8
3.75
15
8
5
28
6
2
1
0.25
500
20
6.8
3.75
12
8
5
1
ms
kW
mA
V
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证，不受生产测试。
。参考电压被调整与连接于补偿（引脚4 ）的反馈端（引脚5 ），从而使误差放大器的输入偏置电压的效果是
消除了。
f.
C
OSC
包括印刷电路板的寄生电容。
典型特性（ 25 ° C除非另有说明）
1000
振荡器特性
频率（kHz ）
100
50 pF的
100 pF的
150 pF的
200 pF的
10
10
100
r
OSC
振荡器电阻（千瓦）的
1000
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3
Si9150
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引脚配置和订购信息
SOIC
EN
待机
SS
COMP
FB
V
REF
I
SENSE
1
2
3
4
5
6
7
顶视图
14
13
12
11
10
9
8
V
DD
P-门
N-二门
GND
R
T
C
T
SYNC
订购信息
产品型号
Si9150CY
Si9150CY-T1
Si9150CY-T1—E3
Si9150DY
Si9150DY-T1
Si9150DY-T1—E3
40
至85℃
40 85_C
0至70℃
SOIC-14
温度范围
包
引脚说明
引脚1 ： EN
当该引脚为低电平时，IC被关闭。经过一个低信号是
适用于EN ，然后COMP ， REF ，R
T
和C
T
对定居
地面; N-二门， STBY和软启动接地;和
P- GATE被拉高。电流消耗不多
超过100个
mA
在该状态下。该输入的阈值有显着
滞后，使得一个电容到地可用于延迟
重新启动后，电流限制被激活。 V后
ENH
is
突破，N -GATE前一个时钟周期，并经过
P- GATE启用。 EN被向上拉至V
DD
通过500 -K
电阻和下拉时内部电流限制为
触发。
使用此引脚。 COMP落户低时，无论EN或STBY是
拉低。
5脚：反馈（ FB ）
该引脚直接连接到错误的反相输入端
放大器。该引脚用于调节电源的输出
电压。
引脚6 ：参考（V
REF
)
内部2.5 V基准电压发生器连接到该引脚
通过5瓦的电阻。一个0.1 μF的旁路电容需要
抑制噪声。还要注意的是，发电机有一个开放的
发射器;也不会拉下。的最大电流，该
发电机将源之前，它的电流限制为10毫安。
该集成电路的许多地方使用该电压，所以重要的是不
超载参考发生器。
引脚7 ：我
SENSE
该引脚被连接到交换节点（漏极
应用程序的p沟道和n沟道MOSFET的） 。如果
V之间的电压
DD
这个引脚是更多的则0.46 V ，而
P- GATE为低电平时，电流限制被激活。电流限制
是为了防止误触发，由于噪声相对较慢。
启动电流限制使EN被拉到GND。
I
SENSE
可从V操作
DD
+ 2 V至GND
2 V.对于
操作上面13.5 V
DD
一个过滤器（ 1千瓦， 33 pF）时，需要
MOSFET的漏极和我之间
SENSE
销;指
图1 。
引脚8 ： SYNC
引脚4 ：补偿（ COMP ）
该引脚直接连接到所述误差放大器的输出端。该
这保证了一个应用程序的稳定反馈网络
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引脚2 ： STBY
有类似EN功能。的不同之处在于将EN
引脚不受影响，该基准仍然是可用的，即偏
电流仍然存在的内部，并且该引脚的上拉
当前存在。该引脚应使用禁用
如果应用程序的参考电压还是需要的。
3脚：软启动（ SS ）
此销限制了最大电压，该误差放大器可以
输出。该引脚与地之间的电容将限制
速率的占空比可以在初始上电时增加
起来，当EN或STBY高电平重启期间或之后的
电流限制被触发。电容器在这里可以预防的
从期间触发Si9150的电流限制应用程序
启动。软启动拉低如果任EN或STBY低。
该引脚强制时钟复位时低，并且也被拉伸
为低电平时，时钟复原。因此，如果几个Si9150的有
其同步引脚短接在一起时，它们将被同步;该
病程最短时钟控制其它时钟。
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Si9150
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引脚9 ：C
T
此引脚与地之间的电容充电，直到达到
2.5伏，在该点的电容器迅速放电。该
所得的锯齿与约1V加入是相对于
在COMP的输入电压，以确定是否P- GATE和
N-二门应该是高还是低。最大建议
值对C
OSC
为200pF （见典型特征） 。该
电容器的充电电流由引脚10中，R控
T
.
从V的路径
DD
到应用程序的源
P沟道MOSFET 。
引脚12 ：N - GATE
该引脚用于驱动应用程序的n沟道MOSFET 。
当接通n沟道MOSFET关断时， P-沟道
MOSFET将不会被打开，直到N-二门是在数伏
地面。该引脚为低，而无论是EN或STBY低。
引脚10 ，R
T
引脚13 ： P- GATE
该IC采用2.5 V至该引脚，而目前的镜像和
适用于9针，同时对电容充电。最低
的R值推荐
OSC
为20千瓦（图1）。
该引脚用于驱动应用程序的p沟道MOSFET 。
化妆前的电路断了P- GATE是
互补于该对N- GATE 。该引脚为高电平时
无论EN或STBY是低的。
11脚： GND
由于Si9150具有高侧电流限制，重要的是
即V
DD
跟踪电压的P沟道的源极上
功率MOSFET 。对于抗噪声能力，最好是分开的
逻辑接地与电源地。逻辑地面应
去耦至V
DD
通过至少一个1 μF的电容。两
理由可以由相比较长的路径被连接
引脚14 ： V
DD
该引脚为IC 。这个引脚之间的连接
p沟道FET的源应尽可能短
实用。读引脚11的描述绕过
建议。
应用
V
IN
100
mF
(20 V)
Si9943
47 pF的
1
220 pF的
3.32千瓦
0.039
mF
5600 pF的
4
5
6
7
2
3
Si9150
14
13
12
11
56.2千瓦
10
9
8
200 pF的
33 pF的
1 KW
V
IN
33.2千瓦
10MQ060
33.2千瓦
14.7千瓦
1000 pF的
43
mH
+5 V
100
mF
1
mF
图1 。
典型应用电路
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Si9150
Vishay Siliconix公司
同步降压转换器
特点
D
6 16.5 V的输入范围（ Si9150CY ）
D
电压模式PWM控制
D
低电流待机模式
D
使能控制
D
双通道100 mA的输出驱动器
D
2％的带隙参考
D
多个转换器轻松同步
D
过电流保护
描述
该Si9150同步降压稳压控制器是理想
适用于高效率降压转换器中的
电池供电设备。结合Si9943DY
MOSFET半桥，一个90 ％的效率，7.5 -W 3.3 V或5 V
电源可以使用标准surface-来实现
安装组件技术。宽输入范围使
使用六到十，从镍镉或镍氢电池组的操作
细胞。
过电流保护是通过检测导通状态来实现
穿过高侧p沟道MOSFET ，电压降而
省去了一个电流检测电阻。
为0 100％的占空比，开关频率也高达300
千赫是可能的。该IC可通过拉低EN电平被禁用
(I
DD
= 100
毫安） ，
或2.5 V参考电压可以保持与
其他所有功能被禁用，拉STBY低（我
DD
=
500
毫安） 。
该Si9150可在标准和铅（Pb ） - 免费
14引脚SOIC封装，并在额定为商业级温度范围
0至70_C （C后缀） ，以及工业级温度范围
40
至+85 C （D后缀） 。
功能框图
V
DD
14
500千瓦
EN
1
掉电
UVLO
20
mA
0.5 V
13
P-门
Q
R
S
振荡器
比较器，
&误差放大器
参考
发电机
当前
极限
+
频闪
7
2
STBY
4.7 V
I
SENSE
SS
3
REF
根
错误
扩音器
+
5
FB
4
COMP
1V
+
R
OSC
S
Q
突破性
直至─
使
逻辑
V
DD
12
N-二门
5W
6
V
REF
C
T
9
R
T
10
8
SYNC
11
GND
同步降压稳压器控制器
文档编号： 70020
S- 40752 -REV 。女，19 -APR- 04
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1
Si9150
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考GND 。
V
DD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 V
I
SENSE
输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
2
V到V
DD
+2 V
所有其他输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
到V
DD
+ 0.3 V
P-门，N -门连续源出/吸入电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至125℃
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150_C
功率耗散（包）一个
14引脚SOIC （Y后缀）
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
热阻抗（Q
JA
)
14引脚SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140_C / W
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免7.2毫瓦/ _C 。
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
参考
输出电压
V
REF
T
A
= 25_C
测量反馈
e
5脚
T
民
给T
最大
d
范围
后缀0 70℃
范围
后缀
40
至85℃
符号
6.0
v
V
DD
v
16.5 V
民
b
典型值
c
最大
b
民
b
典型值
c
最大
b
单位
2.45
2.425
2.50
2.500
2.55
2.575
2.45
2.40
2.50
2.500
2.55
2.60
V
振荡器
最大频率
初始精度
振荡器斜坡幅度
温度稳定性
d
f
最大
f
OSC
V
OSC
f
温度
C
OSC
= 94.3 pF的，R
OSC
= 28.7千瓦
T
A
= 25_C
f
C
OSC
= 212 pF的，R
OSC
= 41.2千瓦
T
A
= 25_C
f
T
A
= 25_C ， 100千赫
V
DD
= 10 V ，T
民
给T
最大
255
85
2.05
5
300
100
2.65
"3
345
115
2.85
+5
255
85
2.05
6
300
100
2.65
"4
345
千赫
115
2.85
+6
V
%
误差放大器器
输入偏置电流
开环电压
失调电压
单位增益带宽
d
输出电流
电源抑制
收益
d
I
B
A
VOL
V
OS
BW
I
OUT
PSRR
源，V
COMP
= 2.50 V
水槽，V
COMP
= 1.0 V
1
50
1
V
FB
= V
REF
60
25
72
10
1.5
0.30
2.5
70
0.20
0.9
48
25
1
500
58
25
72
10
1.5
0.30
2.5
70
0.15
30
750
nA
dB
mV
兆赫
mA
dB
保护
电流限制
阈值电压
电流限制
延迟输出
d
欠压
锁定电压
欠压滞后
软启动上拉电流
V
CL
t
d
V
UVLO
V
HYS
I
SS
T
A
= 25 ° C，V
DD
= 10 V
T
A
= 25_C
阈值上限
5.4
0.10
0.43
0.49
500
5.7
0.17
20
0.55
1000
6.0
0.25
5.38
0.10
0.43
0.49
500
5.7
0.17
20
0.55
1000
6.01
0.26
mA
V
ns
V
供应
电源电流
（启用低）
电源电流
（启用高）
电源电流（待机低）
I
关闭
I
CC
I
SB
C
L
= 0 pF的，女
OSC
= 100千赫
V
DD
= 10 V
60
2.2
300
100
3.0
500
60
2.2
300
100
3.0
550
mA
mA
mA
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2
文档编号： 70020
S- 40752 -REV 。女，19 -APR- 04
Si9150
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
产量
输出高电压
输出低电压
输出电阻
上升
时间
d
下降时间
d
V
OH
V
OL
R
OUT
t
r
t
f
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 10 V
I
OUT
=
10
毫安，V
DD
= 10 V
I
OUT
= 100毫安， V
DD
= 10 V
C
L
= 800 pF的，V
DD
= 10 V
pF
10
30
30
9.75
0.25
20
60
60
10
30
30
9.7
0.3
25
70
70
V
W
ns
范围
后缀0 70℃
范围
后缀
40
至85℃
符号
6.0
v
V
DD
v
16.5 V
民
b
典型值
c
最大
b
民
b
典型值
c
最大
b
单位
逻辑
延迟输出
使能上拉电阻
STBY上拉电流
导通阈值
关断阈值
t
D（ EN ）
R
EN
I
STBY
V
ENH
V
ENL
T
A
= 25 ° C，V
STBY
= 0 V
V
DD
= 10 V
V
DD
= 10 V ，瑞星输入电压
V
DD
= 10 V ，下降输入电压
25
6
2
从高至低
0.25
500
20
6.8
3.75
15
8
5
28
6
2
1
0.25
500
20
6.8
3.75
12
8
5
1
ms
kW
mA
V
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证，不受生产测试。
。参考电压被调整与连接于补偿（引脚4 ）的反馈端（引脚5 ），从而使误差放大器的输入偏置电压的效果是
消除了。
f.
C
OSC
包括印刷电路板的寄生电容。
典型特性（ 25 ° C除非另有说明）
1000
振荡器特性
频率（kHz ）
100
50 pF的
100 pF的
150 pF的
200 pF的
10
10
100
r
OSC
振荡器电阻（千瓦）的
1000
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3
Si9150
Vishay Siliconix公司
引脚配置和订购信息
SOIC
EN
待机
SS
COMP
FB
V
REF
I
SENSE
1
2
3
4
5
6
7
顶视图
14
13
12
11
10
9
8
V
DD
P-门
N-二门
GND
R
T
C
T
SYNC
订购信息
产品型号
Si9150CY
Si9150CY-T1
Si9150CY-T1—E3
Si9150DY
Si9150DY-T1
Si9150DY-T1—E3
40
至85℃
40 85_C
0至70℃
SOIC-14
温度范围
包
引脚说明
引脚1 ： EN
当该引脚为低电平时，IC被关闭。经过一个低信号是
适用于EN ，然后COMP ， REF ，R
T
和C
T
对定居
地面; N-二门， STBY和软启动接地;和
P- GATE被拉高。电流消耗不多
超过100个
mA
在该状态下。该输入的阈值有显着
滞后，使得一个电容到地可用于延迟
重新启动后，电流限制被激活。 V后
ENH
is
突破，N -GATE前一个时钟周期，并经过
P- GATE启用。 EN被向上拉至V
DD
通过500 -K
电阻和下拉时内部电流限制为
触发。
使用此引脚。 COMP落户低时，无论EN或STBY是
拉低。
5脚：反馈（ FB ）
该引脚直接连接到错误的反相输入端
放大器。该引脚用于调节电源的输出
电压。
引脚6 ：参考（V
REF
)
内部2.5 V基准电压发生器连接到该引脚
通过5瓦的电阻。一个0.1 μF的旁路电容需要
抑制噪声。还要注意的是，发电机有一个开放的
发射器;也不会拉下。的最大电流，该
发电机将源之前，它的电流限制为10毫安。
该集成电路的许多地方使用该电压，所以重要的是不
超载参考发生器。
引脚7 ：我
SENSE
该引脚被连接到交换节点（漏极
应用程序的p沟道和n沟道MOSFET的） 。如果
V之间的电压
DD
这个引脚是更多的则0.46 V ，而
P- GATE为低电平时，电流限制被激活。电流限制
是为了防止误触发，由于噪声相对较慢。
启动电流限制使EN被拉到GND。
I
SENSE
可从V操作
DD
+ 2 V至GND
2 V.对于
操作上面13.5 V
DD
一个过滤器（ 1千瓦， 33 pF）时，需要
MOSFET的漏极和我之间
SENSE
销;指
图1 。
引脚8 ： SYNC
引脚4 ：补偿（ COMP ）
该引脚直接连接到所述误差放大器的输出端。该
这保证了一个应用程序的稳定反馈网络
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引脚2 ： STBY
有类似EN功能。的不同之处在于将EN
引脚不受影响，该基准仍然是可用的，即偏
电流仍然存在的内部，并且该引脚的上拉
当前存在。该引脚应使用禁用
如果应用程序的参考电压还是需要的。
3脚：软启动（ SS ）
此销限制了最大电压，该误差放大器可以
输出。该引脚与地之间的电容将限制
速率的占空比可以在初始上电时增加
起来，当EN或STBY高电平重启期间或之后的
电流限制被触发。电容器在这里可以预防的
从期间触发Si9150的电流限制应用程序
启动。软启动拉低如果任EN或STBY低。
该引脚强制时钟复位时低，并且也被拉伸
为低电平时，时钟复原。因此，如果几个Si9150的有
其同步引脚短接在一起时，它们将被同步;该
病程最短时钟控制其它时钟。
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Si9150
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引脚9 ：C
T
此引脚与地之间的电容充电，直到达到
2.5伏，在该点的电容器迅速放电。该
所得的锯齿与约1V加入是相对于
在COMP的输入电压，以确定是否P- GATE和
N-二门应该是高还是低。最大建议
值对C
OSC
为200pF （见典型特征） 。该
电容器的充电电流由引脚10中，R控
T
.
从V的路径
DD
到应用程序的源
P沟道MOSFET 。
引脚12 ：N - GATE
该引脚用于驱动应用程序的n沟道MOSFET 。
当接通n沟道MOSFET关断时， P-沟道
MOSFET将不会被打开，直到N-二门是在数伏
地面。该引脚为低，而无论是EN或STBY低。
引脚10 ，R
T
引脚13 ： P- GATE
该IC采用2.5 V至该引脚，而目前的镜像和
适用于9针，同时对电容充电。最低
的R值推荐
OSC
为20千瓦（图1）。
该引脚用于驱动应用程序的p沟道MOSFET 。
化妆前的电路断了P- GATE是
互补于该对N- GATE 。该引脚为高电平时
无论EN或STBY是低的。
11脚： GND
由于Si9150具有高侧电流限制，重要的是
即V
DD
跟踪电压的P沟道的源极上
功率MOSFET 。对于抗噪声能力，最好是分开的
逻辑接地与电源地。逻辑地面应
去耦至V
DD
通过至少一个1 μF的电容。两
理由可以由相比较长的路径被连接
引脚14 ： V
DD
该引脚为IC 。这个引脚之间的连接
p沟道FET的源应尽可能短
实用。读引脚11的描述绕过
建议。
应用
V
IN
100
mF
(20 V)
Si9943
47 pF的
1
220 pF的
3.32千瓦
0.039
mF
5600 pF的
4
5
6
7
2
3
Si9150
14
13
12
11
56.2千瓦
10
9
8
200 pF的
33 pF的
1 KW
V
IN
33.2千瓦
10MQ060
33.2千瓦
14.7千瓦
1000 pF的
43
mH
+5 V
100
mF
1
mF
图1 。
典型应用电路
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Si9150
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同步降压转换器
特点
D
6 16.5 V的输入范围（ Si9150CY ）
D
电压模式PWM控制
D
低电流待机模式
D
使能控制
D
双通道100 mA的输出驱动器
D
2％的带隙参考
D
多个转换器轻松同步
D
过电流保护
描述
该Si9150同步降压稳压控制器是理想
适用于高效率降压转换器中的
电池供电设备。结合Si9943DY
MOSFET半桥，一个90 ％的效率，7.5 -W 3.3 V或5 V
电源可以使用标准surface-来实现
安装组件技术。宽输入范围使
使用六到十，从镍镉或镍氢电池组的操作
细胞。
过电流保护是通过检测导通状态来实现
穿过高侧p沟道MOSFET ，电压降而
省去了一个电流检测电阻。
为0 100％的占空比，开关频率也高达300
千赫是可能的。该IC可通过拉低EN电平被禁用
(I
DD
= 100
毫安） ，
或2.5 V参考电压可以保持与
其他所有功能被禁用，拉STBY低（我
DD
=
500
毫安） 。
该Si9150可在标准和铅（Pb ） - 免费
14引脚SOIC封装，并在额定为商业级温度范围
0至70_C （C后缀） ，以及工业级温度范围
40
至+85 C （D后缀） 。
功能框图
V
DD
14
500千瓦
EN
1
掉电
UVLO
20
mA
0.5 V
13
P-门
Q
R
S
振荡器
比较器，
&误差放大器
参考
发电机
当前
极限
+
频闪
7
2
STBY
4.7 V
I
SENSE
SS
3
REF
根
错误
扩音器
+
5
FB
4
COMP
1V
+
R
OSC
S
Q
突破性
直至─
使
逻辑
V
DD
12
N-二门
5W
6
V
REF
C
T
9
R
T
10
8
SYNC
11
GND
同步降压稳压器控制器
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1
Si9150
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绝对最大额定值
电压参考GND 。
V
DD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 V
I
SENSE
输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
2
V到V
DD
+2 V
所有其他输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
到V
DD
+ 0.3 V
P-门，N -门连续源出/吸入电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至125℃
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150_C
功率耗散（包）一个
14引脚SOIC （Y后缀）
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
热阻抗（Q
JA
)
14引脚SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140_C / W
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免7.2毫瓦/ _C 。
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
参考
输出电压
V
REF
T
A
= 25_C
测量反馈
e
5脚
T
民
给T
最大
d
范围
后缀0 70℃
范围
后缀
40
至85℃
符号
6.0
v
V
DD
v
16.5 V
民
b
典型值
c
最大
b
民
b
典型值
c
最大
b
单位
2.45
2.425
2.50
2.500
2.55
2.575
2.45
2.40
2.50
2.500
2.55
2.60
V
振荡器
最大频率
初始精度
振荡器斜坡幅度
温度稳定性
d
f
最大
f
OSC
V
OSC
f
温度
C
OSC
= 94.3 pF的，R
OSC
= 28.7千瓦
T
A
= 25_C
f
C
OSC
= 212 pF的，R
OSC
= 41.2千瓦
T
A
= 25_C
f
T
A
= 25_C ， 100千赫
V
DD
= 10 V ，T
民
给T
最大
255
85
2.05
5
300
100
2.65
"3
345
115
2.85
+5
255
85
2.05
6
300
100
2.65
"4
345
千赫
115
2.85
+6
V
%
误差放大器器
输入偏置电流
开环电压
失调电压
单位增益带宽
d
输出电流
电源抑制
收益
d
I
B
A
VOL
V
OS
BW
I
OUT
PSRR
源，V
COMP
= 2.50 V
水槽，V
COMP
= 1.0 V
1
50
1
V
FB
= V
REF
60
25
72
10
1.5
0.30
2.5
70
0.20
0.9
48
25
1
500
58
25
72
10
1.5
0.30
2.5
70
0.15
30
750
nA
dB
mV
兆赫
mA
dB
保护
电流限制
阈值电压
电流限制
延迟输出
d
欠压
锁定电压
欠压滞后
软启动上拉电流
V
CL
t
d
V
UVLO
V
HYS
I
SS
T
A
= 25 ° C，V
DD
= 10 V
T
A
= 25_C
阈值上限
5.4
0.10
0.43
0.49
500
5.7
0.17
20
0.55
1000
6.0
0.25
5.38
0.10
0.43
0.49
500
5.7
0.17
20
0.55
1000
6.01
0.26
mA
V
ns
V
供应
电源电流
（启用低）
电源电流
（启用高）
电源电流（待机低）
I
关闭
I
CC
I
SB
C
L
= 0 pF的，女
OSC
= 100千赫
V
DD
= 10 V
60
2.2
300
100
3.0
500
60
2.2
300
100
3.0
550
mA
mA
mA
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Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
产量
输出高电压
输出低电压
输出电阻
上升
时间
d
下降时间
d
V
OH
V
OL
R
OUT
t
r
t
f
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 10 V
I
OUT
=
10
毫安，V
DD
= 10 V
I
OUT
= 100毫安， V
DD
= 10 V
C
L
= 800 pF的，V
DD
= 10 V
pF
10
30
30
9.75
0.25
20
60
60
10
30
30
9.7
0.3
25
70
70
V
W
ns
范围
后缀0 70℃
范围
后缀
40
至85℃
符号
6.0
v
V
DD
v
16.5 V
民
b
典型值
c
最大
b
民
b
典型值
c
最大
b
单位
逻辑
延迟输出
使能上拉电阻
STBY上拉电流
导通阈值
关断阈值
t
D（ EN ）
R
EN
I
STBY
V
ENH
V
ENL
T
A
= 25 ° C，V
STBY
= 0 V
V
DD
= 10 V
V
DD
= 10 V ，瑞星输入电压
V
DD
= 10 V ，下降输入电压
25
6
2
从高至低
0.25
500
20
6.8
3.75
15
8
5
28
6
2
1
0.25
500
20
6.8
3.75
12
8
5
1
ms
kW
mA
V
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证，不受生产测试。
。参考电压被调整与连接于补偿（引脚4 ）的反馈端（引脚5 ），从而使误差放大器的输入偏置电压的效果是
消除了。
f.
C
OSC
包括印刷电路板的寄生电容。
典型特性（ 25 ° C除非另有说明）
1000
振荡器特性
频率（kHz ）
100
50 pF的
100 pF的
150 pF的
200 pF的
10
10
100
r
OSC
振荡器电阻（千瓦）的
1000
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Si9150
Vishay Siliconix公司
引脚配置和订购信息
SOIC
EN
待机
SS
COMP
FB
V
REF
I
SENSE
1
2
3
4
5
6
7
顶视图
14
13
12
11
10
9
8
V
DD
P-门
N-二门
GND
R
T
C
T
SYNC
订购信息
产品型号
Si9150CY
Si9150CY-T1
Si9150CY-T1—E3
Si9150DY
Si9150DY-T1
Si9150DY-T1—E3
40
至85℃
40 85_C
0至70℃
SOIC-14
温度范围
包
引脚说明
引脚1 ： EN
当该引脚为低电平时，IC被关闭。经过一个低信号是
适用于EN ，然后COMP ， REF ，R
T
和C
T
对定居
地面; N-二门， STBY和软启动接地;和
P- GATE被拉高。电流消耗不多
超过100个
mA
在该状态下。该输入的阈值有显着
滞后，使得一个电容到地可用于延迟
重新启动后，电流限制被激活。 V后
ENH
is
突破，N -GATE前一个时钟周期，并经过
P- GATE启用。 EN被向上拉至V
DD
通过500 -K
电阻和下拉时内部电流限制为
触发。
使用此引脚。 COMP落户低时，无论EN或STBY是
拉低。
5脚：反馈（ FB ）
该引脚直接连接到错误的反相输入端
放大器。该引脚用于调节电源的输出
电压。
引脚6 ：参考（V
REF
)
内部2.5 V基准电压发生器连接到该引脚
通过5瓦的电阻。一个0.1 μF的旁路电容需要
抑制噪声。还要注意的是，发电机有一个开放的
发射器;也不会拉下。的最大电流，该
发电机将源之前，它的电流限制为10毫安。
该集成电路的许多地方使用该电压，所以重要的是不
超载参考发生器。
引脚7 ：我
SENSE
该引脚被连接到交换节点（漏极
应用程序的p沟道和n沟道MOSFET的） 。如果
V之间的电压
DD
这个引脚是更多的则0.46 V ，而
P- GATE为低电平时，电流限制被激活。电流限制
是为了防止误触发，由于噪声相对较慢。
启动电流限制使EN被拉到GND。
I
SENSE
可从V操作
DD
+ 2 V至GND
2 V.对于
操作上面13.5 V
DD
一个过滤器（ 1千瓦， 33 pF）时，需要
MOSFET的漏极和我之间
SENSE
销;指
图1 。
引脚8 ： SYNC
引脚4 ：补偿（ COMP ）
该引脚直接连接到所述误差放大器的输出端。该
这保证了一个应用程序的稳定反馈网络
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引脚2 ： STBY
有类似EN功能。的不同之处在于将EN
引脚不受影响，该基准仍然是可用的，即偏
电流仍然存在的内部，并且该引脚的上拉
当前存在。该引脚应使用禁用
如果应用程序的参考电压还是需要的。
3脚：软启动（ SS ）
此销限制了最大电压，该误差放大器可以
输出。该引脚与地之间的电容将限制
速率的占空比可以在初始上电时增加
起来，当EN或STBY高电平重启期间或之后的
电流限制被触发。电容器在这里可以预防的
从期间触发Si9150的电流限制应用程序
启动。软启动拉低如果任EN或STBY低。
该引脚强制时钟复位时低，并且也被拉伸
为低电平时，时钟复原。因此，如果几个Si9150的有
其同步引脚短接在一起时，它们将被同步;该
病程最短时钟控制其它时钟。
文档编号： 70020
S- 40752 -REV 。女，19 -APR- 04
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Si9150
Vishay Siliconix公司
引脚9 ：C
T
此引脚与地之间的电容充电，直到达到
2.5伏，在该点的电容器迅速放电。该
所得的锯齿与约1V加入是相对于
在COMP的输入电压，以确定是否P- GATE和
N-二门应该是高还是低。最大建议
值对C
OSC
为200pF （见典型特征） 。该
电容器的充电电流由引脚10中，R控
T
.
从V的路径
DD
到应用程序的源
P沟道MOSFET 。
引脚12 ：N - GATE
该引脚用于驱动应用程序的n沟道MOSFET 。
当接通n沟道MOSFET关断时， P-沟道
MOSFET将不会被打开，直到N-二门是在数伏
地面。该引脚为低，而无论是EN或STBY低。
引脚10 ，R
T
引脚13 ： P- GATE
该IC采用2.5 V至该引脚，而目前的镜像和
适用于9针，同时对电容充电。最低
的R值推荐
OSC
为20千瓦（图1）。
该引脚用于驱动应用程序的p沟道MOSFET 。
化妆前的电路断了P- GATE是
互补于该对N- GATE 。该引脚为高电平时
无论EN或STBY是低的。
11脚： GND
由于Si9150具有高侧电流限制，重要的是
即V
DD
跟踪电压的P沟道的源极上
功率MOSFET 。对于抗噪声能力，最好是分开的
逻辑接地与电源地。逻辑地面应
去耦至V
DD
通过至少一个1 μF的电容。两
理由可以由相比较长的路径被连接
引脚14 ： V
DD
该引脚为IC 。这个引脚之间的连接
p沟道FET的源应尽可能短
实用。读引脚11的描述绕过
建议。
应用
V
IN
100
mF
(20 V)
Si9943
47 pF的
1
220 pF的
3.32千瓦
0.039
mF
5600 pF的
4
5
6
7
2
3
Si9150
14
13
12
11
56.2千瓦
10
9
8
200 pF的
33 pF的
1 KW
V
IN
33.2千瓦
10MQ060
33.2千瓦
14.7千瓦
1000 pF的
43
mH
+5 V
100
mF
1
mF
图1 。
典型应用电路
文档编号： 70020
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