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Si9122A
Vishay Siliconix公司
500 - kHz的半桥DC / DC控制器
集成二级同步整流驱动器
描述
Si9122A可为半桥控制IC非常适合于固定
电信应用在需要低效率高
输出电压(例如小于3.3V) 。专为中运行
固定电信电压范围33 V至75 V和承受
100伏, 100毫秒的瞬变,该IC是能够控制和
驱动低和高侧开关的一个半器件
电桥电路,并控制所述开关器件
桥的次级侧。由于非常低的导通
辅助MOSFET的电阻,一个显著
增加转换效率,可以实现如
与传统的肖特基二极管相比。控制
次级装置是由脉冲变压器和一个手段
对反相器。这种系统具有良好的效率在
超过90 % ,即使对于低输出电压。片内控制
初级和次级之间的死区时间延迟的
同步信号保持高效率,以及预防
意外损坏的电源变压器。外部
电阻设置开关的频率从200 kHz到
625千赫。
Si9122A可具有先进的电流监控和控制
电路,它允许用户设置中的最大电流
初级电路。这样的功能可作为防
输出短路,并提供恒定的电流大
在启动期间容性负载或并联时功率
耗材。电流检测是通过在感测电阻器的装置
低侧主设备。
特点
28 V至75 V的输入电压范围
兼容ETSI 300 132-2
集成的± 1半桥主要驱动力
RoHS指令
柔顺
次级同步整流控制
带有可编程死区时间延迟信号
电压模式控制
电压前馈补偿
高电压预调节器在启动期间运行
电流感应的低侧主设备
频率折返消除恒流尾巴
在启动过程中先进的最大电流控制和
负载短路
低输入电压检测
可编程软启动功能
过温保护
应用
网卡
电源模块
功能框图
28 V至75 V
V
CC
V
IN
REG_COMP
BST
同步
整流器
DH
LX
1 V至12 V典型。
+
V
OUT
Si9122A
V
IN_DET
DL
CS2
CS1
C
L_CONT
SR
H
SR
L
保护地
R
OSC
V
REF
GND
BBM
V
CC
错误
扩音器
+
-
V
REF
EP
SS
光隔离器
图1 。
文档编号: 73492
S- 80038 -REV 。 D, 14 -JAN- 08
www.vishay.com
1
Si9122A
Vishay Siliconix公司
技术说明
Si9122A可为电压模式控制器,用于半桥
拓扑结构。用100伏耗尽型MOSFET的能力,
该Si9122A可能够直接从高供电的
电压总线到V
CC
通过一个外部PNP传输晶体管,
或者可以通过一个外部稳压器直接供电
通过V
CC
引脚。与PWM控制, Si9122A可提供
在整个线路和负载范围内的峰值效率。在
为了简化高效次级的设计
同步整流电路, Si9122A可提供
智能栅极驱动信号来控制二次
的MOSFET。从独立的栅极驱动信号
控制器,变压器的设计不再受限制门
到源次级侧MOSFET的评级。 Si9122A可
提供恒定的V
GS
电压与电源电压无关
以尽量减少栅极电荷损失以及传导损耗。
一休前先功能包括防止拍摄
通过电流或变压器短路。可调突破性
之前,制作时间并入集成电路和是
通过一个外部电阻值进行编程。
Si9122A可封装在无铅(Pb ) - 免费TSSOP -20
MLP65-20包。为了满足严格的环境
温度要求, Si9122A可被评为处理
工业温度范围 - 40 ° C至85°C 。当一个
情况出现这导致在初级快速增加
(或次级电流) ,例如在输出短路或起动
具有大输出电容,控制PWM发生器的
被移交到电流环路。负载监控
电流是通过一个外部电流检测电阻的方法
初级低压侧开关的源极。
SI9122框图
V
IN
V
CC
R
OSC
高边
司机
INT
9.1
V
REG_COMP
预稳压器
V
REF
V
INDET
V
REF
+
-
+
-
+
-
BST
D
H
L
X
V
UVLO
8.8 V
低端
司机
OSC
坡道
V
UV
V
FF
V
CC
D
L
V
SD
550毫伏
132 kΩ
60 kΩ
EP
误差放大器器
-
+
V
REF
保护地
+
-
2
PWM
比较
司机
控制
定时
V
CC
SR
H
SYNC
驱动器高
20 A
SS
I
SS
8V
OTP
V
CC
+
-
DET高峰
占空比
控制
SR
L
CS2
CS1
过电流保护
GND
C
L_CONT
BBM
Si9122
SYNC
驱动器低
图2中。
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2
文档编号: 73492
S- 80038 -REV 。 D, 14 -JAN- 08
Si9122A
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参考GND = 0 V所有电压
参数
V
IN
(连续)
V
IN
(100毫秒)
V
CC
V
BST
V
LX
V
BST
- V
LX
V
REF
, R
OSC
逻辑输入
模拟输入
HV预稳压器输入电流(连续)
储存温度
工作结温
功耗
a
热阻抗( θ
JA
)
TSSOP-20
b
MLP65-20
c
TSSOP-20
MLP65-20
连续
100毫秒
极限
80
100
14.5
95
113.2
100
15
- 0.3 V
CC
+ 0.3
- 0.3 V
CC
+ 0.3
- 0.3 V
CC
+ 0.3
5
- 65 150
150
850
2500
75
38
mA
°C
mW
° C / W
V
单位
注意事项:
一。设备安装在符合JEDEC 1S2P测试板。
B 。减额 - 14毫瓦/°C, 25°C以上。
。减额 - 26毫瓦/°C, 25°C以上。
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
推荐工作范围
参考GND = 0 V所有电压
参数
V
IN
V
CC
操作
CV
CC
f
OSC
R
OSC
R
BBM
C
REF
C
BOOST
模拟输入
数字输入
参考电压输出电流
极限
28 75
10.5 13.2
4.7
200 625
22.6到72
22 50
0.1
0.1
0 V至V
CC
- 2 V
0 V至V
CC
02.5
单位
V
F
千赫
F
V
mA
文档编号: 73492
S- 80038 -REV 。 D, 14 -JAN- 08
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3
Si9122A
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
f
= 500千赫,V
IN
= 75 V
V
INDET
= 7.5 V; 10.5 V
V
CC
13.2 V
V
CC
= 12 V ,25°C负载= 0毫安
V
REF
= 0 V
I
REF
= 0 - 2.5毫安
在100赫兹
R
OSC
= 30 kΩ的,女
= 500千赫
F
最大
F
FOBK
I
BIAS
A
V
BW
PSRR
SR
V
CM
A
VOL
BW
V
OS
dV
CS
= 0
CL_CONT电流
I
CL_CONT
dV
CS
= 100 mV的
dV
CS
= 170毫伏
较低的电流限制阈值
电流上限阈值
迟滞
CL_CONT钳位电平
PWM工作模式
D
最大
占空比
e
预稳压器
输入电压
输入漏电流
调节偏置电流
Regulator_Comp
预稳压器驱动Capacility
+ V
IN
I
LKG
I
REG1
I
REG2
I
来源
I
SINK
I
开始
I
IN
= 10
A
V
IN
= 75 V, V
CC
& GT ; V
REG
V
IN
= 75 V, V
INDET
& LT ; V
SD
V
IN
= 75 V, V
INDET
& GT ; V
REF
V
CC
= 12 V
V
CC
& LT ; V
REG
- 29
50
20
86
8
- 19
82
28
75
10
200
14
-9
110
V
A
mA
A
mA
D
f
OSC
= 500千赫
V
EP
= 0 V
V
EP
= 1.75 V
90
92
& LT ; 15
3
95
%
C
L_CONT (分钟)
V
TLCL
V
THCL
I
PD
= I
PU
- I
CL_CONT
= 0
参见图6
I
PD
& GT ; 2毫安
I
PU
& LT ; 500
A
I
PU
= 500
A
0.6
V
CS1
- GND ,V
CS2
- GND
在100赫兹
R
OSC
= 22.6 kΩ
f
= 500千赫,V
CS2
- V
CS1
& GT ; 150毫伏
V
EP
= 0 V
- 40
- 2.2
5
60
0.5
± 150
17.5
5
±5
120
0
>2
100
150
- 50
1.5
V
mV
- 20
500
625
100
- 15
- 30
60
20
750
范围
- 4085 ℃下
分钟。
b
3.2
典型值。
c
3.3
马克斯。
b
3.4
- 50
- 75
单位
V
mA
mV
dB
%
千赫
参数
参考( 3.3 V )
输出电压
短路电流
负载调整率
电源抑制
振荡器
精度(1 %R
OSC
)
最大频率
h
频率折返
d
误差放大器器
输入偏置电流
收益
带宽
电源抑制
压摆率
电流检测放大器
输入电压范围CM
输入放大器增益
输入放大器带宽
放大器的输入失调电压
符号
V
REF
I
SREF
DVR /目录
PSRR
A
V/V
兆赫
dB
V / μs的
mV
dB
兆赫
mV
A
mA
V
CS2
- V
CS1
& GT ; 150毫伏
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文档编号: 73492
S- 80038 -REV 。 D, 14 -JAN- 08
Si9122A
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
f
= 500千赫,V
IN
= 75 V
V
INDET
= 7.5 V; 10.5 V
V
CC
13.2 V
范围
- 4085 ℃下
分钟。
b
7.4
T
A
= 25 °C
8.5
7.15
T
A
= 25 °C
8.1
典型值。
c
9.1
9.1
9.2
8.8
8.8
0.5
启动条件
正常工作
V
INDET
升起
V
INDET
V
UV
V
INDET
升起
V
INDET
T
J
增加
T
J
减少
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
关机,V
INDET
= 0 V
V
INDET
& LT ; V
REF
V
INDET
& GT ; V
REF ,
f
= 500千赫
V
CC
= 12 V ,C
DH
= C
DL
= 3 nF的
C
SRH
= C
SRL
= 0.3 nF的
采购10毫安
下沉10毫安
V
LX
= 75 V, V
BST
= V
LX
+ V
CC
V
LX
= 75 V, V
BST
= V
LX
+ V
CC
V
CC
= 10.5 V
C
DH
= 3 nF的
1.3
- 1.3
0.75
1.9
- 0.7
- 1.0
1.0
35
35
V
CC
- 0.3
0.3
- 1.0
0.75
1.0
35
35
- 0.75
V
BST
- 0.3
V
LX
+ 0.3
2.7
- 0.4
- 0.75
50
4
5
8
10
21
3.13
0.23
12
7.35
350
20
8.05
550
200
3.3
0.3
160
130
3.46
0.35
28
8.85
720
A
V
9.8
9.3
V
马克斯。
b
10.4
9.7
单位
参数
预稳压器
V
CC
预稳压器关闭
阈值电压
欠压锁定
V
UVLO
迟滞
g
软启动
软启动电流输出
软启动完成电压
关闭
V
INDET
关闭
V
SD
迟滞
V
INDET
输入阈值电压
V
INDET
- V
IN
欠压
V
UV
迟滞
过温保护
活化温度
去活化温度
转换器电源电流(V
CC
)
关闭
开关禁用
开关W / O负载
用C开关
负载
符号
V
REG1
V
REG2
V
UVLO
V
UVLOHYS
I
SS
V
SS_COMP
V
SD
V
INDET
& GT ; V
REF
V
INDET
= 0 V
V
CC
升起
mV
V
°C
350
12
15
A
mA
输出MOSFET驱动器DH (高边)
输出高电压
输出低电压
升压电流
L
X
当前
峰值输出源
峰值输出灌
上升时间
下降时间
输出高电压
输出低电压
峰值输出源
峰值输出灌
上升时间
下降时间
V
OH
V
OL
I
BST
I
LX
I
来源
I
SINK
t
r
t
f
V
OH
V
OL
I
来源
I
SINK
t
r
t
f
V
mA
A
ns
输出MOSFET驱动器DL (低端)
采购10毫安
下沉10毫安
V
CC
= 10.5 V
C
DL
= 3 nF的
V
A
ns
文档编号: 73492
S- 80038 -REV 。 D, 14 -JAN- 08
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Si9122A
Vishay Siliconix公司
500 - kHz的半桥DC / DC控制器
集成二级同步整流驱动器
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
28 V至75 V的输入电压范围
兼容ETSI 300 132-2
集成
& QUOT ;
1半桥主要驱动力
与次级同步整流控制信号
可编程死区时间延迟
电压模式控制
电压前馈补偿
高电压预调节器在启动期间运行
电流感应的低侧主设备
D
频率折返消除恒流尾巴
D
在启动过程中先进的最大电流控制和
负载短路
D
低输入电压检测
D
可编程软启动功能
D
过温保护
应用
D
网卡
D
电源模块
描述
Si9122A可为半桥控制IC非常适合于固定
电信应用在需要低效率高
输出电压(例如<3.3 Ⅴ) 。专为中运行
的33-75 V和固定电信电压范围承受100伏,
100毫秒的瞬变,该IC能够控制和驱动
低和高侧开关的半桥器件
电路也控制对所述开关装置
桥的次级侧。由于非常低的导通电阻
辅助MOSFET的,在一个显著增加
转换效率可达到与比较
传统的肖特基二极管。次级控制
设备是由脉冲变压器的装置,以及一对
逆变器。这种系统具有的效率为90 %,大大超过
即使是低输出电压。片上控制的死区时间
初级和次级同步之间的延迟
信号保持高效率,以及防止意外
破坏的电源变压器。一个外部电阻设置
开关频率为200千赫到625千赫。
Si9122A可具有先进的电流监控电路
这使用户可以设定最大电流在初级
电路。这样的功能起到保护输出
短路,并提供恒定的电流大
在启动期间容性负载或并联时功率
耗材。电流检测是通过在感测电阻器的装置
低侧主设备。
功能框图
28 V至75 V
V
CC
V
IN
REG_COMP
BST
同步
整流器
DH
LX
1 V至12 V典型。
+
V
OUT
Si9122A
V
IN_DET
DL
CS2
CS1
C
L_CONT
SR
H
SR
L
保护地
R
OSC
V
REF
GND
BBM
EP
V
CC
错误
扩音器
+
V
REF
SS
光隔离器
图1 。
文档编号: 73492
S- 51921 -REV 。 A, 12 - 09月05
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1
Si9122A
Vishay Siliconix公司
技术说明
Si9122A可为电压模式控制器,用于半桥
拓扑结构。用100 -V的耗尽型MOSFET的能力,则
Si9122A可能够直接从高压供电的
公交车到V
CC
通过外部PNP调整晶体管,或者可以是
通过外部稳压器通过直接供电
V
CC
引脚。与PWM控制, Si9122A可提供最高效率
在整个线路和负载范围内。为了简化
高效的次级同步整流的设计
电路, Si9122A可提供智能栅极驱动信号
控制二次的MOSFET。具有独立的栅极驱动器
来自控制器的信号,变压器设计不再
受限于栅极到源极的二次侧的额定
的MOSFET。 Si9122A可提供恒定的V
GS
电压,
线电压无关的,以尽量减少栅极电荷损失
以及导通损耗。一休前先功能
包括以避免贯通电流互感器或
短路。可调歇前先时被合并
进入IC和可编程通过外部电阻值。
Si9122A可封装在无铅(Pb ) - 免费
TSSOP -20
MLP65-20
包。为了满足严格的环境tempe-
叉涂抹的要求, Si9122A可在额定处理工业
温度范围为-40至85_C 。当这种情况发生
这导致在主要的快速增加(或仲
电流) ,例如在输出短路或起动用大输出
电容器时,PWM发生器的控制权移交给
电流环。负载电流的监测是通过以下方式
主要的来源在外部电流检测电阻
低侧开关。
SI9122框图
V
IN
V
CC
R
OSC
高边
司机
INT
9.1 V
REG_COMP
预稳压器
V
REF
V
INDET
V
REF
+
+
+
BST
D
H
L
X
V
UVLO
8.8 V
低端
司机
OSC
坡道
V
UV
V
FF
V
CC
D
L
V
SD
550毫伏
132千瓦
60千瓦
EP
误差放大器器
+
V REF
保护地
+
2
20
mA
SS
PWM
比较
司机
控制
定时
V
CC
SR
H
SYNC
驱动器高
I
SS
8V
OTP
V
CC
+
DET高峰
占空比
控制
SR
L
CS2
CS1
过电流保护
GND
C
L_CONT
BBM
Si9122
SYNC
驱动器低
图2中。
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文档编号: 73492
S- 51921 -REV 。 A, 12 - 09月05
2
Si9122A
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值(参考GND = 0 V所有电压)
V
IN
(连续) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80 V
V
IN
(100毫秒)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100 V
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14.5 V
V
BST
(连续) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 95 V
(100毫秒)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113.2 V
V
LX
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 V
V
BST
– V
LX
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V
V
REF
, R
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
CC
+ 0.3 V
逻辑输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
CC
+ 0.3 V
模拟输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
CC
+ 0.3 V
HV预稳压器的输入电流(连续) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125_C
功耗
a
TSSOP-20
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 850毫瓦
MLP65-20
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2500毫瓦
热阻抗(Q
JA
)
TSSOP -20 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75°C / W
MLP65-20 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38_C / W
笔记
一。设备安装在符合JEDEC 1S2P测试板..
B 。减免-14毫瓦/ _C以上25_C 。
。减免-26毫瓦/ _C以上25_C 。
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
建议的操作范围(参考GND = 0 V所有电压)
V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28日至75 V
V
CC
操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10.5至13.2 V
CV
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
w
4.7
mF
f
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200到625千赫
R
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22.6至72千瓦
R
BBM
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22至50千瓦
C
REF
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.1
mF
C
BOOST
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.1
mF
模拟输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
– 2 V
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
参考电压输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0至2.5毫安
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
参考( 3.3 V )
输出电压
短路电流
负载调整率
电源抑制
V
REF
I
SREF
DVR / DLR
PSRR
V
CC
= 12 V , 25_C负载= 0毫安
V
REF
= 0 V
I
REF
= 0至-2.5毫安
@ 100Hz的
–30
60
3.2
3.3
3.4
–50
–75
V
mA
mV
dB
范围
-40到85°C
符号
f
= 500千赫,V
IN
= 75 V
V
INDET
= 7.5 V; 10.5 V
v
V
CC
v
13.2 V
b
典型值
c
最大
b
单位
振荡器
精度(1 %R
OSC
)
最大
频率
h
F
最大
F
FOBK
频率折返
d
R
OSC
= 30千瓦,女
= 500千赫
R
OSC
= 22.6千瓦
f
= 500千赫,V
CS2
– V
CS1
u
150毫伏
–20
500
625
100
20
750
千赫
%
误差放大器器
输入偏置电流
收益
带宽
电源抑制
压摆率
I
BIAS
A
V
BW
PSRR
SR
@ 100Hz的
V
EP
= 0 V
–40
–2.2
5
60
0.5
–15
mA
V/V
兆赫
dB
V / ms的
电流检测放大器
输入电压范围CM
输入放大器增益
输入放大器带宽
放大器的输入失调电压
文档编号: 73492
S- 51921 -REV 。 A, 12 - 09月05
V
CM
A
VOL
BW
V
OS
V
CS1
= GND ,V
CS2
= GND
"150
17.5
5
"5
mV
dB
兆赫
mV
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3
Si9122A
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
电流检测放大器
dV
CS
= 0
CL_CONT电流
I
CL_CONT
dV
CS
= 100 mV的
dV
CS
= 170毫伏
较低的电流限制阈值
电流上限阈值
迟滞
CL_CONT钳位电平
C
L_CONT (分钟)
V
TLCL
V
THCL
I
PD
= I
PU
– I
CL_CONT
= 0
参见图6
I
PD
u
2毫安
I
PU
t
500
mA
I
PU
= 500
mA
0.6
120
0
u2
100
150
–50
1.5
V
mV
mA
mA
范围
-40到85°C
符号
f
= 500千赫,V
IN
= 75 V
V
INDET
= 7.5 V; 10.5 V
v
V
CC
v
13.2 V
b
典型值
c
最大
b
单位
PWM工作模式
D
最大
占空比
e
y y
D
f
OSC
= 500千赫
V
EP
= 0 V
V
EP
= 1.75 V
90
92
t15
3
95
%
V
CS2
– V
CS1
u
150毫伏
预稳压器
输入电压
输入漏电流
调节偏置电流
+V
IN
I
LKG
I
REG1
I
REG2
I
来源
I
SINK
I
开始
V
REG1
V
REG2
欠压锁定
V
UVLO
迟滞
g
V
UVLO
V
UVLOHYS
I
IN
= 10
mA
V
IN
= 75 V, V
CC
u
V
REG
V
IN
= 75 V, V
INDET
t
V
SD
V
IN
= 75 V, V
INDET
u
V
REF
–29
V
CC
= 12 V
V
CC
t
V
REG
V
INDET
u
V
REF
V
INDET
= 0 V
7.15
V
CC
升起
T
A
= 25_C
8.1
T
A
= 25_C
50
20
7.4
8.5
9.1
9.1
9.2
8.8
8.8
0.5
9.8
9.3
V
10.4
9.7
86
8
–19
82
28
75
10
200
14
–9
110
V
mA
mA
mA
mA
Regulator_Comp
调节比较
预稳压器驱动Capacility
V
CC
P
预稳压牛逼
L T关闭
阈值电压
软启动
软启动电流输出
软启动完成电压
I
SS
V
SS_COMP
启动条件
正常工作
12
7.35
20
8.05
28
8.85
mA
V
关闭
V
INDET
关闭
V
SD
迟滞
V
SD
V
INDET
升起
V
INDET
350
550
200
720
mV
V
INDET
输入阈值电压
V
INDET
– V
IN
欠压
V
UW
迟滞
V
UV
V
INDET
升起
V
INDET
3.13
3.3
0.3
3.46
V
过温保护
活化温度
去活化温度
T
J
增加
T
J
减少
160
130
_C
转换器电源电流(V
CC
)
关闭
开关禁用
开关W / O负载
用C开关
负载
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
关机,V
INDET
= 0 V
V
INDET
t
V
REF
V
INDET
u
V
REF
, f
= 500千赫
V
CC
= 12 V ,C
DH
= C
DL
= 3 nF的
C
SRH
= C
SRL
= 0.3 nF的
50
4
5
8
10
21
350
12
15
mA
mA
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4
文档编号: 73492
S- 51921 -REV 。 A, 12 - 09月05
Si9122A
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
输出高电压
输出低电压
升压电流
L
X
当前
峰值输出源
峰值输出灌
上升时间
下降时间
范围
-40到85°C
符号
V
OH
V
OL
I
BST
I
LX
I
来源
I
SINK
t
r
t
f
f
= 500千赫,V
IN
= 75 V
V
INDET
= 7.5 V; 10.5 V
v
V
CC
v
13.2 V
b
V
BST
– 0.3
典型值
c
最大
b
单位
输出MOSFET驱动器DH (高边)
采购10毫安
下沉10毫安
V
LX
= 75 V, V
BST
= V
LX
+ V
CC
V
LX
= 75 V, V
BST
= V
LX
+ V
CC
V
CC
= 10.5 V
10 5
C
DH
= 3 nF的
1.3
–1.1
0.75
1.9
–0.7
–1.0
1.0
35
35
ns
V
LX
+ 0.3
2.7
–0.4
–0.75
A
mA
V
输出MOSFET DLDriver (低端)
输出高电压
输出低电压
峰值输出源
峰值输出灌
上升时间
下降时间
V
OH
V
OL
I
来源
I
SINK
t
r
t
f
采购10毫安
下沉10毫安
–1.0
V
CC
= 10.5 V
10 5
C
DL
= 3 nF的
0.75
1.0
35
35
ns
V
CC
– 0.3
0.3
–0.75
A
V
同步整流( SRH , SRL )驱动程序
输出高电压
输出低电压
V
OH
V
OL
t
BBM1
突破前先
先断后时间
f
t
BBM2
t
BBM3
t
BBM4
峰值输出源
峰值输出灌
上升时间
下降时间
I
来源
I
SINK
t
r
t
f
采购10毫安
下沉10毫安
55
T
A
= 25 ° C,R
BBM
= 33千瓦
见图3
25_C
千瓦,
T
A
= 25 ° C R
BBM
= 33千瓦L
X
= 75 V
25_C,R
千瓦,
V
CC
= 10.5 V
10 5
C
SRH
= C
SRL
= 0.3 nF的
03
40
35
55
–100
100
35
35
ns
mA
ns
V
CC
– 0.4
0.4
V
电压模式
误差放大器器
t
d1DH
t
d2DL
输入高侧开关关闭
投入低边开关关闭
t200
t200
ns
电流模式
电流放大器
t
d3DH
t
d4DL
输入高侧开关关闭
投入低边开关关闭
t200
t200
ns
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值( -40_到85_C ) 。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。 F
当V
CL_CONT
在钳位电平。典型的折返频率变化+ 20 % ,超过温度-30 % 。
。测量SRL和SRH输出。
f.
参见图3为先开后合做时间的定义。
克。 V
UVLO
跟踪V
REG1
由一个二极管压降
小时。通过设计和特性保证,未经生产测试。
文档编号: 73492
S- 51921 -REV 。 A, 12 - 09月05
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5
Si9122A
Vishay Siliconix公司
500 - kHz的半桥DC / DC控制器
集成二级同步整流驱动器
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
28 V至75 V的输入电压范围
兼容ETSI 300 132-2
集成
& QUOT ;
1半桥主要驱动力
与次级同步整流控制信号
可编程死区时间延迟
电压模式控制
电压前馈补偿
高电压预调节器在启动期间运行
电流感应的低侧主设备
D
频率折返消除恒流尾巴
D
在启动过程中先进的最大电流控制和
负载短路
D
低输入电压检测
D
可编程软启动功能
D
过温保护
应用
D
网卡
D
电源模块
描述
Si9122A可为半桥控制IC非常适合于固定
电信应用在需要低效率高
输出电压(例如<3.3 Ⅴ) 。专为中运行
的33-75 V和固定电信电压范围承受100伏,
100毫秒的瞬变,该IC能够控制和驱动
低和高侧开关的半桥器件
电路也控制对所述开关装置
桥的次级侧。由于非常低的导通电阻
辅助MOSFET的,在一个显著增加
转换效率可达到与比较
传统的肖特基二极管。次级控制
设备是由脉冲变压器的装置,以及一对
逆变器。这种系统具有的效率为90 %,大大超过
即使是低输出电压。片上控制的死区时间
初级和次级同步之间的延迟
信号保持高效率,以及防止意外
破坏的电源变压器。一个外部电阻设置
开关频率为200千赫到625千赫。
Si9122A可具有先进的电流监控电路
这使用户可以设定最大电流在初级
电路。这样的功能起到保护输出
短路,并提供恒定的电流大
在启动期间容性负载或并联时功率
耗材。电流检测是通过在感测电阻器的装置
低侧主设备。
功能框图
28 V至75 V
V
CC
V
IN
REG_COMP
BST
同步
整流器
DH
LX
1 V至12 V典型。
+
V
OUT
Si9122A
V
IN_DET
DL
CS2
CS1
C
L_CONT
SR
H
SR
L
保护地
R
OSC
V
REF
GND
BBM
EP
V
CC
错误
扩音器
+
V
REF
SS
光隔离器
图1 。
文档编号: 73492
S- 51921 -REV 。 A, 12 - 09月05
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1
Si9122A
Vishay Siliconix公司
技术说明
Si9122A可为电压模式控制器,用于半桥
拓扑结构。用100 -V的耗尽型MOSFET的能力,则
Si9122A可能够直接从高压供电的
公交车到V
CC
通过外部PNP调整晶体管,或者可以是
通过外部稳压器通过直接供电
V
CC
引脚。与PWM控制, Si9122A可提供最高效率
在整个线路和负载范围内。为了简化
高效的次级同步整流的设计
电路, Si9122A可提供智能栅极驱动信号
控制二次的MOSFET。具有独立的栅极驱动器
来自控制器的信号,变压器设计不再
受限于栅极到源极的二次侧的额定
的MOSFET。 Si9122A可提供恒定的V
GS
电压,
线电压无关的,以尽量减少栅极电荷损失
以及导通损耗。一休前先功能
包括以避免贯通电流互感器或
短路。可调歇前先时被合并
进入IC和可编程通过外部电阻值。
Si9122A可封装在无铅(Pb ) - 免费
TSSOP -20
MLP65-20
包。为了满足严格的环境tempe-
叉涂抹的要求, Si9122A可在额定处理工业
温度范围为-40至85_C 。当这种情况发生
这导致在主要的快速增加(或仲
电流) ,例如在输出短路或起动用大输出
电容器时,PWM发生器的控制权移交给
电流环。负载电流的监测是通过以下方式
主要的来源在外部电流检测电阻
低侧开关。
SI9122框图
V
IN
V
CC
R
OSC
高边
司机
INT
9.1 V
REG_COMP
预稳压器
V
REF
V
INDET
V
REF
+
+
+
BST
D
H
L
X
V
UVLO
8.8 V
低端
司机
OSC
坡道
V
UV
V
FF
V
CC
D
L
V
SD
550毫伏
132千瓦
60千瓦
EP
误差放大器器
+
V REF
保护地
+
2
20
mA
SS
PWM
比较
司机
控制
定时
V
CC
SR
H
SYNC
驱动器高
I
SS
8V
OTP
V
CC
+
DET高峰
占空比
控制
SR
L
CS2
CS1
过电流保护
GND
C
L_CONT
BBM
Si9122
SYNC
驱动器低
图2中。
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文档编号: 73492
S- 51921 -REV 。 A, 12 - 09月05
2
Si9122A
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值(参考GND = 0 V所有电压)
V
IN
(连续) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80 V
V
IN
(100毫秒)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100 V
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14.5 V
V
BST
(连续) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 95 V
(100毫秒)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113.2 V
V
LX
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 V
V
BST
– V
LX
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V
V
REF
, R
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
CC
+ 0.3 V
逻辑输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
CC
+ 0.3 V
模拟输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
CC
+ 0.3 V
HV预稳压器的输入电流(连续) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125_C
功耗
a
TSSOP-20
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 850毫瓦
MLP65-20
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2500毫瓦
热阻抗(Q
JA
)
TSSOP -20 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75°C / W
MLP65-20 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38_C / W
笔记
一。设备安装在符合JEDEC 1S2P测试板..
B 。减免-14毫瓦/ _C以上25_C 。
。减免-26毫瓦/ _C以上25_C 。
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
建议的操作范围(参考GND = 0 V所有电压)
V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28日至75 V
V
CC
操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10.5至13.2 V
CV
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
w
4.7
mF
f
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200到625千赫
R
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22.6至72千瓦
R
BBM
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22至50千瓦
C
REF
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.1
mF
C
BOOST
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.1
mF
模拟输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
– 2 V
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
参考电压输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0至2.5毫安
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
参考( 3.3 V )
输出电压
短路电流
负载调整率
电源抑制
V
REF
I
SREF
DVR / DLR
PSRR
V
CC
= 12 V , 25_C负载= 0毫安
V
REF
= 0 V
I
REF
= 0至-2.5毫安
@ 100Hz的
–30
60
3.2
3.3
3.4
–50
–75
V
mA
mV
dB
范围
-40到85°C
符号
f
= 500千赫,V
IN
= 75 V
V
INDET
= 7.5 V; 10.5 V
v
V
CC
v
13.2 V
b
典型值
c
最大
b
单位
振荡器
精度(1 %R
OSC
)
最大
频率
h
F
最大
F
FOBK
频率折返
d
R
OSC
= 30千瓦,女
= 500千赫
R
OSC
= 22.6千瓦
f
= 500千赫,V
CS2
– V
CS1
u
150毫伏
–20
500
625
100
20
750
千赫
%
误差放大器器
输入偏置电流
收益
带宽
电源抑制
压摆率
I
BIAS
A
V
BW
PSRR
SR
@ 100Hz的
V
EP
= 0 V
–40
–2.2
5
60
0.5
–15
mA
V/V
兆赫
dB
V / ms的
电流检测放大器
输入电压范围CM
输入放大器增益
输入放大器带宽
放大器的输入失调电压
文档编号: 73492
S- 51921 -REV 。 A, 12 - 09月05
V
CM
A
VOL
BW
V
OS
V
CS1
= GND ,V
CS2
= GND
"150
17.5
5
"5
mV
dB
兆赫
mV
www.vishay.com
3
Si9122A
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
电流检测放大器
dV
CS
= 0
CL_CONT电流
I
CL_CONT
dV
CS
= 100 mV的
dV
CS
= 170毫伏
较低的电流限制阈值
电流上限阈值
迟滞
CL_CONT钳位电平
C
L_CONT (分钟)
V
TLCL
V
THCL
I
PD
= I
PU
– I
CL_CONT
= 0
参见图6
I
PD
u
2毫安
I
PU
t
500
mA
I
PU
= 500
mA
0.6
120
0
u2
100
150
–50
1.5
V
mV
mA
mA
范围
-40到85°C
符号
f
= 500千赫,V
IN
= 75 V
V
INDET
= 7.5 V; 10.5 V
v
V
CC
v
13.2 V
b
典型值
c
最大
b
单位
PWM工作模式
D
最大
占空比
e
y y
D
f
OSC
= 500千赫
V
EP
= 0 V
V
EP
= 1.75 V
90
92
t15
3
95
%
V
CS2
– V
CS1
u
150毫伏
预稳压器
输入电压
输入漏电流
调节偏置电流
+V
IN
I
LKG
I
REG1
I
REG2
I
来源
I
SINK
I
开始
V
REG1
V
REG2
欠压锁定
V
UVLO
迟滞
g
V
UVLO
V
UVLOHYS
I
IN
= 10
mA
V
IN
= 75 V, V
CC
u
V
REG
V
IN
= 75 V, V
INDET
t
V
SD
V
IN
= 75 V, V
INDET
u
V
REF
–29
V
CC
= 12 V
V
CC
t
V
REG
V
INDET
u
V
REF
V
INDET
= 0 V
7.15
V
CC
升起
T
A
= 25_C
8.1
T
A
= 25_C
50
20
7.4
8.5
9.1
9.1
9.2
8.8
8.8
0.5
9.8
9.3
V
10.4
9.7
86
8
–19
82
28
75
10
200
14
–9
110
V
mA
mA
mA
mA
Regulator_Comp
调节比较
预稳压器驱动Capacility
V
CC
P
预稳压牛逼
L T关闭
阈值电压
软启动
软启动电流输出
软启动完成电压
I
SS
V
SS_COMP
启动条件
正常工作
12
7.35
20
8.05
28
8.85
mA
V
关闭
V
INDET
关闭
V
SD
迟滞
V
SD
V
INDET
升起
V
INDET
350
550
200
720
mV
V
INDET
输入阈值电压
V
INDET
– V
IN
欠压
V
UW
迟滞
V
UV
V
INDET
升起
V
INDET
3.13
3.3
0.3
3.46
V
过温保护
活化温度
去活化温度
T
J
增加
T
J
减少
160
130
_C
转换器电源电流(V
CC
)
关闭
开关禁用
开关W / O负载
用C开关
负载
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
关机,V
INDET
= 0 V
V
INDET
t
V
REF
V
INDET
u
V
REF
, f
= 500千赫
V
CC
= 12 V ,C
DH
= C
DL
= 3 nF的
C
SRH
= C
SRL
= 0.3 nF的
50
4
5
8
10
21
350
12
15
mA
mA
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4
文档编号: 73492
S- 51921 -REV 。 A, 12 - 09月05
Si9122A
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
输出高电压
输出低电压
升压电流
L
X
当前
峰值输出源
峰值输出灌
上升时间
下降时间
范围
-40到85°C
符号
V
OH
V
OL
I
BST
I
LX
I
来源
I
SINK
t
r
t
f
f
= 500千赫,V
IN
= 75 V
V
INDET
= 7.5 V; 10.5 V
v
V
CC
v
13.2 V
b
V
BST
– 0.3
典型值
c
最大
b
单位
输出MOSFET驱动器DH (高边)
采购10毫安
下沉10毫安
V
LX
= 75 V, V
BST
= V
LX
+ V
CC
V
LX
= 75 V, V
BST
= V
LX
+ V
CC
V
CC
= 10.5 V
10 5
C
DH
= 3 nF的
1.3
–1.1
0.75
1.9
–0.7
–1.0
1.0
35
35
ns
V
LX
+ 0.3
2.7
–0.4
–0.75
A
mA
V
输出MOSFET DLDriver (低端)
输出高电压
输出低电压
峰值输出源
峰值输出灌
上升时间
下降时间
V
OH
V
OL
I
来源
I
SINK
t
r
t
f
采购10毫安
下沉10毫安
–1.0
V
CC
= 10.5 V
10 5
C
DL
= 3 nF的
0.75
1.0
35
35
ns
V
CC
– 0.3
0.3
–0.75
A
V
同步整流( SRH , SRL )驱动程序
输出高电压
输出低电压
V
OH
V
OL
t
BBM1
突破前先
先断后时间
f
t
BBM2
t
BBM3
t
BBM4
峰值输出源
峰值输出灌
上升时间
下降时间
I
来源
I
SINK
t
r
t
f
采购10毫安
下沉10毫安
55
T
A
= 25 ° C,R
BBM
= 33千瓦
见图3
25_C
千瓦,
T
A
= 25 ° C R
BBM
= 33千瓦L
X
= 75 V
25_C,R
千瓦,
V
CC
= 10.5 V
10 5
C
SRH
= C
SRL
= 0.3 nF的
03
40
35
55
–100
100
35
35
ns
mA
ns
V
CC
– 0.4
0.4
V
电压模式
误差放大器器
t
d1DH
t
d2DL
输入高侧开关关闭
投入低边开关关闭
t200
t200
ns
电流模式
电流放大器
t
d3DH
t
d4DL
输入高侧开关关闭
投入低边开关关闭
t200
t200
ns
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值( -40_到85_C ) 。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。 F
当V
CL_CONT
在钳位电平。典型的折返频率变化+ 20 % ,超过温度-30 % 。
。测量SRL和SRH输出。
f.
参见图3为先开后合做时间的定义。
克。 V
UVLO
跟踪V
REG1
由一个二极管压降
小时。通过设计和特性保证,未经生产测试。
文档编号: 73492
S- 51921 -REV 。 A, 12 - 09月05
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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联系人:梁小姐
地址:华强广场B座7楼001室
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联系人:李
地址:福田区南光捷佳1727
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