Si9121
Vishay Siliconix公司
高压，非隔离降压 - 升压型转换器
对于ISDN数字话机
特点
D
固定+ 5 V或+ 3.3 V输出
D
综合浮动反馈放大器
D
片70 -V ， 1.5 -W N沟道
MOSFET开关
D
集成高压启动电路，
随着V
CC
调节器
D
D
D
D
D
10-V
to
60-V
输入电压范围
95 kHz的PWM工作模式
集成的软启动和振荡器
高效率在整个负载范围
欠压锁定
D
电流模式控制
D
打嗝模式短路
保护
D
热关断
D
SOIC - 8窄体封装
描述
该Si9121简化了
48-V
+ 5 V或+ 3.3 V转换器
设计用于ISDN的应用程序通过集成的浮动
反馈误差放大器可直接输出电压
调节。这种方法消除了对外部
并联稳压器。该Si9121还集成了一个高压
耗尽型MOSFET ，允许转换器是
直接从高输入总线电压供电，而不
需要一个外部的启动电路。结合简单
磁性设计，由于其非隔离拓扑结构中， Si9121
提供了完整的ISDN电源的单芯片解决方案。
为了减少外部元件数量，该Si9121拥有
一个完全集成的95 -kHz振荡器和软启动电路。
该Si9121可在标准和铅（Pb ） - 免费
SOIC - 8引脚封装，并提供在任一+ 5 V或+ 3.3 V
固定输出选项（ Si9121DY -5或Si9121DY -3,1
分别） 。为了满足严格的环境
在许多应用中的温度要求， Si9121是
额定的工业温度范围
40_C
至85℃ 。
功能框图
GND
V
CC
调节器
V
CC
参考电压发生器
V
OUT
绕行
L
X
控制
V
OUT
+ 5V / 400毫安
or
+ 3.3V / 400毫安
COMP
V
负
C
S
V
负
48
V
文档编号： 71112
S- 40708 -REV 。 C， 19 -APR- 04
www.vishay.com
1
Si9121
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值（参考GND = 0 V所有电压）
V
负
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
63
V
V
CS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
负
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
负
+ 13.2 V
I
LX
（峰值电流） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 [3] A
V
OUT
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 V
绕道， CS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
负
0.3
V到V
CC
+0.3 V
(V
LX
V
CS
）内部功率MOSFET 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70 V
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至150℃
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150_C
功率耗散（包）
a
8引脚SOIC （Y后缀）
b
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.25 W
热阻抗（Q
JA
)
a
8引脚SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100
° C / W
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免10毫瓦/ _C以上25_C 。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
建议的操作范围（参考GND = 0 V所有电压）
V
负
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
10
V到
60
V
V
CC
（内部调节） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
负
+ 8.5 V
V
CC
（外部供电） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
负
+ 9.5 V到V
负
+ 12.0 V
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 V至V
CC
推荐的外部元件（见典型应用电路）
L = 68
mH的，
C
OUT
= 220
mF
// 0.1
MF，
CIN = 33
MF，
C
绕行
= 0.1
MF，
C
VCC
= 1
MF，
R
SENSE
= 0.25
W,
0.5 W
特定网络阳离子
a
（所有的电压都是相对于V
负
除非另有规定编）
测试条件（内部稳压）
除非另有说明
p
参数
+ 5V的转换器
+ 3.3 V转换器
范围
40
至85℃
符号
V
负
=
10
to
60
V
温度
b
满
满
民
c
4.80
3.17
典型值
d
5.00
3.30
最大
c
5.20
3.43
单位
输出电压（相对于GND = 0V）
V
OUT
10毫安<I
负载
< 250毫安
V
线路调整率（相对于GND = 0V）
线路调整
60
V
v
V
负
v
40
V
满
1
%
V
CC
（内部稳压器）
V
CC
偏压
V
CC
满
7.5
8.5
9.5
V
UVLO
欠压锁定
迟滞
V
CC
V
负
DV
开启
满
房间
6.6
7.6
0.6
8.7
V
软启动
误差放大器的启动电流
I
SS
V
OUT
= 0 V
房间
10
mA
振荡器
开关频率
f
OSC
房间
80
95
110
千赫
误差放大器器
跨
钳位电压
gm
V
CL
内部误差放大器
输出钳位电压
房间
房间
10
15
3.5
20
umho
V
电流限制
阈值电压
V
CS
满
0.57
0.67
0.77
V
MOSFET开关
N沟道MOSFET
www.vishay.com
r
DS （ ON）
房间
1.5
2.5
W
2
文档编号： 71112
S- 40708 -REV 。 C， 19 -APR- 04
Si9121
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特定网络阳离子
a
（所有的电压都是相对于V
负
除非另有规定编）
测试条件（内部稳压）
除非另有说明
p
参数
供应
电源电流
（内部Regulater ）
电源电流
（外部V
CC
应用）
V
OUT
电源电流
启动电流
I
GND
I
CC
I
OUT
I
开始
GND到V
负
V
CC
到V
负
+10 V; V
负
>-20 V
V
OUT
到V
负
V
CC
= 0 V
满
满
满
满
1.2
1.5
0.2
5
1.5
2.0
0.3
30
mA
范围
40
至85℃
符号
V
负
=
10
to
60
V
温度
b
民
c
典型值
d
最大
c
单位
热关断
热关断温度
热滞
T
OTP
T
HYS
170
25
_C
效率
效率
400 - mA输出，
400毫安输出V
负
=
48
V
48
+5 V
+3.3 V
房间
房间
77
73
%
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
详细的框图。
4
10
mA
V
CC
GM
+
R2*
+
V
REF
1.25 V
+
+
H
软启动
2
mA
V
负
V
OUT
5
R1*
COMP
3.5 V
GND
6
1.5 V
L
打嗝放电模式
OSC
V
CC
7
0.6 V
LOW SIDE
误差放大器
+
R
S
3
偏置/
参考
电路
OCL
+
0.67 V
Q
+
OTP
8
50 ％以下。
PWM占空比
L
X
V
IN
绕行
1
+
2
V
负
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8.5 V
+
+
CS
0.6 -V迟滞
* R1和R2是用于设置内部电压设定电阻
输出电压为固定的3.3 V或5 V.
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Si9121
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典型特征（内部调节， 25_C除非另有说明）
5.15
5.10
5.05
V
OUT
(V)
5.00
4.95
4.90
4.85
40
V
OUT
(V)
5-V V
OUT
与温度的关系
3.45
3.40
3.35
3.30
3.25
3.20
3.15
40
3.3-V V
OUT
与温度的关系
20
0
20
40
60
80
100
20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
温度（℃）
2.5
r
DS （ ON）
与温度的关系
频率与温度
105
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
2.0
频率（kHz ）
20
0
20
40
60
80
100
100
1.5
95
1.0
90
0.5
40
85
40
20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
温度（℃）
1.4
电源电流与V
负
电源电流（I
GND
)
1.3
25_C
1.2
85_C
40_C
1.1
1.0
60
50
40
30
20
10
V
负
(V)
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Si9121
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典型特征（内部调节， 25_C除非另有说明）
90
80
70
效率（％）
输出负载 - 效率（ Si9121DY - 3 ）
无V
CC
曲折
V
IN
= 10 V
90
80
70
效率（％）
60
50
40
30
20
10
0
输出负载 - 效率（ Si9121DY - 5 ）
无V
CC
曲折
10 V
IN
60
50
40
30
20
10
0
10
100
I
OUT
（MA ）
1000
V
IN
= 48 V
V
IN
= 60 V
48 V
IN
60 V
IN
10
100
I
OUT
（MA ）
1000
90
80
70
输出负载 - 效率（ Si9121DY - 3 ）
随着V
CC
曲折
V
负
=
10
V
90
80
70
输出负载 - 效率（ Si9121DY - 5 ）
随着V
CC
曲折
48 V
IN
10 V
IN
60 V
IN
效率（％）
V
负
=
48
V
效率（％）
60
50
40
30
20
10
0
10
60
50
40
30
20
10
0
V
负
=
60
V
100
I
OUT
（MA ）
1000
10
100
I
OUT
（MA ）
1000
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Si9121
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高压，非隔离降压 - 升压型转换器
对于ISDN数字话机
特点
D
固定+ 5 V或+ 3.3 V输出
D
综合浮动反馈放大器
D
片70 -V ， 1.5 -W N沟道
MOSFET开关
D
集成高压启动电路，
随着V
CC
调节器
D
D
D
D
D
10-V
to
60-V
输入电压范围
95 kHz的PWM工作模式
集成的软启动和振荡器
高效率在整个负载范围
欠压锁定
D
电流模式控制
D
打嗝模式短路
保护
D
热关断
D
SOIC - 8窄体封装
描述
该Si9121简化了
48-V
+ 5 V或+ 3.3 V转换器
设计用于ISDN的应用程序通过集成的浮动
反馈误差放大器可直接输出电压
调节。这种方法消除了对外部
并联稳压器。该Si9121还集成了一个高压
耗尽型MOSFET ，允许转换器是
直接从高输入总线电压供电，而不
需要一个外部的启动电路。结合简单
磁性设计，由于其非隔离拓扑结构中， Si9121
提供了完整的ISDN电源的单芯片解决方案。
为了减少外部元件数量，该Si9121拥有
一个完全集成的95 -kHz振荡器和软启动电路。
该Si9121可在标准和铅（Pb ） - 免费
SOIC - 8引脚封装，并提供在任一+ 5 V或+ 3.3 V
固定输出选项（ Si9121DY -5或Si9121DY -3,1
分别） 。为了满足严格的环境
在许多应用中的温度要求， Si9121是
额定的工业温度范围
40_C
至85℃ 。
功能框图
GND
V
CC
调节器
V
CC
参考电压发生器
V
OUT
绕行
L
X
控制
V
OUT
+ 5V / 400毫安
or
+ 3.3V / 400毫安
COMP
V
负
C
S
V
负
48
V
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Si9121
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绝对最大额定值（参考GND = 0 V所有电压）
V
负
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
63
V
V
CS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
负
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
负
+ 13.2 V
I
LX
（峰值电流） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 [3] A
V
OUT
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 V
绕道， CS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
负
0.3
V到V
CC
+0.3 V
(V
LX
V
CS
）内部功率MOSFET 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70 V
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至150℃
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150_C
功率耗散（包）
a
8引脚SOIC （Y后缀）
b
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.25 W
热阻抗（Q
JA
)
a
8引脚SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100
° C / W
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免10毫瓦/ _C以上25_C 。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
建议的操作范围（参考GND = 0 V所有电压）
V
负
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
10
V到
60
V
V
CC
（内部调节） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
负
+ 8.5 V
V
CC
（外部供电） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
负
+ 9.5 V到V
负
+ 12.0 V
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 V至V
CC
推荐的外部元件（见典型应用电路）
L = 68
mH的，
C
OUT
= 220
mF
// 0.1
MF，
CIN = 33
MF，
C
绕行
= 0.1
MF，
C
VCC
= 1
MF，
R
SENSE
= 0.25
W,
0.5 W
特定网络阳离子
a
（所有的电压都是相对于V
负
除非另有规定编）
测试条件（内部稳压）
除非另有说明
p
参数
+ 5V的转换器
+ 3.3 V转换器
范围
40
至85℃
符号
V
负
=
10
to
60
V
温度
b
满
满
民
c
4.80
3.17
典型值
d
5.00
3.30
最大
c
5.20
3.43
单位
输出电压（相对于GND = 0V）
V
OUT
10毫安<I
负载
< 250毫安
V
线路调整率（相对于GND = 0V）
线路调整
60
V
v
V
负
v
40
V
满
1
%
V
CC
（内部稳压器）
V
CC
偏压
V
CC
满
7.5
8.5
9.5
V
UVLO
欠压锁定
迟滞
V
CC
V
负
DV
开启
满
房间
6.6
7.6
0.6
8.7
V
软启动
误差放大器的启动电流
I
SS
V
OUT
= 0 V
房间
10
mA
振荡器
开关频率
f
OSC
房间
80
95
110
千赫
误差放大器器
跨
钳位电压
gm
V
CL
内部误差放大器
输出钳位电压
房间
房间
10
15
3.5
20
umho
V
电流限制
阈值电压
V
CS
满
0.57
0.67
0.77
V
MOSFET开关
N沟道MOSFET
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r
DS （ ON）
房间
1.5
2.5
W
2
文档编号： 71112
S- 40708 -REV 。 C， 19 -APR- 04
Si9121
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
（所有的电压都是相对于V
负
除非另有规定编）
测试条件（内部稳压）
除非另有说明
p
参数
供应
电源电流
（内部Regulater ）
电源电流
（外部V
CC
应用）
V
OUT
电源电流
启动电流
I
GND
I
CC
I
OUT
I
开始
GND到V
负
V
CC
到V
负
+10 V; V
负
>-20 V
V
OUT
到V
负
V
CC
= 0 V
满
满
满
满
1.2
1.5
0.2
5
1.5
2.0
0.3
30
mA
范围
40
至85℃
符号
V
负
=
10
to
60
V
温度
b
民
c
典型值
d
最大
c
单位
热关断
热关断温度
热滞
T
OTP
T
HYS
170
25
_C
效率
效率
400 - mA输出，
400毫安输出V
负
=
48
V
48
+5 V
+3.3 V
房间
房间
77
73
%
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
详细的框图。
4
10
mA
V
CC
GM
+
R2*
+
V
REF
1.25 V
+
+
H
软启动
2
mA
V
负
V
OUT
5
R1*
COMP
3.5 V
GND
6
1.5 V
L
打嗝放电模式
OSC
V
CC
7
0.6 V
LOW SIDE
误差放大器
+
R
S
3
偏置/
参考
电路
OCL
+
0.67 V
Q
+
OTP
8
50 ％以下。
PWM占空比
L
X
V
IN
绕行
1
+
2
V
负
文档编号： 71112
S- 40708 -REV 。 C， 19 -APR- 04
8.5 V
+
+
CS
0.6 -V迟滞
* R1和R2是用于设置内部电压设定电阻
输出电压为固定的3.3 V或5 V.
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3
Si9121
Vishay Siliconix公司
典型特征（内部调节， 25_C除非另有说明）
5.15
5.10
5.05
V
OUT
(V)
5.00
4.95
4.90
4.85
40
V
OUT
(V)
5-V V
OUT
与温度的关系
3.45
3.40
3.35
3.30
3.25
3.20
3.15
40
3.3-V V
OUT
与温度的关系
20
0
20
40
60
80
100
20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
温度（℃）
2.5
r
DS （ ON）
与温度的关系
频率与温度
105
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
2.0
频率（kHz ）
20
0
20
40
60
80
100
100
1.5
95
1.0
90
0.5
40
85
40
20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
温度（℃）
1.4
电源电流与V
负
电源电流（I
GND
)
1.3
25_C
1.2
85_C
40_C
1.1
1.0
60
50
40
30
20
10
V
负
(V)
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4
文档编号： 71112
S- 40708 -REV 。 C， 19 -APR- 04
Si9121
Vishay Siliconix公司
典型特征（内部调节， 25_C除非另有说明）
90
80
70
效率（％）
输出负载 - 效率（ Si9121DY - 3 ）
无V
CC
曲折
V
IN
= 10 V
90
80
70
效率（％）
60
50
40
30
20
10
0
输出负载 - 效率（ Si9121DY - 5 ）
无V
CC
曲折
10 V
IN
60
50
40
30
20
10
0
10
100
I
OUT
（MA ）
1000
V
IN
= 48 V
V
IN
= 60 V
48 V
IN
60 V
IN
10
100
I
OUT
（MA ）
1000
90
80
70
输出负载 - 效率（ Si9121DY - 3 ）
随着V
CC
曲折
V
负
=
10
V
90
80
70
输出负载 - 效率（ Si9121DY - 5 ）
随着V
CC
曲折
48 V
IN
10 V
IN
60 V
IN
效率（％）
V
负
=
48
V
效率（％）
60
50
40
30
20
10
0
10
60
50
40
30
20
10
0
V
负
=
60
V
100
I
OUT
（MA ）
1000
10
100
I
OUT
（MA ）
1000
文档编号： 71112
S- 40708 -REV 。 C， 19 -APR- 04
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