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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第507页 > SI9118
Si9118 , Si9119
Vishay Siliconix公司
可编程占空比控制器
描述
该Si9118 / Si9119是BIC / DMOS电流模式脉冲
宽度调制(PWM)控制器,用于高频集成电路
DC / DC转换器。单端拓扑(正向和
反激式)可以在频率来实现高达1 MHz 。
该控制器在工作在恒定频率模式
满负荷,并自动切换到跳脉冲模式
在轻负载模式在整个保持高效率
全负载范围内。最大占空比是容易
编程的一个电阻分压器,以获得最佳的控制。
推挽输出驱动器提供高速交换到
外部MOSPOWER装置足够大,以提供50瓦
的输出功率。直通电流的内部上拉电阻
阶段几乎被消除,以最小化静态电源
电流。
推挽输出驱动器提供高速交换到
外部MOSPOWER装置足够大,以提供50瓦
的输出功率。直通电流的内部上拉电阻
阶段几乎被消除,以最小化静态电源
电流。
高电压DMOS晶体管,允许直接操作
从高达200 V.其他特征总线电压包括一个
1.5 %,精确的电压基准, 2.7 MHz带宽错误
放大器,待机模式,软启动,欠压闭锁
电路。
该Si9118 / Si9119提供标准和铅
铅(Pb ) - 免费的软件包。
特点
10至200 V输入范围
电流模式控制
内置启动电路
缓冲区斜率补偿电压
软启动
2.7 MHz的误差放大器
500毫安输出驱动电流
轻载频率折返
低静态电流
可编程最大占空比,以80 %为
默认
功能框图
极限
CS
5
错误
扩音器
4
+
6
10
11
2
SYNC ( Si9119 )
12
最大
13
9
1.0 - 2.0
V
+ –
+
PWM
R
OSC
C
OSC
OSC
8
NI
3
V
REF
REF
4.6
V
23A
100毫伏
脉冲跳跃
+
EN
I
最大
600毫伏
–V
IN
+
基板
R
Q
S
14
-V
IN
15
DR
SS / EN
7
V
CC
16
+V
IN
1
+
+
8.6 V
+
9.3
V
(V
REG
)
欠压
封锁
文档编号: 70815
S11-0975 -REV 。 E, 16日, 11
www.vishay.com
1
本文如有更改,恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明,所阐述
www.vishay.com/doc?91000
Si9118 , Si9119
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
参考电压V
CC
到V
IN
+V
IN
(注: V
CC
& LT ; + V
IN
+ 0.3 V)
逻辑输入( SYNC )
线性输入( FB ,我
CS
, I
极限
, SS / EN )
HV预稳压器输入电流(连续)
储存温度
工作温度
D
最大
结温(T
J
)
功率耗散(包)
a
16引脚SOIC (Y后缀)
b
热阻抗( θ
JA
)
16引脚SOIC
注意事项:
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免7.2毫瓦/°C, 25°C以上。
*
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。强调以上绝对最大额定值
可能会造成永久性的损害。在比规定的工作条件其他条件功能操作不暗示。只有一个
绝对最大额定值应在任一时刻被应用。
符号
极限
18
200
- 0.3 V
cc
+ 0.3
- 0.3 V
cc
+ 0.3
5
- 65 150
- 40-85
3.2
150
900
140
°C
V
°C
mW
° C / W
mA
V
单位
推荐工作范围
参数
参考电压V
cc
到V
IN
+V
IN
f
OSC
R
OSC
C
OSC
线性输入
数字输入
极限
10至16.5
10至200
40千赫至1 MHz
56 k 1 M
47至200
0到V
cc
- 4
0到V
cc
pF
V
V
V
单位
特定网络阳离子
测试条件
除非另有说明
- V
IN
= 0 V, V
CC
= 10 V
范围
后缀 - 40 85°C
温度。
a
分钟。
典型值。
b
马克斯。
单位
参数
参考
符号
OSC残疾人,T
A
= 25 °C
输出电压
V
REF
I
SREF
V
R
/I
R
OSC禁用,过电压和
温度范围
c
短路电流
负载调整率
V
REF
= -V
IN
I
REF
= 0 - 1毫安
房间
3.94
3.88
4.0
4.0
- 30
10
4.06
V
4.12
-5
40
mA
mV
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2
文档编号: 70815
S11-0975 -REV 。 E, 16日, 11
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Si9118 , Si9119
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
测试条件
除非另有说明
- V
IN
= 0 V, V
CC
= 10 V
范围
后缀 - 40 85°C
温度。
a
分钟。
典型值。
b
马克斯。
单位
参数
振荡器
初始精度
d
电压稳定
c
温度COEF网络cient
c
高同步脉冲宽度( Si9119 )
同步低电平脉冲宽度( Si9119 )
同步上升/下降时间( Si9119 )
同步逻辑低电平( Si9119 )
同步逻辑高电平( Si9119 )
SYNC范围
c
(Si9119)
PWM / PSM
PWM / PSM逻辑高
PWM / PSM逻辑低
D
最大
准确性
误差放大器( OSC已禁用)
输入偏置电流
输入失调电压
开环电压增益
c
单位增益带宽
c
输出电流
电源抑制
预调节器/启动
输入电压
c
输入漏电流
预稳压器的启动电流
V
CC
预稳压器导通关
阈值电压
欠压锁定
V
REG
- V
UVLO
供应
电源电流
符号
f
OSC
f
口腔鳞状细胞癌
f/f
OSC TC
R
OSC
= 374 k
OSC
= 200 pF的
R
OSC
= 70 k
OSC
= 200 pF的
R
OSC
= 70 k
OSC
= 200 pF的
f/f
= [F ( 16.5 V ) - F( 9.5 V)] / F( 9.5 V)
- 40
T
A
85
° C,F
OSC
= 100千赫
90
450
100
500
1
200
110
千赫
550
2
500
%
PPM /°C的
200
200
200
V
IL
V
IH
f
EXT
4
1.05 X F
OSC
千赫
0.8
V
ns
V
IH
V
IL
4
V
0.8
f
OSC
= 100千赫和1%电阻
± 10
%
I
FB
V
OS2
A
VOL
BW
I
OUT
PSRR
V
FB
= 5 V , NI = V
REF
& LT ; 1.0
±5
65
1.8
80
2.7
- 2.7
± 200
± 25
nA
mV
dB
兆赫
mA
源(V
FB
= 3.5 V , NI = V
REF
)
水槽(V
FB
= 4.5 V , NI = V
REF
)
10 V
V
CC
16.5 V
- 1.0
1.0
50
2.4
80
dB
+V
IN
+I
IN
I
开始
V
REG
V
UVLO
V
DELTA
I
IN
= 10
A
V
CC
10
V
脉冲宽度
300
s,
V
CC
= V
ULVO
I
预稳压器
= 15
A
房间
房间
房间
房间
房间
房间
200
10
8
8.7
8.0
0.3
15
9.3
8.6
0.7
9.8
9.3
V
A
mA
V
I
CC
C
负载
50
pF的,女
OSC
= 100千赫
1.9
3.0
mA
文档编号: 70815
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特定网络阳离子
测试条件
除非另有说明
- V
IN
= 0 V, V
CC
= 10 V
范围
后缀 - 40 85°C
温度。
a
分钟。
典型值。
b
马克斯。
单位
参数
保护
电流限制Treshold电压
限流延迟到输出
c
软启动电流
输出电压抑制
脉冲跳过阈值
电压
MOSFET驱动器
输出高电压
输出低电压
输出电阻
c
上升时间
c
下降时间
c
符号
V
我(限)
t
d
I
SS
V
SS (OFF)的
V
PS
V
FB
= 0 , NI = V
REF
V
SENSE
0.85 V,见图1
0.5
0.6
77
0.7
100
- 30
V
ns
A
V
- 12
软启动电压禁用驱动器输出
0.5
80
- 23
1.26
100
120
mV
V
OH
V
OL
R
OUT
t
r
t
r
I
OUT
= - 10毫安
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 10 mA时,信号源或接收器
C
L
= 500 pF的
房间
房间
房间
房间
房间
V
CC
- 0.3
V
CC
- 0.5
0.3
0.5
30
50
75
V
20
25
40
40
ns
75
注意事项:
一。房间= 25 ° C,完全=由操作温度决定的后缀。
B 。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证,不受生产测试。
D.
杂散
5 pF的基于C
OSC
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
时序波形
t
r
0.85
当前
SENSE
50
%
0
t
d
产量
V
CC
10纳秒
90
%
0
图1 。
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典型特征
(T
A
= 25 ° C,除非另有说明)
2 x 1000
47 pF的
O
u
tp
u
吨上升和下降时间(纳秒)
100 pF的
150 pF的
200 pF的
F OUT (千赫)
200
t
r
对于C
L
= 2500 pF的
150
t
f
对于C
L
= 2500 pF的
100
t
r
对于C
L
= 1000 pF的
t
f
对于C
L
= 1000 pF的
t
r
10
%
90
%
t
f
90
%
10
%
0
2 x 100
注意:
这些曲线
IN A
董事会
3.5皮法
外寄生虫
电容。
2 x 10
10
100
r
OSC
- 振荡电阻( K)
1000
50
9
10
11
12
13
14
15
V
CC
- 供应
电压
(V)
16
17
振荡器频率
36
32
28
I CC - S
u
pply
u
rrent (毫安)
24
C
L
= 2500 pF的
20
16
12
8
C
L
= 0 pF的
4
0
0
200
400
600
800
f
OUT
- 输出频率(kHz )
1000
0
9
C
L
= 1000 pF的
I CC - S
u
pply
u
rrent (毫安)
9
V
CC
= 12
V
C
OSC
= 47 pF的
输出驱动器上升和下降时间
12
R
OSC
= 127 k
C
OSC
= 47 pF的
FS = 500千赫
C
L
= 1000 pF的
6
3
C
L
= 0 pF的
10
11
12
13
14
15
V
CC
- 供应
电压
(V)
16
17
电源电流与输出频率
1.05
R
OSC
= 56 k
C
OSC
= 100 pF的
1.00
S
w
瘙痒FRE
qu
ency (兆赫)
电源电流与电源电压
0.95
0.90
0.85
8
9
10
11
12
13
14
15
V
CC
- 供应
电压
(V)
16
17
开关频率与电源电压
文档编号: 70815
S11-0975 -REV 。 E, 16日, 11
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本文如有更改,恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明,所阐述
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Si9118/Si9119
新产品
Vishay Siliconix公司
可编程占空比控制器
特点
D
D
D
D
10至200 V输入范围
电流模式控制
内部的启动电路
缓冲斜坡补偿电压
D
D
D
D
软启动
2.7 MHz的误差放大器
500 mA输出驱动电流
轻载频率折返
D
低静态电流
D
可编程
最大占空比,
有80 %为默认值
描述
该Si9118 / Si9119是BIC / DMOS电流模式脉冲宽度
用于高频的直流/直流调制(PWM)控制器IC
转换器。单端拓扑结构(正向和逆向)可以
可以在频率实现高达1 MHz 。该控制器
在满负载时工作在固定频率模式,
自动切换在轻负载脉冲跳跃模式
以维持整个负载范围内的高效率。该
最大占空比很容易用电阻编程
分频器的最优控制。
推挽输出驱动器提供高速交换到
外部MOSPOWER装置足够大,以提供50瓦
的输出功率。直通电流的内部上拉电阻
阶段几乎被消除,以最小化静态电源
电流。
高电压DMOS晶体管,允许直接操作
从高达200 V.其他特征总线电压包括1.5%的
精确的参考电压, 2.7 MHz带宽错误
放大器,待机模式,软启动,欠压闭锁
电路。
该Si9118 / Si9119采用16引脚SOIC封装
并规定在工业,D后缀( -40_C到85_C )
温度范围。
功能框图
V
SC
(Si9118)
SYNC ( Si9119 )
12
FB
5
错误
扩音器
4
+
COMP
6
I
极限
10
I
CS
PWM / PSM
11
2
D
最大
13
9
1.0 – 2.0 V
+ –
+
PWM
R
OSC
C
OSC
OSC
8
NI
3
V
REF
REF
4.6 V
23
mA
100毫伏
脉冲跳跃
+
EN
I
最大
600毫伏
–V
IN
+
基板
R
Q
S
14
–V
IN
15
DR
SS / EN
7
V
CC
16
+V
IN
1
+
+
8.6 V
+
9.3 V (V
REG
)
欠压
封锁
文档编号: 70815
S- 60752 -REV 。 B, 04月05日 - 99
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S
FaxBack
408-970-5600
1
Si9118/Si9119
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考-V
IN
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 V
+V
IN
(注: V
CC
< + V
IN
+ 0.3 V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200 V
逻辑输入( SYNC ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
CC
+ 0.3 V
线性输入
( FB ,我
CS
, I
极限
, SS / EN) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
CC
+ 0.3 V
HV预稳压器的输入电流(连续) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40至+85 C
D
最大
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2 V
结温(T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
功率耗散(包)
a
16引脚SOIC (Y后缀)
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
热阻抗(Q
JA
)
16引脚SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140_C / W
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免7.2毫瓦/ _C以上25_C 。
新产品
* 。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。强调上述绝对最大额定值可能会造成永久性的
损害。在比规定的工作条件其他条件功能操作不暗示。只有一个绝对最大额定值应在任何应用
一度。
推荐工作范围
电压参考-V
IN
V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 V至16.5 V
+V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 V至200 V
f
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40千赫至1 MHz
R
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 56千瓦至1兆瓦
C
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 47 pF到200 pF的
线性输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
– 4 V
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
特定网络阳离子
测试条件
除非指定
参数
参考
OSC残疾人,T
A
= 25_C
吨吨V LT
输出电压
短路电流
负载调整率
V
REF
I
SREF
DV
R
/ DI
R
OSC禁用,过电压和温
PERATURE值域
c
V
REF
= –V
IN
I
REF
= 0 -1毫安
房间
3.94
3.88
4.0
4.0
–30
10
4.06
4.12
–5
40
V
mA
mV
范围
后缀-40至+85 C
符号
振荡器已禁用
生病吨迪BL
–V
IN
= 0 V, V
CC
= 10 V
温度
a
典型值
b
最大
单位
振荡器
初始精度
d
电压稳定
c
温度COEF网络cient
c
高同步脉冲宽度( Si9119 )
同步低电平脉冲宽度( Si9119 )
同步上升/下降时间( Si9119 )
同步逻辑低电平( Si9119 )
同步逻辑高电平( Si9119 )
SYNC范围
c
(Si9119)
V
IL
V
IH
f
EXT
4
1.05 X F
OSC
f
OSC
f
OSC
DF /女
OSC TC
c
R
OSC
= 374千瓦,C
OSC
= 200 pF的
R
OSC
= 70千瓦,C
OSC
= 200 pF的
R
OSC
= 70千瓦,C
OSC
= 200 pF的
DF /女
= [F ( 16.5 V ) - F( 9.5 V)] / F( 9.5 V)
–40
v
T
A
v
85_C ,女
OSC
= 100千赫
90
450
100
500
1
200
110
550
2
500
千赫
%
PPM /°C的
200
200
200
0.8
V
千赫
ns
PWM / PSM
PWM / PSM逻辑高
PWM / PSM逻辑低
V
IH
V
IL
4
0.8
V
D
最大
准确性
www.Vishay Siliconix.com
S
FaxBack 408-970-5600
f
OSC
= 100千赫和1%电阻
"10
%
2
文档编号: 70815
S- 60752 -REV 。 B, 04月05日 - 99
Si9118/Si9119
新产品
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
测试条件
除非指定
参数
误差放大器( OSC已禁用)
输入偏置电流
输入失调电压
开环
电压增益
c
单位增益带宽
c
输出电流
电源抑制
I
FB
V
OS2
A
VOL
BW
I
OUT
PSRR
源(V
FB
= 3.5 V , NI = V
REF
)
水槽(V
FB
= 4.5 V , NI = V
REF
)
10 V
v
V
CC
v
16.5 V
65
1.8
–1.0
1.0
50
V
FB
= 5 V , NI = V
REF
t1.0
"5
80
2.7
–2.7
2.4
80
"200
"25
nA
mV
dB
兆赫
mA
dB
范围
后缀-40至+85 C
符号
生病吨迪BL
振荡器已禁用
–V
IN
= 0 V, V
CC
= 10 V
温度
a
典型值
b
最大
单位
预调节器/启动
输入电压
c
输入漏电流
预稳压器
启动电流
V
CC
预稳压器导通关
阈值电压
欠压锁定
V
REG
–V
UVLO
+V
IN
+I
IN
I
开始
V
REG
V
UVLO
V
DELTA
I
IN
= 10
mA
V
CC
w
10 V
脉冲宽度
v
300
ms
V
CC
= V
ULVO
I
预稳压器
= 15
mA
房间
房间
房间
房间
房间
房间
8
8.7
8.0
0.3
15
9.3
8.6
0.7
9.8
9.3
V
200
10
V
mA
mA
供应
电源电流
I
CC
C
负载
v
50 pF的,女
OSC
= 100千赫
1.9
2.5
mA
保护
电流限制门限电压
限流延迟到输出
c
软启动电流
输出电压抑制
脉冲跳跃阈值电压
V
我(限)
t
d
I
SS
V
SS (OFF)的
V
PS
软启动电压禁用驱动器输出
V
FB
= 0 V , NI = V
REF
V
SENSE
= 0.85 V,见图1
–12
0.5
80
0.5
0.6
77
–23
1.26
100
120
0.7
100
–30
V
ns
mA
V
mV
MOSFET驱动器
输出高电压
输出低电压
输出电阻
c
上升时间
c
秋天
时间
c
V
OH
V
OL
R
OUT
t
r
t
f
I
OUT
= -10毫安
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 10 mA时,信号源或接收器
C
L
= 500 pF的
房间
房间
房间
房间
房间
20
25
40
40
V
CC
– 0.3
V
CC
– 0.5
0.3
0.5
30
50
75
75
V
W
ns
笔记
一。房间= 25_C ,全部=由操作温度决定的后缀。
B 。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证,不受生产测试。
D.
杂散
v
5 pF的基于C
OSC
.
文档编号: 70815
S- 60752 -REV 。 B, 04月05日 - 99
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408-970-5600
3
Si9118/Si9119
Vishay Siliconix公司
新产品
MOSFET
输出驱动器上升和下降时间
200
47 pF的
输出上升时间和下降时间(纳秒)
100 pF的
150 pF的
200 pF的
F OUT (千赫)
t
r
对于C
L
= 2500 pF的
150
典型特征( 25_C除非另有说明)
振荡器频率
2 x 1000
t
f
对于C
L
= 2500 pF的
100
t
r
对于C
L
= 1000 pF的
t
f
对于C
L
= 1000 pF的
t
r
10 %至90%
t
f
90 %至10%
0
2 x 100
注意:测量这些曲线
与3.5 pF的一板
外寄生虫
电容。
2 x 10
10
100
r
OSC
- 振荡电阻(千瓦)
1000
50
9
10
11
12
13
14
15
V
CC
- 电源电压( V)
16
17
电源电流与输出频率
36
32
28
I CC - 电源电流(mA )
I CC - 电源电流(mA )
24
C
L
= 2500 pF的
20
16
12
8
C
L
= 0 pF的
4
0
0
200
400
600
800
f
OUT
- 输出频率(kHz )
1000
0
C
L
= 1000 pF的
V
CC
= 12 V
C
OSC
= 47 pF的
9
12
电源电流与电源电压
R
OSC
= 127千瓦
C
OSC
= 47 pF的
FS = 500千赫
C
L
= 1000 pF的
6
3
C
L
= 0 pF的
9
10
11
12
13
14
15
V
CC
- 电源电压( V)
16
17
开关频率与电源电压
1.05
R
OSC
= 56千瓦
C
OSC
= 100 pF的
1.00
开关频率(MHz)
0.95
0.90
0.85
8
9
10
11
12
13
14
15
V
CC
- 电源电压( V)
16
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Si9118/Si9119
新产品
时序波形
t
r
v
10纳秒
0.85
当前
SENSE
50%
0
t
d
产量
V
CC
Vishay Siliconix公司
90%
0
图1 。
销刀豆网络gurations
+V
IN
PWM / PSM
V
REF
NI
FB
COMP
SS / EN
C
OSC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
V
CC
DR
–V
IN
D
最大
V
SC
I
CS
I
极限
R
OSC
COMP
+V
IN
PWM / PSM
V
REF
NI
FB
1
2
3
4
5
6
16
15
14
V
CC
DR
–V
IN
D
最大
SYNC
I
CS
I
极限
R
OSC
订单号
SOIC : Si9118DY
Si9119DY
SOIC
Si9118DY
顶视图
13
12
11
10
9
SOIC
Si9119DY
顶视图
13
12
11
10
9
SS / EN
C
OSC
7
8
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
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符号
+V
IN
PWM / PSM
V
REF
NI
FB
COMP
SS / EN
C
OSC
R
OSC
I
极限
I
CS
SYNC或V
SC
D
最大
–V
IN
D
R
V
CC
输入总线的电压范围从10V到200V。
描述
连接到V
REF
强制转换成PWM模式。连接到-V
IN
强制转换成PSM模式。
4 -V参考电压。去耦用0.1 μF的陶瓷电容器。
非反相误差放大器的输入端。
反相误差放大器的输入端。
误差放大器的输出进行外部补偿网络。
可编程软启动与外部电容或外部控制禁用模式。
外部电容器来确定开关频率。
外部电阻器来确定开关频率。
脉冲通过脉冲峰值电流限制销。当电流检测电压超过电流极限阈值,栅极
驱动信号被终止。我
极限
也用于感测脉冲跳跃模式中的电流。
电流检测输入来控制反馈响应。
Si9118 :斜率补偿引脚。 Si9119 :时钟同步引脚。逻辑高电平由外部信号低电平的跳变
同步的内部时钟频率。
设置最大占空比。在内部,最大占空比被钳位到80%。
单点接地。
栅极驱动外部MOSFET开关。
启动转换后的电源电压为IC 。
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Si9118/Si9119
新产品
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可编程占空比控制器
特点
D
D
D
D
10至200 V输入范围
电流模式控制
内部的启动电路
缓冲斜坡补偿电压
D
D
D
D
软启动
2.7 MHz的误差放大器
500 mA输出驱动电流
轻载频率折返
D
低静态电流
D
可编程
最大占空比,
有80 %为默认值
描述
该Si9118 / Si9119是BIC / DMOS电流模式脉冲宽度
用于高频的直流/直流调制(PWM)控制器IC
转换器。单端拓扑结构(正向和逆向)可以
可以在频率实现高达1 MHz 。该控制器
在满负载时工作在固定频率模式,
自动切换在轻负载脉冲跳跃模式
以维持整个负载范围内的高效率。该
最大占空比很容易用电阻编程
分频器的最优控制。
推挽输出驱动器提供高速交换到
外部MOSPOWER装置足够大,以提供50瓦
的输出功率。直通电流的内部上拉电阻
阶段几乎被消除,以最小化静态电源
电流。
高电压DMOS晶体管,允许直接操作
从高达200 V.其他特征总线电压包括1.5%的
精确的参考电压, 2.7 MHz带宽错误
放大器,待机模式,软启动,欠压闭锁
电路。
该Si9118 / Si9119采用16引脚SOIC封装
并规定在工业,D后缀( -40_C到85_C )
温度范围。
功能框图
V
SC
(Si9118)
SYNC ( Si9119 )
12
FB
5
错误
扩音器
4
+
COMP
6
I
极限
10
I
CS
PWM / PSM
11
2
D
最大
13
9
1.0 – 2.0 V
+ –
+
PWM
R
OSC
C
OSC
OSC
8
NI
3
V
REF
REF
4.6 V
23
mA
100毫伏
脉冲跳跃
+
EN
I
最大
600毫伏
–V
IN
+
基板
R
Q
S
14
–V
IN
15
DR
SS / EN
7
V
CC
16
+V
IN
1
+
+
8.6 V
+
9.3 V (V
REG
)
欠压
封锁
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Si9118/Si9119
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绝对最大额定值
电压参考-V
IN
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 V
+V
IN
(注: V
CC
< + V
IN
+ 0.3 V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200 V
逻辑输入( SYNC ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
CC
+ 0.3 V
线性输入
( FB ,我
CS
, I
极限
, SS / EN) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
CC
+ 0.3 V
HV预稳压器的输入电流(连续) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40至+85 C
D
最大
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2 V
结温(T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
功率耗散(包)
a
16引脚SOIC (Y后缀)
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
热阻抗(Q
JA
)
16引脚SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140_C / W
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免7.2毫瓦/ _C以上25_C 。
新产品
* 。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。强调上述绝对最大额定值可能会造成永久性的
损害。在比规定的工作条件其他条件功能操作不暗示。只有一个绝对最大额定值应在任何应用
一度。
推荐工作范围
电压参考-V
IN
V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 V至16.5 V
+V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 V至200 V
f
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40千赫至1 MHz
R
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 56千瓦至1兆瓦
C
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 47 pF到200 pF的
线性输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
– 4 V
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
特定网络阳离子
测试条件
除非指定
参数
参考
OSC残疾人,T
A
= 25_C
吨吨V LT
输出电压
短路电流
负载调整率
V
REF
I
SREF
DV
R
/ DI
R
OSC禁用,过电压和温
PERATURE值域
c
V
REF
= –V
IN
I
REF
= 0 -1毫安
房间
3.94
3.88
4.0
4.0
–30
10
4.06
4.12
–5
40
V
mA
mV
范围
后缀-40至+85 C
符号
振荡器已禁用
生病吨迪BL
–V
IN
= 0 V, V
CC
= 10 V
温度
a
典型值
b
最大
单位
振荡器
初始精度
d
电压稳定
c
温度COEF网络cient
c
高同步脉冲宽度( Si9119 )
同步低电平脉冲宽度( Si9119 )
同步上升/下降时间( Si9119 )
同步逻辑低电平( Si9119 )
同步逻辑高电平( Si9119 )
SYNC范围
c
(Si9119)
V
IL
V
IH
f
EXT
4
1.05 X F
OSC
f
OSC
f
OSC
DF /女
OSC TC
c
R
OSC
= 374千瓦,C
OSC
= 200 pF的
R
OSC
= 70千瓦,C
OSC
= 200 pF的
R
OSC
= 70千瓦,C
OSC
= 200 pF的
DF /女
= [F ( 16.5 V ) - F( 9.5 V)] / F( 9.5 V)
–40
v
T
A
v
85_C ,女
OSC
= 100千赫
90
450
100
500
1
200
110
550
2
500
千赫
%
PPM /°C的
200
200
200
0.8
V
千赫
ns
PWM / PSM
PWM / PSM逻辑高
PWM / PSM逻辑低
V
IH
V
IL
4
0.8
V
D
最大
准确性
www.Vishay Siliconix.com
S
FaxBack 408-970-5600
f
OSC
= 100千赫和1%电阻
"10
%
2
文档编号: 70815
S- 60752 -REV 。 B, 04月05日 - 99
Si9118/Si9119
新产品
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
测试条件
除非指定
参数
误差放大器( OSC已禁用)
输入偏置电流
输入失调电压
开环
电压增益
c
单位增益带宽
c
输出电流
电源抑制
I
FB
V
OS2
A
VOL
BW
I
OUT
PSRR
源(V
FB
= 3.5 V , NI = V
REF
)
水槽(V
FB
= 4.5 V , NI = V
REF
)
10 V
v
V
CC
v
16.5 V
65
1.8
–1.0
1.0
50
V
FB
= 5 V , NI = V
REF
t1.0
"5
80
2.7
–2.7
2.4
80
"200
"25
nA
mV
dB
兆赫
mA
dB
范围
后缀-40至+85 C
符号
生病吨迪BL
振荡器已禁用
–V
IN
= 0 V, V
CC
= 10 V
温度
a
典型值
b
最大
单位
预调节器/启动
输入电压
c
输入漏电流
预稳压器
启动电流
V
CC
预稳压器导通关
阈值电压
欠压锁定
V
REG
–V
UVLO
+V
IN
+I
IN
I
开始
V
REG
V
UVLO
V
DELTA
I
IN
= 10
mA
V
CC
w
10 V
脉冲宽度
v
300
ms
V
CC
= V
ULVO
I
预稳压器
= 15
mA
房间
房间
房间
房间
房间
房间
8
8.7
8.0
0.3
15
9.3
8.6
0.7
9.8
9.3
V
200
10
V
mA
mA
供应
电源电流
I
CC
C
负载
v
50 pF的,女
OSC
= 100千赫
1.9
2.5
mA
保护
电流限制门限电压
限流延迟到输出
c
软启动电流
输出电压抑制
脉冲跳跃阈值电压
V
我(限)
t
d
I
SS
V
SS (OFF)的
V
PS
软启动电压禁用驱动器输出
V
FB
= 0 V , NI = V
REF
V
SENSE
= 0.85 V,见图1
–12
0.5
80
0.5
0.6
77
–23
1.26
100
120
0.7
100
–30
V
ns
mA
V
mV
MOSFET驱动器
输出高电压
输出低电压
输出电阻
c
上升时间
c
秋天
时间
c
V
OH
V
OL
R
OUT
t
r
t
f
I
OUT
= -10毫安
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 10 mA时,信号源或接收器
C
L
= 500 pF的
房间
房间
房间
房间
房间
20
25
40
40
V
CC
– 0.3
V
CC
– 0.5
0.3
0.5
30
50
75
75
V
W
ns
笔记
一。房间= 25_C ,全部=由操作温度决定的后缀。
B 。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证,不受生产测试。
D.
杂散
v
5 pF的基于C
OSC
.
文档编号: 70815
S- 60752 -REV 。 B, 04月05日 - 99
www.Vishay Siliconix.com
S
FaxBack
408-970-5600
3
Si9118/Si9119
Vishay Siliconix公司
新产品
MOSFET
输出驱动器上升和下降时间
200
47 pF的
输出上升时间和下降时间(纳秒)
100 pF的
150 pF的
200 pF的
F OUT (千赫)
t
r
对于C
L
= 2500 pF的
150
典型特征( 25_C除非另有说明)
振荡器频率
2 x 1000
t
f
对于C
L
= 2500 pF的
100
t
r
对于C
L
= 1000 pF的
t
f
对于C
L
= 1000 pF的
t
r
10 %至90%
t
f
90 %至10%
0
2 x 100
注意:测量这些曲线
与3.5 pF的一板
外寄生虫
电容。
2 x 10
10
100
r
OSC
- 振荡电阻(千瓦)
1000
50
9
10
11
12
13
14
15
V
CC
- 电源电压( V)
16
17
电源电流与输出频率
36
32
28
I CC - 电源电流(mA )
I CC - 电源电流(mA )
24
C
L
= 2500 pF的
20
16
12
8
C
L
= 0 pF的
4
0
0
200
400
600
800
f
OUT
- 输出频率(kHz )
1000
0
C
L
= 1000 pF的
V
CC
= 12 V
C
OSC
= 47 pF的
9
12
电源电流与电源电压
R
OSC
= 127千瓦
C
OSC
= 47 pF的
FS = 500千赫
C
L
= 1000 pF的
6
3
C
L
= 0 pF的
9
10
11
12
13
14
15
V
CC
- 电源电压( V)
16
17
开关频率与电源电压
1.05
R
OSC
= 56千瓦
C
OSC
= 100 pF的
1.00
开关频率(MHz)
0.95
0.90
0.85
8
9
10
11
12
13
14
15
V
CC
- 电源电压( V)
16
17
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4
文档编号: 70815
S- 60752 -REV 。 B, 04月05日 - 99
Si9118/Si9119
新产品
时序波形
t
r
v
10纳秒
0.85
当前
SENSE
50%
0
t
d
产量
V
CC
Vishay Siliconix公司
90%
0
图1 。
销刀豆网络gurations
+V
IN
PWM / PSM
V
REF
NI
FB
COMP
SS / EN
C
OSC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
V
CC
DR
–V
IN
D
最大
V
SC
I
CS
I
极限
R
OSC
COMP
+V
IN
PWM / PSM
V
REF
NI
FB
1
2
3
4
5
6
16
15
14
V
CC
DR
–V
IN
D
最大
SYNC
I
CS
I
极限
R
OSC
订单号
SOIC : Si9118DY
Si9119DY
SOIC
Si9118DY
顶视图
13
12
11
10
9
SOIC
Si9119DY
顶视图
13
12
11
10
9
SS / EN
C
OSC
7
8
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
文档编号: 70815
S- 60752 -REV 。 B, 04月05日 - 99
符号
+V
IN
PWM / PSM
V
REF
NI
FB
COMP
SS / EN
C
OSC
R
OSC
I
极限
I
CS
SYNC或V
SC
D
最大
–V
IN
D
R
V
CC
输入总线的电压范围从10V到200V。
描述
连接到V
REF
强制转换成PWM模式。连接到-V
IN
强制转换成PSM模式。
4 -V参考电压。去耦用0.1 μF的陶瓷电容器。
非反相误差放大器的输入端。
反相误差放大器的输入端。
误差放大器的输出进行外部补偿网络。
可编程软启动与外部电容或外部控制禁用模式。
外部电容器来确定开关频率。
外部电阻器来确定开关频率。
脉冲通过脉冲峰值电流限制销。当电流检测电压超过电流极限阈值,栅极
驱动信号被终止。我
极限
也用于感测脉冲跳跃模式中的电流。
电流检测输入来控制反馈响应。
Si9118 :斜率补偿引脚。 Si9119 :时钟同步引脚。逻辑高电平由外部信号低电平的跳变
同步的内部时钟频率。
设置最大占空比。在内部,最大占空比被钳位到80%。
单点接地。
栅极驱动外部MOSFET开关。
启动转换后的电源电压为IC 。
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人:刘先生
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