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Si9112
Vishay Siliconix公司
高压开关模式控制器
特点
D
9至80 V输入范围
D
电流模式控制
D
高速,源库输出驱动
D
高效率的操作( > 80%)
D
内部的启动电路
D
内部振荡器( 1兆赫)
D
关机和重设
描述
该Si9112是一款专为使用BIC / DMOS集成电路
在高效率开关模式电源转换器。一
高电压DMOS输入允许该控制器工作在一个
宽范围的输入电压( 9-至80伏直流) 。电流模式
PWM控制电路中的CMOS实现的,以减少
内部功耗小于10毫瓦。
CMOS输出驱动器提供了高速开关
MOSPOWER装置足够大,以提供50的输出W的
力。当与输出MOSFET的组合和
变压器中, Si9112可用于实现
单端电源转换器拓扑结构(例如,反激式,
前进, CUK ) 。
该Si9112可在标准和铅(Pb ) - 免费
被指定为14引脚塑料DIP和SOIC封装
工作在工业温度范围
40
_C
to
85
_C.
功能框图
OSC
IN
8
OSC
OUT
7
FB
14
COMP
13
放电
9
错误
扩音器
10
+
4 V (2%)
REF
2V
+
+
1
当前
来源
To
国内
电路
1.2 V
C / L
比较
电流模式
比较
OSC
时钟(
1
/
2
f
OSC
)
V
REF
To
V
CC
4
R
Q
S
5
产量
V
IN
BIAS
3
V
CC
V
CC
6
SENSE
+V
IN
2
8.1 V
+
8.7 V
+
欠压比较器
Q
S
R
11
12
关闭
RESET
预调节器/启动
应用程序的信息,请参阅AN703 。
sDocument号码: 70005
S- 42036 -REV 。 H, 15月, 04
www.vishay.com
1
Si9112
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考
V
IN
(V
CC
< + V
IN
+ 0.3 V)
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V
+V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80 V
逻辑输入
(复位,关机, OSC IN) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
线性输入(反馈, SENSE ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
HV预稳压器的输入电流(连续) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25毫安
(功耗有限公司)
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至150℃
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40
至85℃
结温(T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
功率耗散(包)一个
14引脚塑料DIP (J后缀)
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 750毫瓦
14引脚SOIC (Y后缀)
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
热阻抗(Q
JA
)
14引脚塑料DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 167_C / W
14引脚SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140_C / W
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免6毫瓦/ _C以上25_C 。
。减免7.2毫瓦/ _C以上25_C 。
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作范围
电压参考
V
IN
V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9 V至13.5 V
+V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9 V至80 V
f
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40千赫至1 MHz
R
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25千瓦至1兆瓦
线性输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
3 V
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
排放量=
V
IN
= 0 V
V
CC
= 9 V, +V
IN
= 12 V
R
BIAS
= 270千瓦,R
OSC
= 330千瓦
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
R
L
= 10毫瓦
V
REF
=
V
IN
范围
后缀
40
至85℃
参数
参考
输出电压
输出阻抗
e
短路电流
温度稳定性
e
符号
温度
b
房间
e
房间
房间
d
3.88
3.82
15
70
典型值
c
4.0
30
100
0.5
最大
e
4.12
4.14
45
130
1.0
单位
V
R
Z
OUT
I
SREF
T
REF
V
kW
mA
毫伏/°C的
振荡器
最大频率
e
初始精度
电压稳定
温度COEF网络cient
e
f
最大
f
OSC
DF /女
T
OSC
R
OSC
= 0
R
OSC
= 330 K,见备注:F
R
OSC
= 150 K,见备注:F
DF /女
= F ( 13.5 V)
F( 9.5 V) /女(9.5 V)的
房间
房间
房间
房间
1
80
160
3
100
200
9
200
120
240
15
500
兆赫
千赫
%
PPM /°C的
误差放大器器
反馈输入电压
输入失调电压
输入偏置电流
开环电压增益
e
单位增益带宽
e
动态输出阻抗
e
输出电流
电源抑制
e
www.vishay.com
V
FB
V
OS
I
FB
A
VOL
BW
Z
OUT
I
OUT
PSRR
FB绑COMP
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
OSC IN =
V
IN
, V
FB
= 4 V
OSC IN =
V
IN
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
误差放大器配置为60 dB增益
源V
FB
= 3.4 V
水槽V
FB
= 4.5 V
9 V
v
V
CC
v
13.5 V
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
0.12
50
60
1
3.92
4.00
"15
25
80
1.5
1000
2.0
0.15
70
2000
1.4
4.08
"40
500
V
mV
nA
dB
兆赫
W
mA
dB
sDocument号码: 70005
S- 42036 -REV 。 H, 15月, 04
2
Si9112
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
排放量=
V
IN
= 0 V
V
CC
= 9 V, +V
IN
= 12 V
R
BIAS
= 270千瓦,R
OSC
= 330千瓦
V
FB
= 0 V
V
SENSE
= 1.5 V,见图1
范围
后缀
40
至85℃
参数
电流限制
阈值电压
延迟输出
e
符号
V
来源
t
d
温度
b
房间
房间
d
1.1
典型值
c
1.3
100
最大
e
1.5
150
单位
V
ns
预调节器/启动
输入电压
输入漏电流
预稳压器的启动电流
预稳压器输出电压差
V
CC
预稳压器导通关
阈值电压
欠压锁定
V
REG
V
UVLO
+V
IN
+I
IN
I
开始
V
CC
V
REG
V
UVLO
V
DELTA
I
IN
= 10
mA
V
CC
w
9.4 V
+V
IN
= 48 V
+V
IN
= 10 V ,R
负载
= 4K的6脚
I
预稳压器
= 10
mA
见详细说明
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
12
V
UVLO
+0.1
8.0
7.2
0.3
8.7
8.1
0.6
9.4
8.9
V
20
80
10
V
mA
mA
供应
电源电流
偏置电流
I
CC
I
BIAS
C
L
v
75 PF(引脚4 )
房间
房间
0.6
15
1.0
mA
mA
逻辑
关机延迟
e
关断脉冲宽度
e
复位脉冲宽度
e
锁存脉冲宽度
关机和重设低
e
输入低电压
输入高电压
输入电流输入电压高
输入电流输入电压低
t
SD
t
SW
t
RW
t
LW
V
IL
V
IH
I
IH
I
IL
V
逻辑
= V
CC
V
IN
= 0 V
见图3
C
L
= 500 pF的
V
SENSE
=
V
IN
,参见图2
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
35
7.0
1
25
5
mA
50
50
25
2.0
V
50
100
ns
产量
输出高电压
输出低电压
输出电阻
e
上升时间
e
下降时间
e
V
OH
V
OL
R
OUT
t
r
t
f
I
OUT
=
10
mA
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 10 mA时,信号源或接收器
C
L
= 500 pF的
房间
房间
房间
房间
房间
20
25
40
40
8.7
8.5
0.3
0.5
30
50
75
75
V
W
ns
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。房间= 25_C ,全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。通过设计保证,不受生产测试。
f.
C
杂散
引脚8 =
v
5 pF的。
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3
Si9112
Vishay Siliconix公司
时序波形
SENSE
0
V
CC
产量
0
1.5 V
50%
t
d
t
r
v
10纳秒
V
CC
关闭
0
V
CC
产量
0
50%
t
SD
t
f
v
10纳秒
90%
90%
图1 。
图2中。
V
CC
关闭
0
V
CC
RESET
0
50%
50%
t
SW
50%
t
LW
50%
t
RW
50%
t
f
, t
f
v
10纳秒
网络连接gure 3 。
典型特征
+V
IN
与+ I
IN
在启动时
140
V
CC
=
V
IN
120
100
+ V中(V)的
80
60
40
20
0
10
15
+I
IN
(MA )
20
10 k
10 k
F OUT (赫兹)
1M
输出开关频率
与电阻振荡器
100 k
100 k
r
OSC
振荡器电阻( W)的
1M
图4中。
图5中。
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4
sDocument号码: 70005
S- 42036 -REV 。 H, 15月, 04
Si9112
Vishay Siliconix公司
引脚配置和订购信息
双列直插式和SOIC
BIAS
+V
IN
SENSE
产量
V
IN
V
CC
OSC OUT
1
2
3
4
5
6
7
顶视图
14 FB
13 COMP
12 RESET
11 SHUTDOWN
10 V
REF
9
8
放电
OSC IN
订购信息
产品型号
Si9112DY
Si9112DY-T1
Si9112DY-T1—E3
Si9112DJ
Si9112DJ—E3
40
至85℃
PDIP-14
SOIC-14
温度范围
详细说明
预稳压器/启动部分
由于Si9112的低静态电流的要求
控制电路,偏压功率可以从供给
未调节的输入功率源,从外部调节
低电压供电,或由辅助“引导”绕组
输出电感器或变压器。
当电源在启动过程中, + V首先施加
IN
( 2脚)会
绘制一个恒定电流。此电流的大小是
由一个高压耗尽型MOSFET器件确定
其连接+ V之间
IN
和V
CC
(引脚6) 。这
启动电路提供初始功率给IC通过收取
连接到V外部旁路电容
CC
引脚。该
充电电流被禁用时, V
CC
超过8.7 V.如果V
CC
is
不强迫超过8.7 -V的阈值,则V
CC
由预调节器调节到8.7伏的标称值
电路。
作为电源电压升高朝向正常操作
的条件下,一个内部欠压( UV)锁定电路保持
禁用,直到V的输出驱动器
CC
超过UV锁定
阈值(通常为8.1 V) 。这保证了控制
逻辑将正常运行,并有足够的栅极驱动
电压可在MOSFET导通之前。设计
的集成电路是这样的,欠电压锁定阈值将是
至少为300毫伏小于所述预调节器关断电压。
功耗可通过提供一种外部被最小化
电源到V
CC
这样,预调节器电路是
禁用。
BIAS
要正确设置偏置为Si9112 ,一个270 -K
W
电阻器
应该从BIAS (引脚1)绑
V
IN
(引脚5) 。这
sDocument号码: 70005
S- 42036 -REV 。 H, 15月, 04
确定在所有模拟的偏置电流的大小
部分和所述上拉电流的关断和
RESET引脚。流过偏置电阻器的电流是
名义上15
毫安。
参考科
该Si9112的参考部分由温度
补偿埋齐纳二极管和微调分压网络。
基准单元的输出在内部被连接到
误差放大器的非反相输入端。标称参考
输出电压是用于在4个V的修整过程
该Si9112带来的误差放大器的输出(它是
修剪时配置为单位增益)内
"2%
4 V.
这种自动补偿输入偏移电压
误差放大器。
参考部分的输出阻抗一直
故意制造的高,使得一个低阻抗的外部电压
源可以被用于覆盖内部电压源,如果
需要,否则不会改变的表现
装置。
误差放大器器
闭环调节是由误差放大器提供。该
射极跟随器输出具有典型的动态输出
1000阻抗
W
,并打算与使用
“二十四放大器”的补偿。的MOS差分输入
级提供低输入漏电流。同相
输入到误差放大器(Ⅴ
REF
)在内部连接到
所述基准电源和输出应该与被旁路
小电容器接地。
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5
Si9112
Vishay Siliconix公司
高压开关模式控制器
特点
D
9至80 V输入范围
D
电流模式控制
D
高速,源库输出驱动
D
高效率的操作( > 80%)
D
内部的启动电路
D
内部振荡器( 1兆赫)
D
关机和重设
描述
该Si9112是一款专为使用BIC / DMOS集成电路
在高效率开关模式电源转换器。一
高电压DMOS输入允许该控制器工作在一个
宽范围的输入电压( 9-至80伏直流) 。电流模式
PWM控制电路中的CMOS实现的,以减少
内部功耗小于10毫瓦。
CMOS输出驱动器提供了高速开关
MOSPOWER装置足够大,以提供50的输出W的
力。当与输出MOSFET的组合和
变压器中, Si9112可用于实现
单端电源转换器拓扑结构(例如,反激式,
前进, CUK ) 。
该Si9112可在标准和铅(Pb ) - 免费
被指定为14引脚塑料DIP和SOIC封装
工作在工业温度范围
40
_C
to
85
_C.
功能框图
OSC
IN
8
OSC
OUT
7
FB
14
COMP
13
放电
9
错误
扩音器
10
+
4 V (2%)
REF
2V
+
+
1
当前
来源
To
国内
电路
1.2 V
C / L
比较
电流模式
比较
OSC
时钟(
1
/
2
f
OSC
)
V
REF
To
V
CC
4
R
Q
S
5
产量
V
IN
BIAS
3
V
CC
V
CC
6
SENSE
+V
IN
2
8.1 V
+
8.7 V
+
欠压比较器
Q
S
R
11
12
关闭
RESET
预调节器/启动
应用程序的信息,请参阅AN703 。
sDocument号码: 70005
S- 42036 -REV 。 H, 15月, 04
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1
Si9112
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考
V
IN
(V
CC
< + V
IN
+ 0.3 V)
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V
+V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80 V
逻辑输入
(复位,关机, OSC IN) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
线性输入(反馈, SENSE ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
HV预稳压器的输入电流(连续) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25毫安
(功耗有限公司)
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至150℃
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40
至85℃
结温(T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
功率耗散(包)一个
14引脚塑料DIP (J后缀)
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 750毫瓦
14引脚SOIC (Y后缀)
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
热阻抗(Q
JA
)
14引脚塑料DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 167_C / W
14引脚SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140_C / W
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免6毫瓦/ _C以上25_C 。
。减免7.2毫瓦/ _C以上25_C 。
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作范围
电压参考
V
IN
V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9 V至13.5 V
+V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9 V至80 V
f
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40千赫至1 MHz
R
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25千瓦至1兆瓦
线性输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
3 V
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
排放量=
V
IN
= 0 V
V
CC
= 9 V, +V
IN
= 12 V
R
BIAS
= 270千瓦,R
OSC
= 330千瓦
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
R
L
= 10毫瓦
V
REF
=
V
IN
范围
后缀
40
至85℃
参数
参考
输出电压
输出阻抗
e
短路电流
温度稳定性
e
符号
温度
b
房间
e
房间
房间
d
3.88
3.82
15
70
典型值
c
4.0
30
100
0.5
最大
e
4.12
4.14
45
130
1.0
单位
V
R
Z
OUT
I
SREF
T
REF
V
kW
mA
毫伏/°C的
振荡器
最大频率
e
初始精度
电压稳定
温度COEF网络cient
e
f
最大
f
OSC
DF /女
T
OSC
R
OSC
= 0
R
OSC
= 330 K,见备注:F
R
OSC
= 150 K,见备注:F
DF /女
= F ( 13.5 V)
F( 9.5 V) /女(9.5 V)的
房间
房间
房间
房间
1
80
160
3
100
200
9
200
120
240
15
500
兆赫
千赫
%
PPM /°C的
误差放大器器
反馈输入电压
输入失调电压
输入偏置电流
开环电压增益
e
单位增益带宽
e
动态输出阻抗
e
输出电流
电源抑制
e
www.vishay.com
V
FB
V
OS
I
FB
A
VOL
BW
Z
OUT
I
OUT
PSRR
FB绑COMP
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
OSC IN =
V
IN
, V
FB
= 4 V
OSC IN =
V
IN
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
误差放大器配置为60 dB增益
源V
FB
= 3.4 V
水槽V
FB
= 4.5 V
9 V
v
V
CC
v
13.5 V
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
0.12
50
60
1
3.92
4.00
"15
25
80
1.5
1000
2.0
0.15
70
2000
1.4
4.08
"40
500
V
mV
nA
dB
兆赫
W
mA
dB
sDocument号码: 70005
S- 42036 -REV 。 H, 15月, 04
2
Si9112
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
排放量=
V
IN
= 0 V
V
CC
= 9 V, +V
IN
= 12 V
R
BIAS
= 270千瓦,R
OSC
= 330千瓦
V
FB
= 0 V
V
SENSE
= 1.5 V,见图1
范围
后缀
40
至85℃
参数
电流限制
阈值电压
延迟输出
e
符号
V
来源
t
d
温度
b
房间
房间
d
1.1
典型值
c
1.3
100
最大
e
1.5
150
单位
V
ns
预调节器/启动
输入电压
输入漏电流
预稳压器的启动电流
预稳压器输出电压差
V
CC
预稳压器导通关
阈值电压
欠压锁定
V
REG
V
UVLO
+V
IN
+I
IN
I
开始
V
CC
V
REG
V
UVLO
V
DELTA
I
IN
= 10
mA
V
CC
w
9.4 V
+V
IN
= 48 V
+V
IN
= 10 V ,R
负载
= 4K的6脚
I
预稳压器
= 10
mA
见详细说明
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
12
V
UVLO
+0.1
8.0
7.2
0.3
8.7
8.1
0.6
9.4
8.9
V
20
80
10
V
mA
mA
供应
电源电流
偏置电流
I
CC
I
BIAS
C
L
v
75 PF(引脚4 )
房间
房间
0.6
15
1.0
mA
mA
逻辑
关机延迟
e
关断脉冲宽度
e
复位脉冲宽度
e
锁存脉冲宽度
关机和重设低
e
输入低电压
输入高电压
输入电流输入电压高
输入电流输入电压低
t
SD
t
SW
t
RW
t
LW
V
IL
V
IH
I
IH
I
IL
V
逻辑
= V
CC
V
IN
= 0 V
见图3
C
L
= 500 pF的
V
SENSE
=
V
IN
,参见图2
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
35
7.0
1
25
5
mA
50
50
25
2.0
V
50
100
ns
产量
输出高电压
输出低电压
输出电阻
e
上升时间
e
下降时间
e
V
OH
V
OL
R
OUT
t
r
t
f
I
OUT
=
10
mA
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 10 mA时,信号源或接收器
C
L
= 500 pF的
房间
房间
房间
房间
房间
20
25
40
40
8.7
8.5
0.3
0.5
30
50
75
75
V
W
ns
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。房间= 25_C ,全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。通过设计保证,不受生产测试。
f.
C
杂散
引脚8 =
v
5 pF的。
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S- 42036 -REV 。 H, 15月, 04
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3
Si9112
Vishay Siliconix公司
时序波形
SENSE
0
V
CC
产量
0
1.5 V
50%
t
d
t
r
v
10纳秒
V
CC
关闭
0
V
CC
产量
0
50%
t
SD
t
f
v
10纳秒
90%
90%
图1 。
图2中。
V
CC
关闭
0
V
CC
RESET
0
50%
50%
t
SW
50%
t
LW
50%
t
RW
50%
t
f
, t
f
v
10纳秒
网络连接gure 3 。
典型特征
+V
IN
与+ I
IN
在启动时
140
V
CC
=
V
IN
120
100
+ V中(V)的
80
60
40
20
0
10
15
+I
IN
(MA )
20
10 k
10 k
F OUT (赫兹)
1M
输出开关频率
与电阻振荡器
100 k
100 k
r
OSC
振荡器电阻( W)的
1M
图4中。
图5中。
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4
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S- 42036 -REV 。 H, 15月, 04
Si9112
Vishay Siliconix公司
引脚配置和订购信息
双列直插式和SOIC
BIAS
+V
IN
SENSE
产量
V
IN
V
CC
OSC OUT
1
2
3
4
5
6
7
顶视图
14 FB
13 COMP
12 RESET
11 SHUTDOWN
10 V
REF
9
8
放电
OSC IN
订购信息
产品型号
Si9112DY
Si9112DY-T1
Si9112DY-T1—E3
Si9112DJ
Si9112DJ—E3
40
至85℃
PDIP-14
SOIC-14
温度范围
详细说明
预稳压器/启动部分
由于Si9112的低静态电流的要求
控制电路,偏压功率可以从供给
未调节的输入功率源,从外部调节
低电压供电,或由辅助“引导”绕组
输出电感器或变压器。
当电源在启动过程中, + V首先施加
IN
( 2脚)会
绘制一个恒定电流。此电流的大小是
由一个高压耗尽型MOSFET器件确定
其连接+ V之间
IN
和V
CC
(引脚6) 。这
启动电路提供初始功率给IC通过收取
连接到V外部旁路电容
CC
引脚。该
充电电流被禁用时, V
CC
超过8.7 V.如果V
CC
is
不强迫超过8.7 -V的阈值,则V
CC
由预调节器调节到8.7伏的标称值
电路。
作为电源电压升高朝向正常操作
的条件下,一个内部欠压( UV)锁定电路保持
禁用,直到V的输出驱动器
CC
超过UV锁定
阈值(通常为8.1 V) 。这保证了控制
逻辑将正常运行,并有足够的栅极驱动
电压可在MOSFET导通之前。设计
的集成电路是这样的,欠电压锁定阈值将是
至少为300毫伏小于所述预调节器关断电压。
功耗可通过提供一种外部被最小化
电源到V
CC
这样,预调节器电路是
禁用。
BIAS
要正确设置偏置为Si9112 ,一个270 -K
W
电阻器
应该从BIAS (引脚1)绑
V
IN
(引脚5) 。这
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确定在所有模拟的偏置电流的大小
部分和所述上拉电流的关断和
RESET引脚。流过偏置电阻器的电流是
名义上15
毫安。
参考科
该Si9112的参考部分由温度
补偿埋齐纳二极管和微调分压网络。
基准单元的输出在内部被连接到
误差放大器的非反相输入端。标称参考
输出电压是用于在4个V的修整过程
该Si9112带来的误差放大器的输出(它是
修剪时配置为单位增益)内
"2%
4 V.
这种自动补偿输入偏移电压
误差放大器。
参考部分的输出阻抗一直
故意制造的高,使得一个低阻抗的外部电压
源可以被用于覆盖内部电压源,如果
需要,否则不会改变的表现
装置。
误差放大器器
闭环调节是由误差放大器提供。该
射极跟随器输出具有典型的动态输出
1000阻抗
W
,并打算与使用
“二十四放大器”的补偿。的MOS差分输入
级提供低输入漏电流。同相
输入到误差放大器(Ⅴ
REF
)在内部连接到
所述基准电源和输出应该与被旁路
小电容器接地。
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5
Si9112
Vishay Siliconix公司
高压开关模式控制器
特点
D
9至80 V输入范围
D
电流模式控制
D
高速,源库输出驱动
D
高效率的操作( > 80%)
D
内部的启动电路
D
内部振荡器( 1兆赫)
D
关机和重设
描述
该Si9112是一款专为使用BIC / DMOS集成电路
在高效率开关模式电源转换器。一
高电压DMOS输入允许该控制器工作在一个
宽范围的输入电压( 9-至80伏直流) 。电流模式
PWM控制电路中的CMOS实现的,以减少
内部功耗小于10毫瓦。
CMOS输出驱动器提供了高速开关
MOSPOWER装置足够大,以提供50的输出W的
力。当与输出MOSFET的组合和
变压器中, Si9112可用于实现
单端电源转换器拓扑结构(例如,反激式,
前进, CUK ) 。
该Si9112可在标准和铅(Pb ) - 免费
被指定为14引脚塑料DIP和SOIC封装
工作在工业温度范围
40
_C
to
85
_C.
功能框图
OSC
IN
8
OSC
OUT
7
FB
14
COMP
13
放电
9
错误
扩音器
10
+
4 V (2%)
REF
2V
+
+
1
当前
来源
To
国内
电路
1.2 V
C / L
比较
电流模式
比较
OSC
时钟(
1
/
2
f
OSC
)
V
REF
To
V
CC
4
R
Q
S
5
产量
V
IN
BIAS
3
V
CC
V
CC
6
SENSE
+V
IN
2
8.1 V
+
8.7 V
+
欠压比较器
Q
S
R
11
12
关闭
RESET
预调节器/启动
应用程序的信息,请参阅AN703 。
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1
Si9112
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考
V
IN
(V
CC
< + V
IN
+ 0.3 V)
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V
+V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80 V
逻辑输入
(复位,关机, OSC IN) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
线性输入(反馈, SENSE ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
HV预稳压器的输入电流(连续) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25毫安
(功耗有限公司)
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至150℃
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40
至85℃
结温(T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
功率耗散(包)一个
14引脚塑料DIP (J后缀)
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 750毫瓦
14引脚SOIC (Y后缀)
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
热阻抗(Q
JA
)
14引脚塑料DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 167_C / W
14引脚SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140_C / W
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免6毫瓦/ _C以上25_C 。
。减免7.2毫瓦/ _C以上25_C 。
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作范围
电压参考
V
IN
V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9 V至13.5 V
+V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9 V至80 V
f
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40千赫至1 MHz
R
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25千瓦至1兆瓦
线性输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
3 V
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
排放量=
V
IN
= 0 V
V
CC
= 9 V, +V
IN
= 12 V
R
BIAS
= 270千瓦,R
OSC
= 330千瓦
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
R
L
= 10毫瓦
V
REF
=
V
IN
范围
后缀
40
至85℃
参数
参考
输出电压
输出阻抗
e
短路电流
温度稳定性
e
符号
温度
b
房间
e
房间
房间
d
3.88
3.82
15
70
典型值
c
4.0
30
100
0.5
最大
e
4.12
4.14
45
130
1.0
单位
V
R
Z
OUT
I
SREF
T
REF
V
kW
mA
毫伏/°C的
振荡器
最大频率
e
初始精度
电压稳定
温度COEF网络cient
e
f
最大
f
OSC
DF /女
T
OSC
R
OSC
= 0
R
OSC
= 330 K,见备注:F
R
OSC
= 150 K,见备注:F
DF /女
= F ( 13.5 V)
F( 9.5 V) /女(9.5 V)的
房间
房间
房间
房间
1
80
160
3
100
200
9
200
120
240
15
500
兆赫
千赫
%
PPM /°C的
误差放大器器
反馈输入电压
输入失调电压
输入偏置电流
开环电压增益
e
单位增益带宽
e
动态输出阻抗
e
输出电流
电源抑制
e
www.vishay.com
V
FB
V
OS
I
FB
A
VOL
BW
Z
OUT
I
OUT
PSRR
FB绑COMP
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
OSC IN =
V
IN
, V
FB
= 4 V
OSC IN =
V
IN
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
误差放大器配置为60 dB增益
源V
FB
= 3.4 V
水槽V
FB
= 4.5 V
9 V
v
V
CC
v
13.5 V
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
0.12
50
60
1
3.92
4.00
"15
25
80
1.5
1000
2.0
0.15
70
2000
1.4
4.08
"40
500
V
mV
nA
dB
兆赫
W
mA
dB
sDocument号码: 70005
S- 42036 -REV 。 H, 15月, 04
2
Si9112
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
排放量=
V
IN
= 0 V
V
CC
= 9 V, +V
IN
= 12 V
R
BIAS
= 270千瓦,R
OSC
= 330千瓦
V
FB
= 0 V
V
SENSE
= 1.5 V,见图1
范围
后缀
40
至85℃
参数
电流限制
阈值电压
延迟输出
e
符号
V
来源
t
d
温度
b
房间
房间
d
1.1
典型值
c
1.3
100
最大
e
1.5
150
单位
V
ns
预调节器/启动
输入电压
输入漏电流
预稳压器的启动电流
预稳压器输出电压差
V
CC
预稳压器导通关
阈值电压
欠压锁定
V
REG
V
UVLO
+V
IN
+I
IN
I
开始
V
CC
V
REG
V
UVLO
V
DELTA
I
IN
= 10
mA
V
CC
w
9.4 V
+V
IN
= 48 V
+V
IN
= 10 V ,R
负载
= 4K的6脚
I
预稳压器
= 10
mA
见详细说明
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
12
V
UVLO
+0.1
8.0
7.2
0.3
8.7
8.1
0.6
9.4
8.9
V
20
80
10
V
mA
mA
供应
电源电流
偏置电流
I
CC
I
BIAS
C
L
v
75 PF(引脚4 )
房间
房间
0.6
15
1.0
mA
mA
逻辑
关机延迟
e
关断脉冲宽度
e
复位脉冲宽度
e
锁存脉冲宽度
关机和重设低
e
输入低电压
输入高电压
输入电流输入电压高
输入电流输入电压低
t
SD
t
SW
t
RW
t
LW
V
IL
V
IH
I
IH
I
IL
V
逻辑
= V
CC
V
IN
= 0 V
见图3
C
L
= 500 pF的
V
SENSE
=
V
IN
,参见图2
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
35
7.0
1
25
5
mA
50
50
25
2.0
V
50
100
ns
产量
输出高电压
输出低电压
输出电阻
e
上升时间
e
下降时间
e
V
OH
V
OL
R
OUT
t
r
t
f
I
OUT
=
10
mA
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 10 mA时,信号源或接收器
C
L
= 500 pF的
房间
房间
房间
房间
房间
20
25
40
40
8.7
8.5
0.3
0.5
30
50
75
75
V
W
ns
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。房间= 25_C ,全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。通过设计保证,不受生产测试。
f.
C
杂散
引脚8 =
v
5 pF的。
sDocument号码: 70005
S- 42036 -REV 。 H, 15月, 04
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3
Si9112
Vishay Siliconix公司
时序波形
SENSE
0
V
CC
产量
0
1.5 V
50%
t
d
t
r
v
10纳秒
V
CC
关闭
0
V
CC
产量
0
50%
t
SD
t
f
v
10纳秒
90%
90%
图1 。
图2中。
V
CC
关闭
0
V
CC
RESET
0
50%
50%
t
SW
50%
t
LW
50%
t
RW
50%
t
f
, t
f
v
10纳秒
网络连接gure 3 。
典型特征
+V
IN
与+ I
IN
在启动时
140
V
CC
=
V
IN
120
100
+ V中(V)的
80
60
40
20
0
10
15
+I
IN
(MA )
20
10 k
10 k
F OUT (赫兹)
1M
输出开关频率
与电阻振荡器
100 k
100 k
r
OSC
振荡器电阻( W)的
1M
图4中。
图5中。
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4
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Si9112
Vishay Siliconix公司
引脚配置和订购信息
双列直插式和SOIC
BIAS
+V
IN
SENSE
产量
V
IN
V
CC
OSC OUT
1
2
3
4
5
6
7
顶视图
14 FB
13 COMP
12 RESET
11 SHUTDOWN
10 V
REF
9
8
放电
OSC IN
订购信息
产品型号
Si9112DY
Si9112DY-T1
Si9112DY-T1—E3
Si9112DJ
Si9112DJ—E3
40
至85℃
PDIP-14
SOIC-14
温度范围
详细说明
预稳压器/启动部分
由于Si9112的低静态电流的要求
控制电路,偏压功率可以从供给
未调节的输入功率源,从外部调节
低电压供电,或由辅助“引导”绕组
输出电感器或变压器。
当电源在启动过程中, + V首先施加
IN
( 2脚)会
绘制一个恒定电流。此电流的大小是
由一个高压耗尽型MOSFET器件确定
其连接+ V之间
IN
和V
CC
(引脚6) 。这
启动电路提供初始功率给IC通过收取
连接到V外部旁路电容
CC
引脚。该
充电电流被禁用时, V
CC
超过8.7 V.如果V
CC
is
不强迫超过8.7 -V的阈值,则V
CC
由预调节器调节到8.7伏的标称值
电路。
作为电源电压升高朝向正常操作
的条件下,一个内部欠压( UV)锁定电路保持
禁用,直到V的输出驱动器
CC
超过UV锁定
阈值(通常为8.1 V) 。这保证了控制
逻辑将正常运行,并有足够的栅极驱动
电压可在MOSFET导通之前。设计
的集成电路是这样的,欠电压锁定阈值将是
至少为300毫伏小于所述预调节器关断电压。
功耗可通过提供一种外部被最小化
电源到V
CC
这样,预调节器电路是
禁用。
BIAS
要正确设置偏置为Si9112 ,一个270 -K
W
电阻器
应该从BIAS (引脚1)绑
V
IN
(引脚5) 。这
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S- 42036 -REV 。 H, 15月, 04
确定在所有模拟的偏置电流的大小
部分和所述上拉电流的关断和
RESET引脚。流过偏置电阻器的电流是
名义上15
毫安。
参考科
该Si9112的参考部分由温度
补偿埋齐纳二极管和微调分压网络。
基准单元的输出在内部被连接到
误差放大器的非反相输入端。标称参考
输出电压是用于在4个V的修整过程
该Si9112带来的误差放大器的输出(它是
修剪时配置为单位增益)内
"2%
4 V.
这种自动补偿输入偏移电压
误差放大器。
参考部分的输出阻抗一直
故意制造的高,使得一个低阻抗的外部电压
源可以被用于覆盖内部电压源,如果
需要,否则不会改变的表现
装置。
误差放大器器
闭环调节是由误差放大器提供。该
射极跟随器输出具有典型的动态输出
1000阻抗
W
,并打算与使用
“二十四放大器”的补偿。的MOS差分输入
级提供低输入漏电流。同相
输入到误差放大器(Ⅴ
REF
)在内部连接到
所述基准电源和输出应该与被旁路
小电容器接地。
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