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Si9102
Vishay Siliconix公司
3 -W的高电压开关模式稳压器
描述
该Si9102高压开关模式调节器是单
岩屑BIC / DMOS集成电路,其中包含了大部分的
必要的组件实现一个高效率的直流 - 用于─
dc转换器最多3瓦。这既可以从操作
低电压直流电源,或直接从10到120伏的非
稳压直流电源。
这种装置可以与一个合适的变压器所使用
实现大多数单端隔离式电源转换器
拓扑结构(即,反激式和正) 。
该Si9102可在标准和铅(Pb ) - 免费
14引脚塑料DIP和20引脚PLCC封装这是
指定工作在工业温度范围
- 40 ° C至85°C 。
特点
10至120 V输入范围
电流模式控制
片200 V, 7
Ω
MOSFET开关
关机和重设
高效率的操作(大于80%)的
内部的启动电路
内部振荡器( 1兆赫)
功能框图
OSC
IN
8 (11)
OSC
OUT
7 (10)
FB
14 (20)
COMP
13 (18)
放电
9 (12)
错误
扩音器
10 (14)
-
+
4 V (1 %)
REF
2V
-
+
OSC
时钟(
1
/
2
f
OSC
)
电流模式
比较
R
Q
S
+
-
1.2 V
C / L
比较
3 (5)
- V
IN
( BODY )
V
REF
5 (8)
1 (2)
BIAS
6 (9)
当前
来源
To
国内
电路
4 (7)
V
CC
欠压
比较
Q
R
来源
V
CC
+V
IN
2 (3)
-
8.8 V
-
+
9.4 V
+
S
11 (16)
12 (17)
关闭
RESET
注:图中括号代表了20 -pin的封装引脚数。
文档编号: 70001
S- 70497 -REV 。 H, 19 -MAR -07
www.vishay.com
1
Si9102
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
电压参考 - V
IN
(V
CC
& LT ; + V
IN
+ 0.3 V)
V
CC
+V
IN
V
DS
I
D
(峰)(注: 300微秒的脉冲, 2 %占空比)
I
D
( RMS)
逻辑输入(复位,关机, OSC IN)
线性输入(反馈, SOURCE )
HV预稳压器输入电流(连续)
储存温度
工作温度
结温(T
J
)
功率耗散(包)
a
热阻抗( θ
JA
)
14引脚塑料DIP (J后缀)
b
20引脚PLCC (N后缀)
c
14引脚塑料DIP
20引脚PLCC
极限
15
120
200
2
250
- 0.3 V到V
CC
+ 0.3 V
- 0.3-7
3
- 65 125
- 40-85
150
750
1400
167
90
单位
V
A
mA
V
mA
°C
mW
° C / W
注意事项:
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免6毫瓦/°C, 25°C以上。
。减免11.2毫瓦/°C, 25°C以上。
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
推荐工作范围
参数
电压参考 - V
IN
V
CC
R
OSC
线性输入
+ V
IN
f
OSC
数字输入
极限
9.5-13.5
25 kΩ至1 MΩ
0至7
10至120
40千赫至1 MHz
0到V
CC
单位
V
V
V
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
排放量= - V
IN
= 0 V
V
CC
= 10 V, + V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 390 k ,R
OSC
= 330 kΩ
OSC IN = - V
IN
( OSC已禁用)
R
L
= 10 MΩ
V
REF
= - V
IN
范围
后缀 - 40 85°C
温度
b
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
d
3.92
3.86
15
70
典型值
c
4.0
30
100
0.5
3
100
200
10
200
最大
d
4.08
4.14
45
130
1.0
参数
参考
输出电压
输出阻抗
e
短路电流
温度稳定性
e
振荡器
最大频率
e
初始精度
电压稳定
温度COEF网络cient
e
符号
单位
V
R
Z
OUT
I
SREF
T
REF
f
最大
f
OSC
Δf/f
T
OSC
V
A
毫伏/°C的
兆赫
R
OSC
= 0
R
OSC
= 330 kΩ
R
OSC
= 150 kΩ
g
Δf/f
= F( 13.5 Ⅴ) - F( 9.5 V) /女(9.5 V)的
g
1
80
160
120
240
15
500
千赫
%
PPM /°C的
www.vishay.com
2
文档编号: 70001
S- 70497 -REV 。 H, 19 -MAR -07
Si9102
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
排放量= - V
IN
= 0 V
V
CC
= 10 V, + V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 390 k ,R
OSC
= 330 kΩ
FB绑COMP
OSC IN = - V
IN
( OSC已禁用)
OSC IN = - V
IN
, V
FB
= 4 V,
OSC IN = - V
IN
( OSC已禁用)
源(V
FB
= 3.4 V)
OSC IN = - V
IN
( OSC已禁用)
水槽(V
FB
= 4.5 V)
9.5 V
V
CC
13.5 V
R
L
= 100
Ω
从漏极到V
CC
V
FB
= 0 V
R
L
= 100
Ω
从漏极到V
CC
V
来源
= 1.5 V,见图1
I
IN
= 10 A
V
CC
10 V
脉冲宽度
300微秒,V
CC
= 7 V
I
预稳压器
= 10 A
R
L
= 100
Ω
从漏极到V
CC
见详细说明
范围
后缀 - 40 85°C
温度
b
d
典型值
c
最大
d
单位
参数
误差放大器器
反馈输入电压
输入偏置电流
开环电压增益
e
单位增益带宽
输出电流
输入失调电压
输出电流
电源抑制
电流限制
阈值电压
延迟输出
e
预调节器/启动
输入电压
输入漏电流
预稳压器的启动电流
V
CC
预稳压器导通关
阈值电压
欠压锁定
V
REG
, - V
UVLO
供应
电源电流
偏置电流
逻辑
关机延迟
e
关断脉冲宽度
复位脉冲宽度
e
e
e
e
符号
V
FB
I
FB
A
VOL
BW
Z
OUT
I
OUT
V
OS
I
OUT
PSRR
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
3.96
4.00
25
4.04
500
V
nA
dB
兆赫
60
0.7
80
1
1000
- 2.0
± 15
2000
- 1.4
± 40
动态输出阻抗
Ω
mA
mV
mA
dB
0.12
50
0.15
70
V
来源
t
d
房间
房间
1.0
1.2
100
1.4
200
V
ns
+ V
IN
+ I
IN
I
开始
V
REG
V
UVLO
V
DELTA
I
CC
I
BIAS
t
SD
t
SW
t
RW
t
LW
V
IL
V
IH
I
IH
I
IL
V
BR ( DSS )
r
DS ( ON)
I
DSS
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
8
7.8
7.0
0.3
0.45
10
15
9.4
8.8
0.6
0.6
15
50
50
50
25
120
10
V
A
mA
9.7
9.2
V
1.0
20
100
mA
A
V
来源
= - V
IN
,参见图2
房间
房间
房间
房间
房间
房间
8.0
锁存脉冲
关机和重设低
输入低电压
输入高电压
输入电流输入电压高
输入电流输入电压低
MOSFET开关
击穿电压
漏源导通电阻
f
流掉泄漏电流
宽度
e
见图3
ns
2.0
1
- 35
200
- 25
220
7
5
10
5
V
A
V
IN
= 10 V
V
IN
= 0 V
I
= 100 A
I
= 100毫安
V
= 100 V
房间
房间
房间
房间
V
Ω
A
房间
35
pF
漏极电容
C
DS
注意事项:
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。房间= 25 ° C,完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
。通过设计保证,不受生产测试。
F。为r的温度系数
DS ( ON)
为每摄氏度0.75 % ,典型的。
G·C
杂散
引脚8 =
5 pF的。
文档编号: 70001
S- 70497 -REV 。 H, 19 -MAR -07
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3
Si9102
Vishay Siliconix公司
时序波形
1.5 V -
来源
0
V
CC
-
0
50 %
t
d
t
r
10纳秒
V
CC
关闭
0 -
V
CC
-
0
50 %
t
SD
t
f
10纳秒
10 %
10 %
图1 。
图2中。
t
SW
V
CC
关闭
0 -
V
CC
RESET
0 -
50 %
50 %
t
RW
50 %
50 %
t
LW
50 %
t
r
, t
f
10纳秒
网络连接gure 3 。
典型特征
140
V
CC
= - V
IN
120
100
+ V中(V)的
80
60
40
20
0
10
15
+I
IN
(MA )
20
F OUT (赫兹)
1M
100 k
10 k
10 k
100 k
r
OSC
- 振荡电阻(Ω )
1M
图4. + V
IN
与+ I
IN
在启动时
图5.输出开关频率
与电阻振荡器
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4
文档编号: 70001
S- 70497 -REV 。 H, 19 -MAR -07
Si9102
Vishay Siliconix公司
销刀豆网络gurations
PDIP-14
1
2
3
4
5
6
7
顶视图
14
13
12
11
10
9
8
引脚说明
功能
BIAS
+ V
IN
来源
- V
IN
V
CC
OSC OUT
OSC IN
放电
V
REF
14引脚DIP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
20引脚PLCC *
2
3
5
7
8
9
10
11
12
14
16
17
18
20
PLCC-20
3
2
1
20 19
关闭
RESET
COMP
FB
4
5
6
7
8
18
17
16
15
14
*引脚1 ,4,6 ,13,15 ,和19 = N / C
订购信息
标准
产品型号
Si9102DJ02
Si9102DN02
铅(Pb ) - 免费
产品型号
Si9102DJ02-E3
Si9102DN02-E3
- 4085 ℃下
PLCC-20
温度
范围
PDIP-14
9
10 11 12 13
顶视图
Si9102DN02 -T1 Si9102DN02 -T1 -E3
(用胶带
(用胶带
式)
式)
详细说明
预稳压器/启动部分
由于Si9102的低静态电流的要求
控制电路,偏压功率可以从unreg-供给
ulated输入功率源,从外部调节低
电压供给,或从一个辅助"bootstrap"绕组上
输出电感器或变压器。
当电源在启动过程中, + V首先施加
IN
将以此为
恒定电流。此电流的大小来确定
由一个高压耗尽型MOSFET器件是CON-
+ V之间连接的
IN
和V
CC
。该启动电路亲
通过充电的外部旁路国际志愿初始电源给IC
电容连接至V
CC
引脚。恒定电流
被禁用时, V
CC
超过9.4 V.如果V
CC
不强制
超过9.4 V阈值,则V
CC
将被调节到一个
9.4 V由预调节器电路的标称值。
作为电源电压升高朝向正常操作CON-
ditions ,内部欠压( UV)锁定电路保持
输出MOSFET关闭,直到V
CC
超出理解
欠压锁定阈值(通常为8.8 V) 。这保证
所述控制逻辑将在正常和suf-
够的栅极驱动电压可在MOSFET前
开启。该集成电路的设计是这样的,欠电压
锁定阈值将不超过所述预调节器的关断
电压。功耗可通过提供一种最小化
外部电源到V
CC
使得恒定电流
源总是被禁用。
注意:
在启动期间或者当V
CC
低于9.4伏
启动电路可输出多达20毫安的电流。这可能
导致该IC (高水平的功耗为48 V
输入,大约1瓦) 。造成过多的启动时间
由V的外部负载
CC
供应可导致设备
损害。图4给出了典型的预调节装置的电流在
启动作为输入电压的函数。
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5
文档编号: 70001
S- 70497 -REV 。 H, 19 -MAR -07
Si9102
Vishay Siliconix公司
3 -W的高电压开关模式稳压器
特点
D
10至120 V输入范围
D
电流模式控制
D
芯片200 -V , 7 -W MOSFET开关
D
关机和重设
D
高效率的操作( > 80%)
D
内部的启动电路
D
内部振荡器( 1兆赫)
描述
该Si9102的高电压开关模式稳压器是单片
BIC / DMOS集成电路,其中包含了大部分的
必要组件以实现一个高效率
直流 - 直流转换器最多3瓦。这既可以从操作
低电压直流电源,也可以直接从10到120 -V的
未经调节的直流电源。
这种装置可以与一个合适的变压器所使用
实现大多数单端隔离式电源转换器
拓扑结构(即,反激式和正) 。
该Si9102可在标准和铅(Pb ) - 免费
14引脚塑料DIP和20引脚PLCC封装这是
指定工作在工业温度范围
40
_C
85
_C.
功能框图
FB
14 (20)
COMP
13 (18)
错误
扩音器
放电
9 (12)
OSC
IN
8 (11)
OSC
OUT
7 (10)
OSC
2V
+
+
1.2 V
C / L
比较
时钟(
1
/
2
f
OSC
)
电流模式
比较
R
Q
S
3 (5)
5 (8)
V
IN
( BODY )
V
REF
10 (14)
+
4 V (1%)
REF
BIAS
1 (2)
当前
来源
V
CC
6 (9)
To
国内
电路
4 (7)
V
CC
欠压
比较
Q
R
11 (16)
12 (17)
来源
+V
IN
2 (3)
8.8 V
+
9.4 V
+
S
关闭
RESET
注:图中括号代表了20 -pin的封装引脚数。
文档编号: 70001
S- 42040 -REV 。 G, 15月, 04
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1
Si9102
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考
V
IN
(V
CC
< + V
IN
+ 0.3 V)
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V
+V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120 V
V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200 V
I
D
(峰)(注: 300
ms
脉冲,2%占空比)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2将
I
D
(有效值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250毫安
逻辑输入(复位,关机, OSC IN) 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
线性输入(反馈源)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V至7 V
HV预稳压器的输入电流(连续) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至125℃
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40
至85℃
结温(T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
功率耗散(包)一个
14引脚塑料DIP (J后缀)
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 750毫瓦
20引脚PLCC (N后缀)
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1400毫瓦
热阻抗(Q
JA
)
14引脚塑料DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 167_C / W
20引脚PLCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90_C / W
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免6毫瓦/ _C以上25_C
。减免11.2毫瓦/ _C以上25_C
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作范围
电压参考
V
IN
V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9.5 V至13.5 V
R
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25千瓦至1兆瓦
线性输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到7V的
+V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 V至120 V
f
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40千赫至1 MHz
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
排放量=
V
IN
= 0 V
V
CC
= 10 V, +V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 390千瓦,R
OSC
= 330千瓦
范围
后缀
40
至85℃
参数
参考
输出电压
输出阻抗
e
短路电流
温度稳定性
e
符号
温度
b
d
典型值
c
最大
d
单位
V
R
Z
OUT
I
SREF
T
REF
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
R
L
= 10毫瓦
房间
房间
3.92
3.86
15
70
4.0
30
100
0.5
4.08
4.14
45
130
1.0
V
kW
mA
毫伏/°C的
V
REF
=
V
IN
房间
振荡器
最大频率
e
初始精度
电压稳定
温度COEF网络cient
e
f
最大
f
OSC
DF /女
T
OSC
R
OSC
= 0
R
OSC
= 330千瓦
g
R
OSC
= 150千瓦
g
DF /女
= F ( 13.5 V)
F( 9.5 V) /女(9.5 V)的
房间
房间
房间
房间
1
80
160
3
100
200
10
200
120
240
15
500
兆赫
千赫
%
PPM /°C的
误差放大器器
反馈输入电压
输入偏置电流
开环电压增益
e
单位增益带宽
e
动态输出阻抗
e
输出电流
输入失调电压
www.vishay.com
V
FB
I
FB
A
VOL
BW
Z
OUT
I
OUT
V
OS
源(V
FB
= 3.4 V)
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
OSC IN =
V
IN
, V
FB
= 4 V,
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
FB绑COMP
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
60
0.7
3.96
4.00
25
80
1
1000
2.0
"15
2000
1.4
"40
4.04
500
V
nA
dB
兆赫
W
mA
mV
2
文档编号: 70001
S- 42040 -REV 。 G, 15月, 04
Si9102
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
排放量=
V
IN
= 0 V
V
CC
= 10 V, +V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 390千瓦,R
OSC
= 330千瓦
水槽(V
FB
= 4.5 V)
9.5 V
v
V
CC
v
13.5 V
范围
后缀
40
至85℃
参数
误差放大器器
输出电流
电源抑制
符号
I
OUT
PSRR
温度
b
房间
房间
d
0.12
50
典型值
c
0.15
70
最大
d
单位
mA
dB
电流限制
阈值电压
延迟输出
e
V
来源
t
d
R
L
= 100
W
从漏极到V
CC
V
FB
= 0 V
R
L
= 100
W
从漏极到V
CC
V
来源
= 1.5 V,见图1
房间
房间
1.0
1.2
100
1.4
200
V
ns
预调节器/启动
输入电压
输入漏电流
预稳压器的启动电流
V
CC
预稳压器关断阈值
电压
欠压锁定
V
REG
,
V
UVLO
+V
IN
+I
IN
I
开始
V
REG
V
UVLO
V
DELTA
I
IN
= 10
mA
V
CC
w
10 V
脉冲宽度
v
300
女士,
V
CC
= 7 V
I
预稳压器
= 10
mA
R
L
= 100
W
从漏极到V
CC
见详细说明
房间
房间
房间
房间
房间
房间
8
7.8
7.0
0.3
15
9.4
8.8
0.6
9.7
9.2
V
120
10
V
mA
mA
供应
电源电流
偏置电流
I
CC
I
BIAS
房间
房间
0.45
10
0.6
15
1.0
20
mA
mA
逻辑
关机延迟
e
关断脉冲宽度
e
复位脉冲宽度
e
锁存脉冲宽度
e
关机和重设低
输入低电压
输入高电压
输入电流输入电压高
输入电流输入电压低
t
SD
t
SW
t
RW
t
LW
V
IL
V
IH
I
IH
I
IL
V
IN
= 10 V
V
IN
= 0 V
见图3
V
来源
=
V
IN
,参见图2
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
35
8.0
1
25
5
50
50
25
2.0
ns
50
100
V
mA
MOSFET开关
击穿电压
漏源导通电阻
f
流掉泄漏电流
漏极电容
V
BR ( DSS )
r
DS ( ON)
I
DSS
C
DS
I
= 100
mA
I
= 100毫安
V
= 100 V
房间
房间
房间
5
35
200
220
7
10
V
W
mA
pF
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。房间= 25_C ,全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
。通过设计保证,不受生产测试。
f.
的R温度COEF网络cient
DS ( ON)
每0.75 %
_C,
典型的。
G·C
杂散
引脚8 =
v
5 pF的
文档编号: 70001
S- 42040 -REV 。 G, 15月, 04
www.vishay.com
3
Si9102
Vishay Siliconix公司
时序波形
1.5 V
50%
来源
0
V
CC
0
t
r
v
10纳秒
t
d
10%
V
CC
关闭
0
V
CC
0
50%
t
SD
t
f
v
10纳秒
10%
图1 。
图2中。
V
CC
关闭
0
t
SW
50%
t
LW
50%
50%
t
RW
50%
50%
t
r
, t
f
v
10纳秒
V
CC
RESET
0
网络连接gure 3 。
典型特征
140
120
100
+ V中(V)的
80
60
40
20
0
10
+V
IN
与+ I
IN
在启动时
V
CC
=
V
IN
输出开关频率
与电阻振荡器
1M
F OUT (赫兹)
15
+I
IN
(MA )
20
100 k
10 k
10 k
100 k
r
OSC
振荡器电阻( W)的
1M
图4中。
图5中。
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4
文档编号: 70001
S- 42040 -REV 。 G, 15月, 04
Si9102
Vishay Siliconix公司
销刀豆网络gurations
PDIP-14
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
顶视图
14
13
12
11
10
9
8
功能
BIAS
+V
IN
来源
V
IN
V
CC
OSC OUT
OSC IN
放电
14引脚DIP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
20引脚PLCC *
2
3
5
7
8
9
10
11
12
14
16
17
18
20
PLCC-20
3
2
1
20 19
V
REF
关闭
18
17
16
15
14
RESET
COMP
FB
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13
顶视图
*引脚1 ,4,6 ,13,15 ,和19 = N / C
订购信息
标准
产品型号
Si9102DJ02
Si9102DN02
铅(Pb ) - 免费
产品型号
Si9102DJ02—E3
Si9102N02—E3
温度
范围
40
85
_C
40
PDIP-14
PLCC-20
详细说明
预稳压器/启动部分
由于Si9102的低静态电流的要求
控制电路,偏压功率可以从供给
未调节的输入功率源,从外部调节
低电压供电,或由辅助“引导”绕组
输出电感器或变压器。
当电源在启动过程中, + V首先施加
IN
将以此为
恒定电流。此电流的大小来确定
由一个高压耗尽型MOSFET器件是
连接+ V之间
IN
和V
CC
。这起振电路
提供初始功率给IC通过充电的外部旁路
电容连接至V
CC
引脚。恒定电流是
文档编号: 70001
S- 42040 -REV 。 G, 15月, 04
残疾人当V
CC
超过9.4 V.如果V
CC
不强制
超过9.4 -V的阈值,则V
CC
将被调节到一个
9.4 V由预调节器电路的标称值。
作为电源电压升高朝向正常操作
的条件下,一个内部欠压( UV)锁定电路保持
输出MOSFET关闭,直到V
CC
超过
欠压锁定阈值(通常为8.8 V) 。这
保证了控制逻辑将被正常
并且有足够的栅极驱动电压是可用的前
MOSFET导通。该集成电路的设计是这样的
欠压锁定阈值将不超过
预调节器关断电压。功耗可
通过提供外部电源到V最小化的
CC
这样
该恒流源总是被禁用。
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5
Si9102
Vishay Siliconix公司
3 -W的高电压开关模式稳压器
特点
D
10至120 V输入范围
D
电流模式控制
D
芯片200 -V , 7 -W MOSFET开关
D
关机和重设
D
高效率的操作( > 80%)
D
内部的启动电路
D
内部振荡器( 1兆赫)
描述
该Si9102的高电压开关模式稳压器是单片
BIC / DMOS集成电路,其中包含了大部分的
必要组件以实现一个高效率
直流 - 直流转换器最多3瓦。这既可以从操作
低电压直流电源,也可以直接从10到120 -V的
未经调节的直流电源。
这种装置可以与一个合适的变压器所使用
实现大多数单端隔离式电源转换器
拓扑结构(即,反激式和正) 。
该Si9102可在标准和铅(Pb ) - 免费
14引脚塑料DIP和20引脚PLCC封装这是
指定工作在工业温度范围
40
_C
85
_C.
功能框图
FB
14 (20)
COMP
13 (18)
错误
扩音器
放电
9 (12)
OSC
IN
8 (11)
OSC
OUT
7 (10)
OSC
2V
+
+
1.2 V
C / L
比较
时钟(
1
/
2
f
OSC
)
电流模式
比较
R
Q
S
3 (5)
5 (8)
V
IN
( BODY )
V
REF
10 (14)
+
4 V (1%)
REF
BIAS
1 (2)
当前
来源
V
CC
6 (9)
To
国内
电路
4 (7)
V
CC
欠压
比较
Q
R
11 (16)
12 (17)
来源
+V
IN
2 (3)
8.8 V
+
9.4 V
+
S
关闭
RESET
注:图中括号代表了20 -pin的封装引脚数。
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S- 42040 -REV 。 G, 15月, 04
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1
Si9102
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考
V
IN
(V
CC
< + V
IN
+ 0.3 V)
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V
+V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120 V
V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200 V
I
D
(峰)(注: 300
ms
脉冲,2%占空比)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2将
I
D
(有效值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250毫安
逻辑输入(复位,关机, OSC IN) 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
线性输入(反馈源)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V至7 V
HV预稳压器的输入电流(连续) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至125℃
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40
至85℃
结温(T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
功率耗散(包)一个
14引脚塑料DIP (J后缀)
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 750毫瓦
20引脚PLCC (N后缀)
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1400毫瓦
热阻抗(Q
JA
)
14引脚塑料DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 167_C / W
20引脚PLCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90_C / W
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免6毫瓦/ _C以上25_C
。减免11.2毫瓦/ _C以上25_C
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作范围
电压参考
V
IN
V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9.5 V至13.5 V
R
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25千瓦至1兆瓦
线性输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到7V的
+V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 V至120 V
f
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40千赫至1 MHz
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
排放量=
V
IN
= 0 V
V
CC
= 10 V, +V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 390千瓦,R
OSC
= 330千瓦
范围
后缀
40
至85℃
参数
参考
输出电压
输出阻抗
e
短路电流
温度稳定性
e
符号
温度
b
d
典型值
c
最大
d
单位
V
R
Z
OUT
I
SREF
T
REF
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
R
L
= 10毫瓦
房间
房间
3.92
3.86
15
70
4.0
30
100
0.5
4.08
4.14
45
130
1.0
V
kW
mA
毫伏/°C的
V
REF
=
V
IN
房间
振荡器
最大频率
e
初始精度
电压稳定
温度COEF网络cient
e
f
最大
f
OSC
DF /女
T
OSC
R
OSC
= 0
R
OSC
= 330千瓦
g
R
OSC
= 150千瓦
g
DF /女
= F ( 13.5 V)
F( 9.5 V) /女(9.5 V)的
房间
房间
房间
房间
1
80
160
3
100
200
10
200
120
240
15
500
兆赫
千赫
%
PPM /°C的
误差放大器器
反馈输入电压
输入偏置电流
开环电压增益
e
单位增益带宽
e
动态输出阻抗
e
输出电流
输入失调电压
www.vishay.com
V
FB
I
FB
A
VOL
BW
Z
OUT
I
OUT
V
OS
源(V
FB
= 3.4 V)
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
OSC IN =
V
IN
, V
FB
= 4 V,
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
FB绑COMP
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
60
0.7
3.96
4.00
25
80
1
1000
2.0
"15
2000
1.4
"40
4.04
500
V
nA
dB
兆赫
W
mA
mV
2
文档编号: 70001
S- 42040 -REV 。 G, 15月, 04
Si9102
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
排放量=
V
IN
= 0 V
V
CC
= 10 V, +V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 390千瓦,R
OSC
= 330千瓦
水槽(V
FB
= 4.5 V)
9.5 V
v
V
CC
v
13.5 V
范围
后缀
40
至85℃
参数
误差放大器器
输出电流
电源抑制
符号
I
OUT
PSRR
温度
b
房间
房间
d
0.12
50
典型值
c
0.15
70
最大
d
单位
mA
dB
电流限制
阈值电压
延迟输出
e
V
来源
t
d
R
L
= 100
W
从漏极到V
CC
V
FB
= 0 V
R
L
= 100
W
从漏极到V
CC
V
来源
= 1.5 V,见图1
房间
房间
1.0
1.2
100
1.4
200
V
ns
预调节器/启动
输入电压
输入漏电流
预稳压器的启动电流
V
CC
预稳压器关断阈值
电压
欠压锁定
V
REG
,
V
UVLO
+V
IN
+I
IN
I
开始
V
REG
V
UVLO
V
DELTA
I
IN
= 10
mA
V
CC
w
10 V
脉冲宽度
v
300
女士,
V
CC
= 7 V
I
预稳压器
= 10
mA
R
L
= 100
W
从漏极到V
CC
见详细说明
房间
房间
房间
房间
房间
房间
8
7.8
7.0
0.3
15
9.4
8.8
0.6
9.7
9.2
V
120
10
V
mA
mA
供应
电源电流
偏置电流
I
CC
I
BIAS
房间
房间
0.45
10
0.6
15
1.0
20
mA
mA
逻辑
关机延迟
e
关断脉冲宽度
e
复位脉冲宽度
e
锁存脉冲宽度
e
关机和重设低
输入低电压
输入高电压
输入电流输入电压高
输入电流输入电压低
t
SD
t
SW
t
RW
t
LW
V
IL
V
IH
I
IH
I
IL
V
IN
= 10 V
V
IN
= 0 V
见图3
V
来源
=
V
IN
,参见图2
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
35
8.0
1
25
5
50
50
25
2.0
ns
50
100
V
mA
MOSFET开关
击穿电压
漏源导通电阻
f
流掉泄漏电流
漏极电容
V
BR ( DSS )
r
DS ( ON)
I
DSS
C
DS
I
= 100
mA
I
= 100毫安
V
= 100 V
房间
房间
房间
5
35
200
220
7
10
V
W
mA
pF
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。房间= 25_C ,全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
。通过设计保证,不受生产测试。
f.
的R温度COEF网络cient
DS ( ON)
每0.75 %
_C,
典型的。
G·C
杂散
引脚8 =
v
5 pF的
文档编号: 70001
S- 42040 -REV 。 G, 15月, 04
www.vishay.com
3
Si9102
Vishay Siliconix公司
时序波形
1.5 V
50%
来源
0
V
CC
0
t
r
v
10纳秒
t
d
10%
V
CC
关闭
0
V
CC
0
50%
t
SD
t
f
v
10纳秒
10%
图1 。
图2中。
V
CC
关闭
0
t
SW
50%
t
LW
50%
50%
t
RW
50%
50%
t
r
, t
f
v
10纳秒
V
CC
RESET
0
网络连接gure 3 。
典型特征
140
120
100
+ V中(V)的
80
60
40
20
0
10
+V
IN
与+ I
IN
在启动时
V
CC
=
V
IN
输出开关频率
与电阻振荡器
1M
F OUT (赫兹)
15
+I
IN
(MA )
20
100 k
10 k
10 k
100 k
r
OSC
振荡器电阻( W)的
1M
图4中。
图5中。
www.vishay.com
4
文档编号: 70001
S- 42040 -REV 。 G, 15月, 04
Si9102
Vishay Siliconix公司
销刀豆网络gurations
PDIP-14
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
顶视图
14
13
12
11
10
9
8
功能
BIAS
+V
IN
来源
V
IN
V
CC
OSC OUT
OSC IN
放电
14引脚DIP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
20引脚PLCC *
2
3
5
7
8
9
10
11
12
14
16
17
18
20
PLCC-20
3
2
1
20 19
V
REF
关闭
18
17
16
15
14
RESET
COMP
FB
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13
顶视图
*引脚1 ,4,6 ,13,15 ,和19 = N / C
订购信息
标准
产品型号
Si9102DJ02
Si9102DN02
铅(Pb ) - 免费
产品型号
Si9102DJ02—E3
Si9102N02—E3
温度
范围
40
85
_C
40
PDIP-14
PLCC-20
详细说明
预稳压器/启动部分
由于Si9102的低静态电流的要求
控制电路,偏压功率可以从供给
未调节的输入功率源,从外部调节
低电压供电,或由辅助“引导”绕组
输出电感器或变压器。
当电源在启动过程中, + V首先施加
IN
将以此为
恒定电流。此电流的大小来确定
由一个高压耗尽型MOSFET器件是
连接+ V之间
IN
和V
CC
。这起振电路
提供初始功率给IC通过充电的外部旁路
电容连接至V
CC
引脚。恒定电流是
文档编号: 70001
S- 42040 -REV 。 G, 15月, 04
残疾人当V
CC
超过9.4 V.如果V
CC
不强制
超过9.4 -V的阈值,则V
CC
将被调节到一个
9.4 V由预调节器电路的标称值。
作为电源电压升高朝向正常操作
的条件下,一个内部欠压( UV)锁定电路保持
输出MOSFET关闭,直到V
CC
超过
欠压锁定阈值(通常为8.8 V) 。这
保证了控制逻辑将被正常
并且有足够的栅极驱动电压是可用的前
MOSFET导通。该集成电路的设计是这样的
欠压锁定阈值将不超过
预调节器关断电压。功耗可
通过提供外部电源到V最小化的
CC
这样
该恒流源总是被禁用。
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5
Si9102
Vishay Siliconix公司
3 -W的高电压开关模式稳压器
特点
D
10至120 V输入范围
D
电流模式控制
D
芯片200 -V , 7 -W MOSFET开关
D
关机和重设
D
高效率的操作( > 80%)
D
内部的启动电路
D
内部振荡器( 1兆赫)
描述
该Si9102的高电压开关模式稳压器是单片
BIC / DMOS集成电路,其中包含了大部分的
必要组件以实现一个高效率
直流 - 直流转换器最多3瓦。这既可以从操作
低电压直流电源,也可以直接从10到120 -V的
未经调节的直流电源。
这种装置可以与一个合适的变压器所使用
实现大多数单端隔离式电源转换器
拓扑结构(即,反激式和正) 。
该Si9102可在标准和铅(Pb ) - 免费
14引脚塑料DIP和20引脚PLCC封装这是
指定工作在工业温度范围
40
_C
85
_C.
功能框图
FB
14 (20)
COMP
13 (18)
错误
扩音器
放电
9 (12)
OSC
IN
8 (11)
OSC
OUT
7 (10)
OSC
2V
+
+
1.2 V
C / L
比较
时钟(
1
/
2
f
OSC
)
电流模式
比较
R
Q
S
3 (5)
5 (8)
V
IN
( BODY )
V
REF
10 (14)
+
4 V (1%)
REF
BIAS
1 (2)
当前
来源
V
CC
6 (9)
To
国内
电路
4 (7)
V
CC
欠压
比较
Q
R
11 (16)
12 (17)
来源
+V
IN
2 (3)
8.8 V
+
9.4 V
+
S
关闭
RESET
注:图中括号代表了20 -pin的封装引脚数。
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1
Si9102
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绝对最大额定值
电压参考
V
IN
(V
CC
< + V
IN
+ 0.3 V)
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V
+V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120 V
V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200 V
I
D
(峰)(注: 300
ms
脉冲,2%占空比)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2将
I
D
(有效值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250毫安
逻辑输入(复位,关机, OSC IN) 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
线性输入(反馈源)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V至7 V
HV预稳压器的输入电流(连续) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至125℃
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40
至85℃
结温(T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
功率耗散(包)一个
14引脚塑料DIP (J后缀)
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 750毫瓦
20引脚PLCC (N后缀)
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1400毫瓦
热阻抗(Q
JA
)
14引脚塑料DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 167_C / W
20引脚PLCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90_C / W
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免6毫瓦/ _C以上25_C
。减免11.2毫瓦/ _C以上25_C
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作范围
电压参考
V
IN
V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9.5 V至13.5 V
R
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25千瓦至1兆瓦
线性输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到7V的
+V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 V至120 V
f
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40千赫至1 MHz
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
排放量=
V
IN
= 0 V
V
CC
= 10 V, +V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 390千瓦,R
OSC
= 330千瓦
范围
后缀
40
至85℃
参数
参考
输出电压
输出阻抗
e
短路电流
温度稳定性
e
符号
温度
b
d
典型值
c
最大
d
单位
V
R
Z
OUT
I
SREF
T
REF
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
R
L
= 10毫瓦
房间
房间
3.92
3.86
15
70
4.0
30
100
0.5
4.08
4.14
45
130
1.0
V
kW
mA
毫伏/°C的
V
REF
=
V
IN
房间
振荡器
最大频率
e
初始精度
电压稳定
温度COEF网络cient
e
f
最大
f
OSC
DF /女
T
OSC
R
OSC
= 0
R
OSC
= 330千瓦
g
R
OSC
= 150千瓦
g
DF /女
= F ( 13.5 V)
F( 9.5 V) /女(9.5 V)的
房间
房间
房间
房间
1
80
160
3
100
200
10
200
120
240
15
500
兆赫
千赫
%
PPM /°C的
误差放大器器
反馈输入电压
输入偏置电流
开环电压增益
e
单位增益带宽
e
动态输出阻抗
e
输出电流
输入失调电压
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V
FB
I
FB
A
VOL
BW
Z
OUT
I
OUT
V
OS
源(V
FB
= 3.4 V)
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
OSC IN =
V
IN
, V
FB
= 4 V,
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
FB绑COMP
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
60
0.7
3.96
4.00
25
80
1
1000
2.0
"15
2000
1.4
"40
4.04
500
V
nA
dB
兆赫
W
mA
mV
2
文档编号: 70001
S- 42040 -REV 。 G, 15月, 04
Si9102
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
排放量=
V
IN
= 0 V
V
CC
= 10 V, +V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 390千瓦,R
OSC
= 330千瓦
水槽(V
FB
= 4.5 V)
9.5 V
v
V
CC
v
13.5 V
范围
后缀
40
至85℃
参数
误差放大器器
输出电流
电源抑制
符号
I
OUT
PSRR
温度
b
房间
房间
d
0.12
50
典型值
c
0.15
70
最大
d
单位
mA
dB
电流限制
阈值电压
延迟输出
e
V
来源
t
d
R
L
= 100
W
从漏极到V
CC
V
FB
= 0 V
R
L
= 100
W
从漏极到V
CC
V
来源
= 1.5 V,见图1
房间
房间
1.0
1.2
100
1.4
200
V
ns
预调节器/启动
输入电压
输入漏电流
预稳压器的启动电流
V
CC
预稳压器关断阈值
电压
欠压锁定
V
REG
,
V
UVLO
+V
IN
+I
IN
I
开始
V
REG
V
UVLO
V
DELTA
I
IN
= 10
mA
V
CC
w
10 V
脉冲宽度
v
300
女士,
V
CC
= 7 V
I
预稳压器
= 10
mA
R
L
= 100
W
从漏极到V
CC
见详细说明
房间
房间
房间
房间
房间
房间
8
7.8
7.0
0.3
15
9.4
8.8
0.6
9.7
9.2
V
120
10
V
mA
mA
供应
电源电流
偏置电流
I
CC
I
BIAS
房间
房间
0.45
10
0.6
15
1.0
20
mA
mA
逻辑
关机延迟
e
关断脉冲宽度
e
复位脉冲宽度
e
锁存脉冲宽度
e
关机和重设低
输入低电压
输入高电压
输入电流输入电压高
输入电流输入电压低
t
SD
t
SW
t
RW
t
LW
V
IL
V
IH
I
IH
I
IL
V
IN
= 10 V
V
IN
= 0 V
见图3
V
来源
=
V
IN
,参见图2
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
35
8.0
1
25
5
50
50
25
2.0
ns
50
100
V
mA
MOSFET开关
击穿电压
漏源导通电阻
f
流掉泄漏电流
漏极电容
V
BR ( DSS )
r
DS ( ON)
I
DSS
C
DS
I
= 100
mA
I
= 100毫安
V
= 100 V
房间
房间
房间
5
35
200
220
7
10
V
W
mA
pF
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。房间= 25_C ,全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
。通过设计保证,不受生产测试。
f.
的R温度COEF网络cient
DS ( ON)
每0.75 %
_C,
典型的。
G·C
杂散
引脚8 =
v
5 pF的
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S- 42040 -REV 。 G, 15月, 04
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3
Si9102
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时序波形
1.5 V
50%
来源
0
V
CC
0
t
r
v
10纳秒
t
d
10%
V
CC
关闭
0
V
CC
0
50%
t
SD
t
f
v
10纳秒
10%
图1 。
图2中。
V
CC
关闭
0
t
SW
50%
t
LW
50%
50%
t
RW
50%
50%
t
r
, t
f
v
10纳秒
V
CC
RESET
0
网络连接gure 3 。
典型特征
140
120
100
+ V中(V)的
80
60
40
20
0
10
+V
IN
与+ I
IN
在启动时
V
CC
=
V
IN
输出开关频率
与电阻振荡器
1M
F OUT (赫兹)
15
+I
IN
(MA )
20
100 k
10 k
10 k
100 k
r
OSC
振荡器电阻( W)的
1M
图4中。
图5中。
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Si9102
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销刀豆网络gurations
PDIP-14
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
顶视图
14
13
12
11
10
9
8
功能
BIAS
+V
IN
来源
V
IN
V
CC
OSC OUT
OSC IN
放电
14引脚DIP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
20引脚PLCC *
2
3
5
7
8
9
10
11
12
14
16
17
18
20
PLCC-20
3
2
1
20 19
V
REF
关闭
18
17
16
15
14
RESET
COMP
FB
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13
顶视图
*引脚1 ,4,6 ,13,15 ,和19 = N / C
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Si9102DJ02
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铅(Pb ) - 免费
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Si9102N02—E3
温度
范围
40
85
_C
40
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PLCC-20
详细说明
预稳压器/启动部分
由于Si9102的低静态电流的要求
控制电路,偏压功率可以从供给
未调节的输入功率源,从外部调节
低电压供电,或由辅助“引导”绕组
输出电感器或变压器。
当电源在启动过程中, + V首先施加
IN
将以此为
恒定电流。此电流的大小来确定
由一个高压耗尽型MOSFET器件是
连接+ V之间
IN
和V
CC
。这起振电路
提供初始功率给IC通过充电的外部旁路
电容连接至V
CC
引脚。恒定电流是
文档编号: 70001
S- 42040 -REV 。 G, 15月, 04
残疾人当V
CC
超过9.4 V.如果V
CC
不强制
超过9.4 -V的阈值,则V
CC
将被调节到一个
9.4 V由预调节器电路的标称值。
作为电源电压升高朝向正常操作
的条件下,一个内部欠压( UV)锁定电路保持
输出MOSFET关闭,直到V
CC
超过
欠压锁定阈值(通常为8.8 V) 。这
保证了控制逻辑将被正常
并且有足够的栅极驱动电压是可用的前
MOSFET导通。该集成电路的设计是这样的
欠压锁定阈值将不超过
预调节器关断电压。功耗可
通过提供外部电源到V最小化的
CC
这样
该恒流源总是被禁用。
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