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Si87xx
5
K
V L E D E
M ü L A T O服务
I
氮，磷， ü牛逼
, O
P简
C
LL EC于R
O
安输出
I
SOLATORS
特点
引脚兼容，嵌入式升级
流行的高速数字
光电耦合器
性能和可靠性
优势与光电耦合器
耐温度，年龄和
正向电流的影响
低10倍FIT率较
使用寿命
高共模瞬变
免疫力： >50 KV / μs的典型
更低的功耗和正向输入
二极管电流
PCB封装兼容
光耦包装
产品选择范围广
1通道二极管仿真器输入
3至30 V集电极开路输出
传播延迟30纳秒
数据速率DC至15 Mbps的
3.75和5kV的增强型隔离
UL ， CSA ， VDE
宽工作温度范围
-40至+125°C
RoHS兼容封装
SOIC-8
DIP8
SDIP6
LGA8
引脚分配：
参见第18页
SOIC - 8 ， DIP8 ， LGA8
集电极开路输出
应用
工业自动化
隔离数据采集
电机控制和驱动
测试和测量设备
隔离开关模式电源
SDIP6
集电极开路输出
安全法规认证（申请）
UL 1577认可
Up
VDE认证合格
IEC
到5000 Vrms的1分钟
CSA组件5A的通知
赞同
IEC
60747-5-2 （ VDE 0884第2部分）
（加强绝缘）
CQC认证认可
GB4943.1
60950-1, 61010-1, 60601-1
（加强绝缘）
描述
该Si87xx隔离器引脚兼容，单通道，嵌入式
替代流行的光电耦合器，数据速率高达15 Mbps的。
这些器件隔离的高速数字信号，并提供性能
不可用光电耦合器的可靠性和灵活性的优势
的解决方案。该Si87xx系列产品基于Silicon Labs的专利CMOS
隔离技术为低功耗和高速操作，并且
耐光电耦合器中发现的耗损效果降低
随着温度的升高，正向电流和器件性能
年龄。作为一个结果， Si87xx系列提供更长的使用寿命和
显着更高的可靠性比光耦合器。订购选项
包括集电极开路输出和不带集成上拉电阻
和输出使能选项。
SOIC - 8 ， DIP8 ， LGA8
集电极开路输出
20 k上拉电阻
SOIC - 8 ， DIP8 ， LGA8
集电极开路输出
具有输出使能
专利申请
初步版本0.5 9/12
版权所有2012 Silicon Laboratories公司
Si87xx
此信息适用于正在研发的产品。其特点和规格如有变更，恕不另行通知。
Si87xx
功能框图
二极管
仿真器
VDD
A1
产量
舞台
（集电极开路）
XMIT
I
F
REC
OUT
C1
GND
2
初步修订版0.5
Si87xx
T
ABLE
部分
OF
C
ONTENTS
页面
1.电气规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.4
2.应用程序信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
2.1 。操作理论。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
3.技术说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.13
3.1 。设备行为。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.13
3.2 。设备启动。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.13
4.应用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
4.1 。输入电路设计。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
4.2 。输出电路设计与电源连接。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
5.引脚说明（ SOIC - 8 ， DIP8 ， LGA8 ）集电极开路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
6.引脚说明（ SOIC - 8 ， DIP8 ， LGA8 ）输出使能。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
7.引脚说明（ SDIP6 ）集电极开路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
8.引脚说明（ SOIC - 8 ， DIP8 ， LGA8 ） 20 k上拉电阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
9.订购指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
10.封装外形： 8引脚窄体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
11盘图形： 8引脚窄体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
12.包装外形： DIP8 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.25
13.土地模式： DIP8 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
14.包装外形： SDIP6 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
15.土地模式： SDIP6 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
16.包装外形： LGA8 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
17盘图形： LGA8 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
18.顶部标记： 8引脚窄体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
19.顶部标记： DIP8 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
20.顶部标记： SDIP6 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
21.顶部标记： LGA8 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
联系信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.36
初步修订版0.5
3
Si87xx
1.电气连接特定的阳离子
表1.推荐工作条件
参数
V
DD
电源电压
（集电极开路输出）
输入电流
Si87xxA设备
Si87xxB设备
Si87xxC设备
工作温度（环境）
符号
V
DD
I
F（上）
3
6
3
T
A
–40
—
—
—
—
15
30
15
125
mA
mA
mA
°C
民
3
典型值
—
最大
30
单位
V
表2.电气特性
V
DD
= 5 V ; GND = 0 V ;牛逼
A
= -40 + 125 ℃;在25 ° C典型值规格
参数
DC参数
电源电压
电源电流
输入电流门限
符号
V
DD
I
DD
I
F（次）
测试条件
集电极开路输出
输出高电平或低电平（V
DD
= 5至30 V ）
Si87xxA设备
Si87xxB设备
Si87xxC设备
Si87xxA设备
Si87xxB设备
Si87xxC设备
民
3
—
3
6
3
—
—
—
—
1.7
–0.3
典型值
—
—
—
—
—
0.17
0.34
0.17
—
—
—
最大
30
1.7
—
—
—
—
—
—
1
2.8
—
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
输入电流增大
边滞后
输入正向电压
（关闭）
输入正向电压
（上）
输入反向
击穿电压
输入电容
I
HYS
V
F（关闭）
测定阳极相对于
阴极。
V
F（上）
BVR
C
I
测定阳极相对于
阴极。
确保反向电流置被限制
资讯科技教育到安全水平。
F = 100千赫
V
F
= 0 V,
V
F
= 2 V
I
OL
= 3毫安， V
DD
= 3.3或5伏
I
OL
= 13 mA时， V
DD
= 5.5 V
V
DD
= V
OUT
= 5.5 V
V
DD
= V
OUT
= 24 V
峰值直流集电极电流驱动器
(V
DD
= 5 V)
使用内部上拉
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2
—
15
15
—
—
—
—
50
—
20
—
—
20
–10
—
—
0.4
0.7
0.5
1
—
54
—
30
0.8
—
0
pF
pF
V
V
A
A
mA
k
V
V
A
A
逻辑低输出
电压
逻辑高电平输出。
当前
峰值输出电流
输出低阻抗
上拉电阻
让高敏
启用低最大
使大电流
画
使低电流
画
4
V
OL
I
OH
I
OPK
R
OL
R
PU
V
EH
V
EL
I
EH
I
EL
V
DD
= V
EH
= 5 V
V
DD
= 5 V, V
EL
= 0 V
—
—
初步修订版0.5
Si87xx
表2.电气特性（续）
V
DD
= 5 V ; GND = 0 V ;牛逼
A
= -40 + 125 ℃;在25 ° C典型值规格
参数
最大数据速率
符号
F
数据
测试条件
Si87xxA设备
Si87xxB设备
Si87xxC设备
Si87xxA设备
Si87xxB设备
Si87xxC设备
C
L
使用350 = 15 pF的
引体向上
C
L
使用350 = 15 pF的
引体向上
| t
PLH
– t
PHL
|
民
DC
DC
DC
66
66
1
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
15
15
1
—
—
—
60
60
20
20
单位
M
BPS
M
BPS
M
BPS
ns
ns
s
ns
ns
ns
ns
AC开关参数（V
DD
= 5 V ，R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的）
最小脉冲宽度
MPW
传播延迟
（低到高）
传播延迟
（高到低）
脉冲宽度失真
传播延迟
SKEW
t
PLH
t
PHL
PWD
t
PSK（ P-P ）
t
PSK（ P-P ）
是昼夜温差的大小
ference在昼夜温差之间的延迟道具
在同一电源供电同的单位
电压，负载和环境温度。
t
R
t
F
t
开始
CMTI
输出=低或高
I
F
= 3毫安Si87xxA设备
I
F
= 6毫安Si87xxB设备
I
F
= 3毫安Si87xxC设备
C
L
使用350 = 15 pF的
引体向上
C
L
使用350 = 15 pF的
引体向上
上升时间
下降时间
设备启动时间
共模
瞬态抗扰度
—
—
—
20
35
20
15
5
—
35
50
35
—
—
40
—
—
—
ns
ns
s
KV / μs的
KV / μs的
KV / μs的
初步修订版0.5
5
查看更多SI8711AC-B-IPPDF信息
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