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Si8610/20/21/22
L
O w制备
- P
宽E
S
我N G - 勒个N D
D
ü A L
-C
H A N N 左
D
我G I TA L
I
S 0 L A T O服务R 5
特点
高速运行
DC至150 Mbps的
无需开机初始化
宽工作电源电压
2.5–5.5 V
高达5000 V
RMS
隔离
60年的生命，在额定工作电压
高电磁抗扰度
超低功耗（典型值）
5 V工作
每个通道1.6毫安以1Mbps
在100Mbps每通道5.5毫安
2.5 V工作电压
每个通道1.5毫安以1Mbps
每通道3.5毫安速率为100 Mbps
施密特触发器输入
可选择的故障安全模式
默认高或低输出
（订购选项）
精确定时（典型值）
10 ns的传播延迟
1.5纳秒的脉冲宽度失真
0.5 ns的通道间的偏移
2 ns传播延迟偏差
5 ns的最小脉冲宽度
瞬态抑制能力为50kV / μs的
AEC- Q100认证
工作温度范围宽
-40至125℃的
RoHS兼容封装
SOIC -16宽体
SOIC - 8窄体
应用
工业自动化系统
医疗电子
混合动力电动汽车
隔离开关模式电源
隔离式ADC ， DAC
电机控制
电源逆变器
通信系统
订货信息：
参见第27页。
安全管理机构认证
UL 1577认可
高达5000 V
RMS
1分钟
CSA组件通知5A批准
IEC 60950-1 ， 61010-1 ， 60601-1
（增强
保温）
VDE认证合格
IEC 60747-5-2
（ VDE0884第2部分）
EN60950-1
（加强绝缘）
描述
硅实验室的系列超低功耗数字隔离器是CMOS器件
提供大量的数据速率，传输延迟，功率，尺寸，可靠性，并
外部BOM优于传统的隔离技术。操作
这些产品的参数保持稳定，在整个较宽的温度范围内
并在整个设备寿命，易于设计和高度均匀的
性能。所有器件版本都有施密特触发输入，高噪声
免疫功能，只需要VDD旁路电容。
数据传输速率高达150 Mbps的支持，并且所有设备实现传播
小于10纳秒的延迟。订购选项包括隔离额定值的选择
（ 3.75和5千伏）和一个可选择的故障安全操作模式来控制默认
断电时输出状态。所有产品>1千伏
RMS
安全性是通过认证
UL ， CSA和VDE和产品在宽体包的支持增强
绝缘承受高达5 kV
RMS
.
1.3修订版6/12
版权所有2012 Silicon Laboratories公司
Si8610/20/21/22
Si8610/20/21/22
2
修订版1.3
Si8610/20/21/22
T
ABLE
部分
OF
C
ONTENTS
页面
1.电气规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.4
2.功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
2.1 。操作理论。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
2.2 。眼图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
3.设备操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
3.1 。设备启动。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.21
3.2 。欠压锁定。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
3.3 。布局建议。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
3.4 。故障安全操作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
3.5 。典型性能特征。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
4.引脚说明（宽体SOIC ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
5.引脚说明（窄体SOIC ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
6.订购指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
7.包装外形： 16引脚宽体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
8.土地模式： 16引脚宽体SOIC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
9.包装外形： 8引脚窄体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.31
10盘图形： 8引脚窄体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
11.顶部标记： 16引脚宽体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.33
11.1 。 16引脚宽体SOIC顶部标记。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.33
11.2 。顶部标记说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
12.顶部标记： 8引脚窄体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
12.1 。 8引脚窄体SOIC顶部标记。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
12.2 。顶部标记说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
文档更改列表。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.35
联系信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.36
修订版1.3
3
Si8610/20/21/22
1.电气连接特定的阳离子
表1.推荐工作条件
参数
工作环境温度*
电源电压
符号
测试条件
150 Mbps的， 15 pF的， 5 V
T
A
V
DD1
V
DD2
民
–40
2.5
2.5
典型值
25
—
—
最大
125*
5.5
5.5
单位
°C
V
V
*注意：
最高环境温度是依赖于数据的频率，输出负载，操作信道的数目，
和电源电压。
表2.电气特性
(V
DD1
= 5 V ±10%, V
DD2
= 5 V± 10 ％ ，T
A
= -40 125 ℃）
参数
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
VDD欠压门限
VDD欠压门限
VDD负向锁定
迟滞
正向输入阈值
负向输入
门槛
输入滞后
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入漏电流
输出阻抗
1
VDDUV +
VDDUV-
VDD
HYS
VT +
VT-
V
HYS
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
L
Z
O
V
DD1
, V
DD2
升起
V
DD1
, V
DD2
落下
1.95
1.88
50
2.24
2.16
70
1.67
1.23
0.44
—
—
4.8
0.2
—
50
2.375
2.325
95
1.9
1.4
0.50
—
0.8
—
0.4
±10
—
V
V
mV
V
V
V
V
V
V
V
A
所有输入的上升
所有输入下降
1.4
1.0
0.38
2.0
—
陆= -4毫安
笑= 4毫安
V
DD1
,V
DD2
– 0.4
—
—
—
注意事项：
1.
隔离器驱动信道的标称输出阻抗是约50
,
±40 ％，这是一个
输出驱动器的片上串联端接电阻和沟道电阻的值的组合
FET 。当驱动负载，其中传输线效应将是一个因素，输出引脚应适当
终止与控制阻抗PCB走线。
2.
t
PSK（ P-P ）
在传播延迟时间的差的大小不同的单元之间测量
操作在相同的电源电压，负载和环境温度。
3.
启动时间是从功率的应用，以有效的数据在输出端上的时间周期。
4
修订版1.3
Si8610/20/21/22
表2.电气特性（续）
(V
DD1
= 5 V ±10%, V
DD2
= 5 V± 10 ％ ，T
A
= -40 125 ℃）
参数
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
直流电源电流
（所有输入0 V或电源）
Si8610Bx ，防爆
V
DD1
V
DD2
V
DD1
V
DD2
Si8620Bx ，防爆
V
DD1
V
DD2
V
DD1
V
DD2
Si8621Bx ，防爆
V
DD1
V
DD2
V
DD1
V
DD2
Si8622Bx ，防爆
V
DD1
V
DD2
V
DD1
V
DD2
Si8610Bx ，防爆
V
DD1
V
DD2
Si8620Bx ，防爆
V
DD1
V
DD2
Si8621Bx ，防爆
V
DD1
V
DD2
Si8622Bx ，防爆
V
DD1
V
DD2
V
I
= 0 （ Bx的） ， 1 （防爆）
V
I
= 0 （ Bx的） ， 1 （防爆）
V
I
= 1 （ Bx的） ， 0 （防爆）
V
I
= 1 （ Bx的） ， 0 （防爆）
V
I
= 0 （ Bx的） ， 1 （防爆）
V
I
= 0 （ Bx的） ， 1 （防爆）
V
I
= 1 （ Bx的） ， 0 （防爆）
V
I
= 1 （ Bx的） ， 0 （防爆）
V
I
= 0 （ Bx的） ， 1 （防爆）
V
I
= 0 （ Bx的） ， 1 （防爆）
V
I
= 1 （ Bx的） ， 0 （防爆）
V
I
= 1 （ Bx的） ， 0 （防爆）
V
I
= 0 （ Bx的） ， 1 （防爆）
V
I
= 0 （ Bx的） ， 1 （防爆）
V
I
= 1 （ Bx的） ， 0 （防爆）
V
I
= 1 （ Bx的） ， 0 （防爆）
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.6
0.8
1.8
0.8
0.8
1.4
3.3
1.4
1.2
1.2
2.4
2.4
2.6
3.3
4.0
4.8
1.2
1.5
2.9
1.5
1.4
2.2
5.3
2.2
1.9
1.9
3.8
3.8
4.2
5.3
6.4
7.7
mA
mA
mA
mA
1 Mbps的电源电流
（所有输入= 500 kHz方波， CI = 15 pF的所有输出）
—
—
—
—
—
—
—
—
1.2
0.9
2.1
1.6
1.9
1.9
3.4
4.2
2.0
1.5
3.1
2.4
2.9
2.9
5.1
6.2
mA
mA
mA
mA
注意事项：
1.
隔离器驱动信道的标称输出阻抗是约50
,
±40 ％，这是一个
输出驱动器的片上串联端接电阻和沟道电阻的值的组合
FET 。当驱动负载，其中传输线效应将是一个因素，输出引脚应适当
终止与控制阻抗PCB走线。
2.
t
PSK（ P-P ）
在传播延迟时间的差的大小不同的单元之间测量
操作在相同的电源电压，负载和环境温度。
3.
启动时间是从功率的应用，以有效的数据在输出端上的时间周期。
修订版1.3
5
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