Si85xx

Si85

X X

特点

单芯片交流电流

传感器/调节器

损耗低：低于1.3毫欧

初级串联电阻;

小于2 nH的主

电感在25 C

领先的噪声抑制

无需进行前沿

消隐

"Ping - Pong"输出版本

允许一个Si85xx更换2

在全桥电流互感器

应用

5 ， 10 ， 20和满量程版本

FAULT输出有助于维护

手术

1000 VDC隔离

精确到±测量的5 ％

大2 V

PP

输出引脚信号

满量程

高侧或低侧电流

传感

-40至125 C工作范围

(Si85x4/5/6)

小型4 ×4 ×1 mm封装

低成本

引脚分配：

请参见第20页

单向

AC

电流传感器

12引脚QFN

VDD2

R1

R2

GND2

GND3

OUT

NC

IOUT

1

VDD1

IIN

Si850x

TRST

应用

电源

电机控制

照明设备

工业设备

R1

R2

1

模式

描述

该Si85xx产品在全可单向交流电流传感器

5,10比例范围，和20 A. Si85xx产品是理想的升级

较旧的电流检测技术提供的尺寸，性能和成本

过电流互感器的优点，霍尔效应器件，电路DCR

和其他方法。该Si85xx非常低损耗，少加

比串联电阻为1.3毫欧，小于2 nH的串联电感

传感路径，在25 C 。电流检测端子与分离

其它封装引脚至1000伏的最大电压。

VDD

GND1

IIN

R3

R4

OUT1

OUT2

Si851x

IOUT

功能框图

专利正在申请中

IIN

R1

R2

R3

R4

Si851x

复位逻辑

模式逻辑

模式

R2

VDD

VIN

VDD1

TRST

IIN

GND1

Si850x

IOUT

OUT

GND2

OUT1

合金弹头

积分

信号调理

OUT2

R1

PH1

Q1

L

C

PH2

Q2

VOUT

温度

传感器

ADC

自动校准

逻辑

典型用途

IOUT

GND

VDD

TRST / FAULT

初步修订版0.1 7/07

版权所有2007 Silicon Laboratories公司

TRST / FAULT

GND

Si85xx

此信息适用于正在研发的产品。其特点和规格如有变更，恕不另行通知。

Silicon Laboratories的机密。本文所含信息是根据保密协议（ NDA ）所覆盖。

Si85xx

2

初步修订版0.1

Si85xx

T

A B L E

部分

OF

C

0：N T E TS

页面

1.电气规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.4

2.功能概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.6

2.1 。欠压锁定（ UVLO ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.7

2.2 。器件启动。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.7

2.3 。积分器复位和电流测量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.7

2.4 。工作频率对输出精度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.8

2.5 。对准确度温度的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.8

2.6 。前沿的噪声抑制。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.9

2.7 。故障输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

3.应用程序信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

3.1 。电路板布局。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.10

3.2 。设备配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.10

3.3 。单相降压转换器实例。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

3.4 。全桥转换器实例。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18

3.5 。推挽式转换器实例。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.19

4.引脚说明， Si85xx 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20

5.订购指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21

6.包装外形， 12引脚QFN封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.22

联系信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.24

初步修订版0.1

3

Si85xx

1.电气连接特定的阳离子

表1.电气规格

TA = -40至+85 C （25 C的典型指定） ， VDD = 2.7 5.5 V

参数

电源电压（V

DD

)

电源电流

欠压锁定（V

UVLO

)

欠压闭锁滞后

(V

HYST

)

逻辑输入高电平

逻辑输入低电平

复位时间（t

R

)

R1，R2， R3，R4输入上升时间（叔

RR

)

R1，R2， R3，R4输入下降时间（叔

FR

)

测量看门狗超时（T

WD

)

串联输入电阻

串联电感

输入/输出延迟

启动自动校准延迟（T

CAL

)

输入共模电压范围

操作输入频率范围（F ）

直流电源抑制比

灵敏度

条件

民

2.7

典型值

—

4

2.3

100

—

—

—

—

—

50

1.3

2

50

150

—

—

80

400

200

100

10

50

最大

5.5

7

2.5

—

—

0.8

—

30

30

80

—

—

100

200

1,000

1,200

—

—

—

—

—

—

30

单位

V

mA

V

mV

V

V

ns

ns

ns

s

mΩ

nH

ns

s

V

千赫

db

毫伏/ A

毫伏/ A

毫伏/ A

mV

V / μs的

Ω

%

%

%

完全启用，输入频率=

1兆赫

—

2.1

—

方式中，R 1 ， R 2， R 3 ，R 4的输入

（ TTL兼容）

2.0

—

250

—

—

30

从测量到IIN IOUT

从测量到IIN IOUT

输出， OUT1，OUT2的延迟相

输入

从VDD = V时代

UVLO

+ V

HYST

to

校准完成

—

—

—

—

—

50

—

Si85x1/4/7

Si85x2/5/8

Si85x3/6/9

—

—

—

—

—

20

OUT ， OUT1 ，OUT2失调电压

(V

outmin

)

VOUT摆率

OUT ， OUT1 ， OUT2输出电阻

测量误差（ ％ ） - 所有设备

（ -40至85°C温度范围）

从我目前的流

IN

到我

OUT

= 0

OUT ， OUT1 ， OUT2负载= 5K || 50 pF的

5 ％至10％的满刻度

10 ％至20％的满刻度

20至100％的满刻度

–20

–10

–5

—

—

—

+20

+10

+5

4

初步修订版0.1

Si85xx

表1.电气规格（续）

TA = -40至+85 C （25 C的典型指定） ， VDD = 2.7 5.5 V

参数

测量误差（ ％ ） - 所有设备

（ -40至125 C温度范围）

条件

5 ％至10％的满刻度

10 ％至20％的满刻度

20至100％的满刻度

民

–30

–25

–20

典型值

—

—

—

最大

+30

+25

+20

单位

%

%

%

表2.绝对最大额定值

参数

储存温度

在偏置环境温度

电源电压

电压的任何引脚对地

（不包括IIN ， IOUT ）

无铅焊锡温度（ 10秒）

DC隔离

符号

T

英镑

T

A

V

DD

V

IN

-

-

–0.5

民

–65

–40

典型值

最大

+150

+125

5.75

VDD + 0.5

260

1000

单位

C

C

V

V

C

VDC

注意：

如果上述绝对最大额定值被超过，可能会出现永久性设备损坏。功能操作

应限于条件，在此数据表的业务部门指定。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。

初步修订版0.1

5