Si8472DB
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
()
0.044在V
GS
= 4.5 V
20
0.050在V
GS
= 2.5 V
0.056在V
GS
= 1.8 V
0.070在V
GS
= 1.5 V
I
D
(A)
A，E
4.5
4.2
4.0
1.5
6.8 NC
Q
g
（典型值）。
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
基带开关
DC / DC转换器
- 升压转换器
智能手机，便携式媒体播放器
MICRO FOOT
凹凸面
意见
背面
意见
D
8
472
S
2
G
1
XXX
S
3
D
4
G
器件标识：
8472
XXX =日期/批次追踪码
订货信息：
Si8472DB -T2 -E1 （铅（ Pb），并且无卤素）
S
N沟道
MOSFET
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
A
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲（ T = 300微秒）
连续源极 - 漏极二极管电流
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
最大功率耗散
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
包装回流条件
c
VPR
IR /对流
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
20
±8
4.5
a
3.6
a
3.3
b
2.6
b
20
1.5
a
0.65
b
1.8
a
1.1
a
0.78
b
0.5
b
- 55 150
260
260
°C
W
A
单位
V
注意事项：
一。表面安装1" X 1" FR4板，全铜的，T = 10秒。
B 。表面安装1" X 1" FR4板最小铜，T = 10秒。
。参阅IPC / JEDEC （ J-STD- 020C ） ，无需人工或手工焊接。
。在这份文件中，凡提述的情况下代表MICRO FOOT器件的身体和脚的凹凸。
。基于T
A
= 25 °C.
文档编号： 63300
S11-1387 -REV 。 A， 11 -JUL- 11
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热电阻额定值
参数
最大结点到环境
A，B
最大结点到环境
C，D
吨≤ 10秒
吨≤ 10秒
符号
R
thJA
典型
55
125
最大
70
160
单位
° C / W
注意事项：
一。表面安装1" X 1" FR4板，全铜。
B 。在稳态条件下最大为100 ° C / W 。
。表面安装1" X 1" FR4板最小铜。
。在稳态条件下最大为190 ° C / W 。
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
DS
V
DS
/T
J
V
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 8 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70 °C
V
DS
-
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1.5 A
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 1 A
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 1 A
V
GS
= 1.5 V，I
D
= 0.5 A
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 6.7
I
D
- 1.5 A，V
根
= - 8 V ，R
g
= 1
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 6.7
I
D
1.5 A，V
根
= - 4.5 V ，R
g
= 1
V
GS
= 0.1 V，F = 1兆赫
V
DS
= 10 V, V
GS
= 8 V，I
D
= 1.5 A
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1.5 A
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
630
105
42
12
6.8
0.8
1.1
5.3
7
15
30
10
5
15
30
10
15
30
60
20
10
30
60
20
ns
18
11
nC
pF
g
fs
V
DS
= 10 V，I
D
= 1.5 A
10
0.036
0.041
0.046
0.050
16
0.044
0.050
0.056
0.070
S
0.4
20
16
- 2.6
0.9
± 100
1
10
V
毫伏/°C的
V
nA
A
A
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
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特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= 1.5 A ， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= 1.5 A，V
GS
= 0
0.7
15
6
7
8
T
A
= 25 °C
1.5
20
1.2
30
15
A
V
ns
nC
ns
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
20
V
GS
= 5 V直通2 V
16
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
V
GS
= 1.5 V
12
8
10
6
T
C
= 25
°C
8
4
T
C
= 125
°C
2
4
V
GS
= 1 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
2.0
T
C
= - 55
°C
0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
1.5
输出特性
传输特性
0.10
800
V
GS
= 1.5 V
C
国际空间站
600
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.08
- 电容（pF ）
0.06
V
GS
= 1.8 V
V
GS
= 2.5 V
0.04
V
GS
= 4.5 V
0.02
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（ A）
400
200
C
OSS
C
RSS
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流和栅极电压
电容
8
I
D
= 1.5 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻（标准化）
7
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
V
DS
= 5 V
V
DS
= 16 V
V
DS
= 10 V
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
- 50
V
GS
= 1.5 V ;我
D
= 0.5 A
V
GS
= 4.5 V ， 2.5 V ， 1.8 V ;我
D
= 1.5 A
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
100
0.10
I
D
= 1.5 A
0.08
10
T
J
= 150
°C
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
I
S
- 源电流（ A）
0.06
T
J
= 125
°C
1
T
J
= 25
°C
0.04
T
J
= 25
°C
0.02
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
1.2
0.00
0
1
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
0.8
导通电阻与栅极至源极电压
25
0.7
20
0.6
功率（W）的
125
150
V
GS （ TH）
(V)
I
D
= 250 μA
0.5
15
10
0.4
0.3
5
0.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
0
0.001
0.01
0.1
1
时间（s）
10
100
1000
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
100
限于由R
DS （ ON）
*
10
I
D
- 漏电流（ A）
单脉冲功率，结到环境
100
μs
1
1毫秒
10毫秒
0.1
T
A
= 25
°C
BVDSS有限公司
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
100毫秒
10 s, 1 s
DC
安全工作区，结到环境
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