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Si8440/41/42/45
L
O w制备
- P
宽E
Q
ü A D
- C
H A N N 左
D
我G I TA L
I
S 0 L A T O服务
特点
高速运行
DC
高达2500 V
RMS
隔离
60年的生命,在额定工作
无需开机初始化
电压
宽工作电源电压:
精确定时(典型值)
2.70–5.5 V
<10 NS最坏的情况下
宽工作电源电压:
1.5纳秒的脉冲宽度失真
2.70–5.5V
0.5 ns的通道间的偏移
2 ns传播延迟偏差
超低功耗(典型值)
6 ns的最小脉冲宽度
5 V工作:
瞬态抗扰度25 KV / μs的
每通道< 1.6毫安在1 Mbps的
每个通道< 6毫安速率为100 Mbps
AEC- Q100认证
2.70 V工作:
工作温度范围宽
& LT ;
以150 Mbps的
在1Mbps的每通道1.4毫安
-40至125℃ ,在150 Mbps的
每通道< 4毫安速率为100 Mbps
RoHS兼容封装
高电磁抗扰度
SOIC -16宽体
SOIC -16窄体
应用
工业自动化系统
混合动力电动汽车
隔离开关模式电源
隔离式ADC , DAC
电机控制
电源逆变器
通信系统
订货信息:
参见第27页。
安全管理机构认证
UL 1577认可
Up
VDE认证合格
IEC
到2500 V
RMS
1分钟
CSA组件5A的通知
赞同
IEC
60747-5-2
( VDE0884第2部分)
60950-1, 61010-1
(增强
保温)
描述
硅实验室的系列超低功耗数字隔离器CMOS
设备提供了大量的数据传输速率,传输延迟,功耗,尺寸,
相比于传统的可靠性和外部BOM的优势
隔离技术。这些产品的操作参数
保持稳定跨越很宽的温度范围内其整个
使用寿命。为了简化设计,只有VDD旁路电容是
所需。
数据传输速率高达150 Mbps的支持,并且所有设备实现
小于10纳秒的最坏情况下的传播延迟。所有产品均
安全性通过UL认证, CSA和VDE和支持耐受电压
高达2.5kVrms的。这些器件采用16引脚宽和
窄体SOIC封装。
修订版1.5 3/12
版权所有2012 Silicon Laboratories公司
Si8440/41/42/45
Si8440/41/42/45
2
REV 。 1.5
Si8440/41/42/45
T
ABLE
部分
OF
C
ONTENTS
页面
1.电气规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.4
2.功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
2.1 。操作理论。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
2.2 。眼图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
2.3 。设备操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
2.4 。布局建议。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
2.5 。典型性能特征。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
3.勘误和设计移植指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
3.1 。使能引脚会导致输出变为低电平(修订版C只) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
3.2 。电源旁路电容(修订版C和D版本) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
3.3 。闭锁抗扰度(仅C版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
4.引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
5.订购指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
6.包装外形: 16引脚宽体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
7.土地模式: 16引脚宽体SOIC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
8.包装外形: 16引脚窄体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
9.盘图形: 16引脚窄体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
10.顶部标记: 16引脚宽体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.34
10.1 。 16引脚宽体SOIC顶部标记。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.34
10.2 。顶部标记说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
11.顶部标记: 16引脚窄体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
11.1 。 16引脚窄体SOIC顶部标记。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
11.2 。顶部标记说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
文档更改列表。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.36
联系信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.38
REV 。 1.5
3
Si8440/41/42/45
1.电气连接特定的阳离子
表1.推荐工作条件
参数
工作环境温度*
电源电压
符号
T
A
V
DD1
V
DD2
测试条件
150 Mbps的, 15 pF的, 5 V
–40
2.70
2.70
典型值
25
最大
125
5.5
5.5
单位
C
V
V
*注意:
最高环境温度是依赖于数据的频率,输出负载,操作信道的数目,
和电源电压。
表2.绝对最大额定值
1
参数
储存温度
2
在偏置环境温度
电源电压(修订版C )
3
电源电压(修订版D)
3
输入电压
输出电压
输出电流驱动通道
无铅焊锡温度( 10秒)
最大绝缘电压( 1秒)
符号
T
英镑
T
A
V
DD1
, V
DD2
V
DD1
, V
DD2
V
I
V
O
I
O
–65
–40
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
典型值
最大
150
125
5.75
6.0
V
DD
+ 0.5
V
DD
+ 0.5
10
260
3600
单位
C
C
V
V
V
V
mA
C
V
RMS
注意事项:
1.
如果上述绝对最大额定值被超过,可能会出现永久性设备损坏。功能操作
应限于条件,在此数据表的业务部门指定。暴露在绝对
长时间最大额定值可能会降低性能。
2.
VDE认证范围为-40 150 ℃的储存温度。
3.
见"5.订购Guide" 27页了解更多信息。
4
REV 。 1.5
Si8440/41/42/45
表3.电气特性
(V
DD1
= 5 V ±10%, V
DD2
= 5 V± 10 % ,T
A
= -40 125 C ;适用于窄和宽体SOIC封装)
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入漏电流
输出阻抗
1
使能输入大电流
使能输入低电流
Si8440Ax , BX和Si8445Bx
V
DD1
V
DD2
V
DD1
V
DD2
Si8441Ax ,BX
V
DD1
V
DD2
V
DD1
V
DD2
Si8442Ax ,BX
V
DD1
V
DD2
V
DD1
V
DD2
Si8440Ax , BX和Si8445Bx
V
DD1
V
DD2
Si8441Ax ,BX
V
DD1
V
DD2
Si8442Ax ,BX
V
DD1
V
DD2
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
L
Z
O
I
ENH
I
ENL
测试条件
2.0
典型值
4.8
0.2
85
2.0
2.0
最大
0.8
0.4
±10
单位
V
V
V
V
A
A
A
陆= -4毫安
笑= 4毫安
V
DD1
,V
DD2
– 0.4
V
ENX
= V
IH
V
ENX
= V
IL
直流电源电流
(所有输入0 V或电源)
所有输入DC 0
所有输入DC 0
所有输入1 DC
所有输入1 DC
所有输入DC 0
所有输入DC 0
所有输入1 DC
所有输入1 DC
所有输入DC 0
所有输入DC 0
所有输入1 DC
所有输入1 DC
1.5
2.5
5.7
2.6
1.8
2.5
4.9
3.6
2.3
2.3
4.5
4.5
2.3
3.8
8.6
3.9
2.7
3.8
7.4
5.4
3.5
3.5
6.8
6.8
mA
mA
mA
1 Mbps的电源电流
(所有输入= 500 kHz方波, CI = 15 pF的所有输出)
3.6
3.0
3.5
3.4
3.6
3.6
5.4
3.9
5.3
5.1
5.4
5.4
mA
mA
mA
注意事项:
1.
隔离器驱动信道的标称输出阻抗是约85
,
± 40%,这是一个组合
该输出驱动FET的芯片上串联端接电阻和沟道电阻的值。当驱动负载
那里的传输线效应将是一个因素,输出引脚应适当封端的具有受控
阻抗PCB走线。
2.
t
PSK( P-P )
在传播延迟时间的差的大小,在操作不同的单元之间测量
相同的电源电压,负载和环境温度。
3.
请参阅第25页上的"3.勘误和设计移植Guidelines"了解更多详情。
4.
启动时间是从功率的应用,以有效的数据在输出端上的时间周期。
REV 。 1.5
5
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