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Si8440/41/42/45
L
O w制备
- P
宽E
Q
ü A D
- C
H A N N 左
D
我G I TA L
I
S 0 L A T O服务
特点
高速运行
DC
高达2500 V
RMS
隔离
60年的生命，在额定工作
无需开机初始化
电压
宽工作电源电压：
精确定时（典型值）
2.70–5.5 V
<10 NS最坏的情况下
宽工作电源电压：
1.5纳秒的脉冲宽度失真
2.70–5.5V
0.5 ns的通道间的偏移
2 ns传播延迟偏差
超低功耗（典型值）
6 ns的最小脉冲宽度
5 V工作：
瞬态抗扰度25 KV / μs的
每通道< 1.6毫安在1 Mbps的
每个通道< 6毫安速率为100 Mbps
AEC- Q100认证
2.70 V工作：
工作温度范围宽
＆ LT ;
以150 Mbps的
在1Mbps的每通道1.4毫安
-40至125℃ ，在150 Mbps的
每通道< 4毫安速率为100 Mbps
RoHS兼容封装
高电磁抗扰度
SOIC -16宽体
SOIC -16窄体
应用
工业自动化系统
混合动力电动汽车
隔离开关模式电源
隔离式ADC ， DAC
电机控制
电源逆变器
通信系统
订货信息：
参见第27页。
安全管理机构认证
UL 1577认可
Up
VDE认证合格
IEC
到2500 V
RMS
1分钟
CSA组件5A的通知
赞同
IEC
60747-5-2
（ VDE0884第2部分）
60950-1, 61010-1
（增强
保温）
描述
硅实验室的系列超低功耗数字隔离器CMOS
设备提供了大量的数据传输速率，传输延迟，功耗，尺寸，
相比于传统的可靠性和外部BOM的优势
隔离技术。这些产品的操作参数
保持稳定跨越很宽的温度范围内其整个
使用寿命。为了简化设计，只有VDD旁路电容是
所需。
数据传输速率高达150 Mbps的支持，并且所有设备实现
小于10纳秒的最坏情况下的传播延迟。所有产品均
安全性通过UL认证， CSA和VDE和支持耐受电压
高达2.5kVrms的。这些器件采用16引脚宽和
窄体SOIC封装。
修订版1.5 3/12
版权所有2012 Silicon Laboratories公司
Si8440/41/42/45
Si8440/41/42/45
2
REV 。 1.5
Si8440/41/42/45
T
ABLE
部分
OF
C
ONTENTS
页面
1.电气规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.4
2.功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
2.1 。操作理论。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
2.2 。眼图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
2.3 。设备操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
2.4 。布局建议。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
2.5 。典型性能特征。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
3.勘误和设计移植指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
3.1 。使能引脚会导致输出变为低电平（修订版C只） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
3.2 。电源旁路电容（修订版C和D版本） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
3.3 。闭锁抗扰度（仅C版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
4.引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
5.订购指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
6.包装外形： 16引脚宽体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
7.土地模式： 16引脚宽体SOIC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
8.包装外形： 16引脚窄体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
9.盘图形： 16引脚窄体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
10.顶部标记： 16引脚宽体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.34
10.1 。 16引脚宽体SOIC顶部标记。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.34
10.2 。顶部标记说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
11.顶部标记： 16引脚窄体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
11.1 。 16引脚窄体SOIC顶部标记。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
11.2 。顶部标记说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
文档更改列表。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.36
联系信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.38
REV 。 1.5
3
Si8440/41/42/45
1.电气连接特定的阳离子
表1.推荐工作条件
参数
工作环境温度*
电源电压
符号
T
A
V
DD1
V
DD2
测试条件
150 Mbps的， 15 pF的， 5 V
民
–40
2.70
2.70
典型值
25
—
—
最大
125
5.5
5.5
单位
C
V
V
*注意：
最高环境温度是依赖于数据的频率，输出负载，操作信道的数目，
和电源电压。
表2.绝对最大额定值
1
参数
储存温度
2
在偏置环境温度
电源电压（修订版C ）
3
电源电压（修订版D）
3
输入电压
输出电压
输出电流驱动通道
无铅焊锡温度（ 10秒）
最大绝缘电压（ 1秒）
符号
T
英镑
T
A
V
DD1
, V
DD2
V
DD1
, V
DD2
V
I
V
O
I
O
民
–65
–40
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
150
125
5.75
6.0
V
DD
+ 0.5
V
DD
+ 0.5
10
260
3600
单位
C
C
V
V
V
V
mA
C
V
RMS
注意事项：
1.
如果上述绝对最大额定值被超过，可能会出现永久性设备损坏。功能操作
应限于条件，在此数据表的业务部门指定。暴露在绝对
长时间最大额定值可能会降低性能。
2.
VDE认证范围为-40 150 ℃的储存温度。
3.
见"5.订购Guide" 27页了解更多信息。
4
REV 。 1.5
Si8440/41/42/45
表3.电气特性
(V
DD1
= 5 V ±10%, V
DD2
= 5 V± 10 ％ ，T
A
= -40 125 C ;适用于窄和宽体SOIC封装）
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入漏电流
输出阻抗
1
使能输入大电流
使能输入低电流
Si8440Ax ， BX和Si8445Bx
V
DD1
V
DD2
V
DD1
V
DD2
Si8441Ax ，BX
V
DD1
V
DD2
V
DD1
V
DD2
Si8442Ax ，BX
V
DD1
V
DD2
V
DD1
V
DD2
Si8440Ax ， BX和Si8445Bx
V
DD1
V
DD2
Si8441Ax ，BX
V
DD1
V
DD2
Si8442Ax ，BX
V
DD1
V
DD2
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
L
Z
O
I
ENH
I
ENL
测试条件
民
2.0
—
典型值
—
—
4.8
0.2
—
85
2.0
2.0
最大
—
0.8
—
0.4
±10
—
—
—
单位
V
V
V
V
A
A
A
陆= -4毫安
笑= 4毫安
V
DD1
,V
DD2
– 0.4
—
—
—
V
ENX
= V
IH
V
ENX
= V
IL
—
—
直流电源电流
（所有输入0 V或电源）
所有输入DC 0
所有输入DC 0
所有输入1 DC
所有输入1 DC
所有输入DC 0
所有输入DC 0
所有输入1 DC
所有输入1 DC
所有输入DC 0
所有输入DC 0
所有输入1 DC
所有输入1 DC
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
2.5
5.7
2.6
1.8
2.5
4.9
3.6
2.3
2.3
4.5
4.5
2.3
3.8
8.6
3.9
2.7
3.8
7.4
5.4
3.5
3.5
6.8
6.8
mA
mA
mA
1 Mbps的电源电流
（所有输入= 500 kHz方波， CI = 15 pF的所有输出）
—
—
—
—
—
—
3.6
3.0
3.5
3.4
3.6
3.6
5.4
3.9
5.3
5.1
5.4
5.4
mA
mA
mA
注意事项：
1.
隔离器驱动信道的标称输出阻抗是约85
,
± 40％，这是一个组合
该输出驱动FET的芯片上串联端接电阻和沟道电阻的值。当驱动负载
那里的传输线效应将是一个因素，输出引脚应适当封端的具有受控
阻抗PCB走线。
2.
t
PSK（ P-P ）
在传播延迟时间的差的大小，在操作不同的单元之间测量
相同的电源电压，负载和环境温度。
3.
请参阅第25页上的"3.勘误和设计移植Guidelines"了解更多详情。
4.
启动时间是从功率的应用，以有效的数据在输出端上的时间周期。
REV 。 1.5
5
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