Si8430/31/35

L

O w制备

- P

宽E

T

R I P L E

- C

H A N N 左

D

我G I TA L

I

S 0 L A T O服务

特点

高速运行

DC

高达2500 V

RMS

隔离

60年的生命，在额定工作

无需开机初始化

电压

宽工作电源电压：

精确定时（典型值）

2.70–5.5 V

<10 NS最坏的情况下

宽工作电源电压：

1.5纳秒的脉冲宽度失真

2.70–5.5V

0.5 ns的通道间的偏移

2 ns传播延迟偏差

超低功耗（典型值）

6 ns的最小脉冲宽度

5 V工作：

瞬态抗扰度25 KV / μs的

每通道< 1.6毫安在1 Mbps的

每个通道< 6毫安速率为100 Mbps

AEC- Q100认证

2.70 V工作：

工作温度范围宽

＆ LT ;

以150 Mbps的

在1Mbps的每通道1.4毫安

-40至125℃ ，在150 Mbps的

每通道< 4毫安速率为100 Mbps

RoHS兼容封装

高电磁抗扰度

SOIC -16宽体

SOIC -16窄体

应用

工业自动化系统

混合动力电动汽车

隔离开关模式电源

隔离式ADC ， DAC

电机控制

电源逆变器

通信系统

订货信息：

参见第27页。

安全管理机构认证

UL 1577认可

Up

VDE认证合格

IEC

到2500 V

RMS

1分钟

CSA组件5A的通知

赞同

IEC

60747-5-2

（ VDE0884第2部分）

60950-1, 61010-1

（增强

保温）

描述

硅实验室的系列超低功耗数字隔离器CMOS

设备提供了大量的数据传输速率，传输延迟，功耗，尺寸，

相比于传统的可靠性和外部BOM的优势

隔离技术。这些产品的操作参数

保持稳定跨越很宽的温度范围内其整个

使用寿命，并且只有VDD的旁路电容器。

数据传输速率高达150 Mbps的支持，并且所有设备实现

小于10纳秒的最坏情况下的传播延迟。所有产品均

安全性通过UL认证， CSA和VDE和支持耐受电压

高达2.5千伏

RMS

。这些器件采用16引脚宽和

窄体SOIC封装。

修订版1.5 3/12

版权所有2012 Silicon Laboratories公司

Si8430/31/35

Si8430/31/35

2

REV 。 1.5

Si8430/31/35

T

ABLE

部分

OF

C

ONTENTS

页面

1.电气规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.4

2.功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18

2.1 。操作理论。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18

2.2 。眼图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19

2.3 。设备操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20

2.4 。布局建议。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22

2.5 。典型性能特征。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23

3.勘误和设计移植指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25

3.1 。使能引脚会导致输出变为低电平（修订版C只） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25

3.2 。电源旁路电容（修订版C和D版本） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25

3.3 。闭锁抗扰度（仅C版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25

4.引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26

5.订购指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27

6.包装外形： 16引脚宽体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29

7.土地模式： 16引脚宽体SOIC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十

8.包装外形： 16引脚窄体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31

9.盘图形： 16引脚窄体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33

10.顶部标记： 16引脚宽体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.34

10.1 。 16引脚宽体SOIC顶部标记。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.34

10.2 。顶部标记说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34

11.顶部标记： 16引脚窄体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35

11.1 。 16引脚窄体SOIC顶部标记。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35

11.2 。顶部标记说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35

文档更改列表。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.36

联系信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.38

REV 。 1.5

3

Si8430/31/35

1.电气连接特定的阳离子

表1.推荐工作条件

参数

工作环境温度*

电源电压

符号

T

A

V

DD1

V

DD2

测试条件

150 Mbps的， 15 pF的， 5 V

民

–40

2.70

2.70

典型值

25

—

—

最大

125*

5.5

5.5

单位

°C

V

V

*注意：

最高环境温度是依赖于数据的频率，输出负载，操作信道的数目，

和电源电压。

表2.绝对最大额定值

1

参数

储存温度

2

工作温度

电源电压（修订版C ）

3

电源电压（修订版D）

3

输入电压

输出电压

输出电流驱动通道

无铅焊锡温度（ 10秒）

最大绝缘电压（ 1秒）

符号

T

英镑

T

A

V

DD1

, V

DD2

V

DD1

, V

DD2

V

I

V

O

I

O

民

–65

–40

–0.5

–0.5

–0.5

–0.5

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

—

—

—

—

最大

150

125

5.75

6.0

V

DD

+ 0.5

V

DD

+ 0.5

10

260

3600

单位

°C

°C

V

V

V

V

mA

°C

V

RMS

注意事项：

1.

如果绝对最大额定值超过可能出现永久性损坏设备。功能操作应

限于条件，在此数据表的业务部门指定。

2.

VDE认证范围为-40 150 ℃的储存温度。

3.

见"5.订购Guide" 27页了解更多信息。

4

REV 。 1.5

Si8430/31/35

表3.电气特性

(V

DD1

= 5 V ±10%, V

DD2

= 5 V± 10 ％ ，T

A

= -40 125 C ;适用于窄和宽体SOIC封装）

参数

高电平输入电压

低电平输入电压

高电平输出电压

低电平输出电压

输入漏电流

输出阻抗

1

使能输入大电流

使能输入低电流

Si8430Ax ， BX和Si8435Bx

V

DD1

V

DD2

V

DD1

V

DD2

Si8431Ax ，BX

V

DD1

V

DD2

V

DD1

V

DD2

Si8430Ax ， BX和Si8435Bx

V

DD1

V

DD2

Si8431Ax ，BX

V

DD1

V

DD2

Si8430Bx ， Si8435Bx

V

DD1

V

DD2

Si8431Bx

V

DD1

V

DD2

符号

V

IH

V

IL

V

OH

V

OL

I

L

Z

O

I

ENH

I

ENL

测试条件

民

2.0

—

典型值

—

—

4.8

0.2

—

85

2.0

2.0

最大

—

0.8

—

0.4

±10

—

—

—

单位

V

V

V

V

A

A

A

陆= -4毫安

笑= 4毫安

V

DD1

,V

DD2

– 0.4

—

—

—

V

ENX

= V

IH

V

ENX

= V

IL

—

—

直流电源电流

（所有输入0 V或电源）

所有输入DC 0

所有输入DC 0

所有输入1 DC

所有输入1 DC

所有输入DC 0

所有输入DC 0

所有输入1 DC

所有输入1 DC

—

—

—

—

—

—

—

—

1.2

1.9

4.2

1.9

1.7

2.0

3.7

3.0

1.8

2.9

6.3

2.9

2.6

3.0

5.6

4.5

mA

mA

1 Mbps的电源电流

（所有输入= 500 kHz方波， CI = 15 pF的所有输出）

—

—

—

—

2.7

2.2

2.8

2.7

4.1

3.3

4.2

4.1

mA

mA

10 Mbps的电源电流

（所有输入= 5 MHz的方波， CI = 15 pF的所有输出）

—

—

—

—

2.7

3.0

3.1

3.2

4.1

4.2

4.3

4.5

mA

mA

注意事项：

1.

隔离器驱动信道的标称输出阻抗是约85

,

± 40％，这是一个组合

该输出驱动FET的芯片上串联端接电阻和沟道电阻的值。当驱动负载

那里的传输线效应将是一个因素，输出引脚应适当封端的具有受控

阻抗PCB走线。

2.

t

PSK（ P-P ）

在传播延迟时间的差的大小，在操作不同的单元之间测量

相同的电源电压，负载和环境温度。

3.

请参阅第25页上的"3.勘误和设计移植Guidelines"了解更多详情。

4.

启动时间是从功率的应用，以有效的数据在输出端上的时间周期。

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