添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1672页 > SI8431
Si8430/31/35
T
R I P L E
- C
H A N N 左
D
我G I TA L
I
S 0 L A T O服务
特点
高速操作：
DC - 150 Mbps的
低传播延迟：
小于10纳秒
宽工作电源电压：
2.375-5.5V
低功耗： I1 + I2 <
12毫安/通道速率为100 Mbps
精确定时：
2纳秒脉冲宽度失真
1 ns的通道间匹配
2纳秒脉冲宽度偏差
2500 V
RMS
隔离
瞬变抗扰度： >25 KV / μs的
三态输出与ENABLE
控制
DC正确
无需开机初始化
<10 μs的启动时间
工作温度最高可达：
125 ℃的速率为100 Mbps
100℃ ，在150 Mbps的
宽体SOIC -16封装
引脚分配
宽体SOIC
V
DD1
GND1
A1
A2
A3
NC
EN1/NC
GND1
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
V
DD2
GND2
B1
B2
B3
NC
EN2/NC
GND2
应用
隔离开关模式电源
隔离式ADC ， DAC
电机控制
功率因数校正系统
安全管理机构认证
UL认证： 2500 V
RMS
FOR 1
每UL1577分钟
CSA元件验收
通告
VDE认证合格
IEC 60747-5-2
（ VDE0884第2部分）
描述
硅实验室的系列数字隔离器是采用CMOS器件
一个射频耦合器，以在一个隔离传输数字信息
屏障。达到在低功率电平非常高的速度运转。
这些器件采用16引脚宽体SOIC封装。三
速度等级选项（ 1 ， 10 ， 150 Mbps）的可实现
小于10纳秒的典型传播延迟。
框图
Si8430/35
Si8431
A1
A2
A3
NC
B1
B2
B3
EN2/NC
A1
A2
A3
EN1
B1
B2
B3
EN2
修订版0.3 8/07
版权所有2007 Silicon Laboratories公司
Si8430/31/35
Si8430/31/35
2
修订版0.3
Si8430/31/35
T
A B L E
部分
OF
C
0：N T E TS
页面
1.电气规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.4
2.典型性能特征。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
3.应用程序信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
3.1 。操作理论。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
3.2 。眼图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
4.布局建议。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
4.1 。电源旁路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
4.2 。输入和输出特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
4.3 。使能（ EN1 ， EN2 ）输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
4.4 。射频辐射干扰。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
4.5 。 RF抗扰性和共模瞬态抑制能力。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
5.引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
6.订购指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
7.包装外形：宽体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.27
文档更改列表。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.28
联系信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.30
修订版0.3
3
Si8430/31/35
1.电气连接特定的阳离子
表1.电气特性
(V
DD1
= 5 V, V
DD2
= 5 V ，T
A
= -40 125 ℃）
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入漏电流
使能输入大电流
使能输入低电流
Si8430 / 35 -A ， -B，-C ，V
DD1
Si8430 / 35 -A ， -B，-C ，V
DD2
Si8430 / 35 -A ， -B，-C ，V
DD1
Si8430 / 35 -A ， -B，-C ，V
DD2
Si8431 -A ， -B，-C ，V
DD1
Si8431 -A ， -B，-C ，V
DD2
Si8431 -A ， -B，-C ，V
DD1
Si8431 -A ， -B，-C ，V
DD2
Si8430 / 35 -B ， -C ，V
DD1
Si8430 / 35 -B ， -C ，V
DD2
Si8431 -B ，-C ，V
DD1
Si8431 -B ，-C ，V
DD2
Si8430 -C ，V
DD1
Si8430 -C ，V
DD2
Si8431 -C ，V
DD1
Si8431 -C ，V
DD2
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
L
I
ENH
I
ENL
测试条件
民
2.0
—
典型值
—
—
4.8
0.2
—
4
20
7
6
14
6
8
10
13
12
11
13
12
13
11
23
13
21
最大
—
0.8
—
0.4
±10
—
—
10
9
18
9
12
15
19
17
15
17
16
17
15
28
18
26
单位
V
V
V
V
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
陆= -4毫安
笑= 4毫安
V
ENX
= V
IH
V
ENX
= V
IL
所有输入DC 0
所有输入DC 0
所有输入1 DC
所有输入1 DC
所有输入DC 0
所有输入DC 0
所有输入1 DC
所有输入1 DC
V
DD1
,V
DD2
– 0.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
直流电源电流
（所有输入0 V或电源）
10 Mbps的电源电流
（所有输入= 5 MHz的方波， CI = 15 pF的所有输出）
100 Mbps的电源电流
（所有输入= 50 MHz的方波， CI = 15 pF的所有输出）
4
修订版0.3
Si8430/31/35
表1.电气特性（续）
(V
DD1
= 5 V, V
DD2
= 5 V ，T
A
= -40 125 ℃）
参数
Si843x-A
最大数据速率
最小脉冲宽度
传播延迟
脉冲宽度失真
|t
PLH
- t
PHL
|
符号
测试条件
时序特性
民
典型值
最大
单位
0
—
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK（ P-P ）
t
PSK
见图2
见图2
—
—
—
—
0
—
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK（ P-P ）
t
PSK
见图2
见图2
—
—
—
—
0
—
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK（ P-P ）
t
PSK
见图2
见图2
4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.5
—
—
—
1
1000
75
30
50
40
10
100
35
7.5
25
5
150
6.6
9.5
3
5.5
3
Mbps的
ns
ns
ns
ns
ns
Mbps的
ns
ns
ns
ns
ns
Mbps的
ns
ns
ns
ns
ns
传播延迟偏斜
1
通道间的偏移
Si843x-B
最大数据速率
最小脉冲宽度
传播延迟
脉冲宽度失真
|t
PLH
- t
PHL
|
传播延迟偏斜
1
通道间的偏移
Si843x-C
最大数据速率
最小脉冲宽度
传播延迟
脉冲宽度失真
|t
PLH
- t
PHL
|
传播延迟偏斜
1
通道间的偏移
修订版0.3
5
Si8430/31/35
L
O w制备
- P
宽E
T
R I P L E
- C
H A N N 左
D
我G I TA L
I
S 0 L A T O服务
特点
高速运行
DC
高达2500 V
RMS
隔离
60年的生命，在额定工作
无需开机初始化
电压
宽工作电源电压：
精确定时（典型值）
2.70–5.5 V
<10 NS最坏的情况下
宽工作电源电压：
1.5纳秒的脉冲宽度失真
2.70–5.5V
0.5 ns的通道间的偏移
2 ns传播延迟偏差
超低功耗（典型值）
6 ns的最小脉冲宽度
5 V工作：
瞬态抗扰度25 KV / μs的
每通道< 1.6毫安在1 Mbps的
每个通道< 6毫安速率为100 Mbps
AEC- Q100认证
2.70 V工作：
工作温度范围宽
＆ LT ;
以150 Mbps的
在1Mbps的每通道1.4毫安
-40至125℃ ，在150 Mbps的
每通道< 4毫安速率为100 Mbps
RoHS兼容封装
高电磁抗扰度
SOIC -16宽体
SOIC -16窄体
应用
工业自动化系统
混合动力电动汽车
隔离开关模式电源
隔离式ADC ， DAC
电机控制
电源逆变器
通信系统
订货信息：
参见第27页。
安全管理机构认证
UL 1577认可
Up
VDE认证合格
IEC
到2500 V
RMS
1分钟
CSA组件5A的通知
赞同
IEC
60747-5-2
（ VDE0884第2部分）
60950-1, 61010-1
（增强
保温）
描述
硅实验室的系列超低功耗数字隔离器CMOS
设备提供了大量的数据传输速率，传输延迟，功耗，尺寸，
相比于传统的可靠性和外部BOM的优势
隔离技术。这些产品的操作参数
保持稳定跨越很宽的温度范围内其整个
使用寿命，并且只有VDD的旁路电容器。
数据传输速率高达150 Mbps的支持，并且所有设备实现
小于10纳秒的最坏情况下的传播延迟。所有产品均
安全性通过UL认证， CSA和VDE和支持耐受电压
高达2.5千伏
RMS
。这些器件采用16引脚宽和
窄体SOIC封装。
修订版1.5 3/12
版权所有2012 Silicon Laboratories公司
Si8430/31/35
Si8430/31/35
2
REV 。 1.5
Si8430/31/35
T
ABLE
部分
OF
C
ONTENTS
页面
1.电气规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.4
2.功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
2.1 。操作理论。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
2.2 。眼图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
2.3 。设备操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
2.4 。布局建议。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
2.5 。典型性能特征。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
3.勘误和设计移植指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
3.1 。使能引脚会导致输出变为低电平（修订版C只） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
3.2 。电源旁路电容（修订版C和D版本） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
3.3 。闭锁抗扰度（仅C版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
4.引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
5.订购指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
6.包装外形： 16引脚宽体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
7.土地模式： 16引脚宽体SOIC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
8.包装外形： 16引脚窄体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
9.盘图形： 16引脚窄体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
10.顶部标记： 16引脚宽体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.34
10.1 。 16引脚宽体SOIC顶部标记。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.34
10.2 。顶部标记说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
11.顶部标记： 16引脚窄体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
11.1 。 16引脚窄体SOIC顶部标记。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
11.2 。顶部标记说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
文档更改列表。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.36
联系信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.38
REV 。 1.5
3
Si8430/31/35
1.电气连接特定的阳离子
表1.推荐工作条件
参数
工作环境温度*
电源电压
符号
T
A
V
DD1
V
DD2
测试条件
150 Mbps的， 15 pF的， 5 V
民
–40
2.70
2.70
典型值
25
—
—
最大
125*
5.5
5.5
单位
°C
V
V
*注意：
最高环境温度是依赖于数据的频率，输出负载，操作信道的数目，
和电源电压。
表2.绝对最大额定值
1
参数
储存温度
2
工作温度
电源电压（修订版C ）
3
电源电压（修订版D）
3
输入电压
输出电压
输出电流驱动通道
无铅焊锡温度（ 10秒）
最大绝缘电压（ 1秒）
符号
T
英镑
T
A
V
DD1
, V
DD2
V
DD1
, V
DD2
V
I
V
O
I
O
民
–65
–40
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
150
125
5.75
6.0
V
DD
+ 0.5
V
DD
+ 0.5
10
260
3600
单位
°C
°C
V
V
V
V
mA
°C
V
RMS
注意事项：
1.
如果绝对最大额定值超过可能出现永久性损坏设备。功能操作应
限于条件，在此数据表的业务部门指定。
2.
VDE认证范围为-40 150 ℃的储存温度。
3.
见"5.订购Guide" 27页了解更多信息。
4
REV 。 1.5
Si8430/31/35
表3.电气特性
(V
DD1
= 5 V ±10%, V
DD2
= 5 V± 10 ％ ，T
A
= -40 125 C ;适用于窄和宽体SOIC封装）
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入漏电流
输出阻抗
1
使能输入大电流
使能输入低电流
Si8430Ax ， BX和Si8435Bx
V
DD1
V
DD2
V
DD1
V
DD2
Si8431Ax ，BX
V
DD1
V
DD2
V
DD1
V
DD2
Si8430Ax ， BX和Si8435Bx
V
DD1
V
DD2
Si8431Ax ，BX
V
DD1
V
DD2
Si8430Bx ， Si8435Bx
V
DD1
V
DD2
Si8431Bx
V
DD1
V
DD2
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
L
Z
O
I
ENH
I
ENL
测试条件
民
2.0
—
典型值
—
—
4.8
0.2
—
85
2.0
2.0
最大
—
0.8
—
0.4
±10
—
—
—
单位
V
V
V
V
A
A
A
陆= -4毫安
笑= 4毫安
V
DD1
,V
DD2
– 0.4
—
—
—
V
ENX
= V
IH
V
ENX
= V
IL
—
—
直流电源电流
（所有输入0 V或电源）
所有输入DC 0
所有输入DC 0
所有输入1 DC
所有输入1 DC
所有输入DC 0
所有输入DC 0
所有输入1 DC
所有输入1 DC
—
—
—
—
—
—
—
—
1.2
1.9
4.2
1.9
1.7
2.0
3.7
3.0
1.8
2.9
6.3
2.9
2.6
3.0
5.6
4.5
mA
mA
1 Mbps的电源电流
（所有输入= 500 kHz方波， CI = 15 pF的所有输出）
—
—
—
—
2.7
2.2
2.8
2.7
4.1
3.3
4.2
4.1
mA
mA
10 Mbps的电源电流
（所有输入= 5 MHz的方波， CI = 15 pF的所有输出）
—
—
—
—
2.7
3.0
3.1
3.2
4.1
4.2
4.3
4.5
mA
mA
注意事项：
1.
隔离器驱动信道的标称输出阻抗是约85
,
± 40％，这是一个组合
该输出驱动FET的芯片上串联端接电阻和沟道电阻的值。当驱动负载
那里的传输线效应将是一个因素，输出引脚应适当封端的具有受控
阻抗PCB走线。
2.
t
PSK（ P-P ）
在传播延迟时间的差的大小，在操作不同的单元之间测量
相同的电源电压，负载和环境温度。
3.
请参阅第25页上的"3.勘误和设计移植Guidelines"了解更多详情。
4.
启动时间是从功率的应用，以有效的数据在输出端上的时间周期。
REV 。 1.5
5
查看更多SI8431PDF信息
推荐型号
S83C196KB
SMG3D60C
SIOV-S10K275GS3R5
SDS680R-223M
SPPW811200
SY100EL16VAZCTR
S3EB-5V
SMBG5352B
S29GL032N11TFI040
ST92F150JR1TB
SHD126145
SN74ALS467A
SY100EP14U
SHP-400+
SN74LS673DW
SDR1030-100M
SN74LVC139ADBRG4
SF_BDY25
SH7144F-ZTAT
STBK0D2
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SI8431
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
查询更多SI8431供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！