Si8430/31/35
T
R I P L E
- C
H A N N 左
D
我G I TA L
I
S 0 L A T O服务
特点
高速操作：
DC - 150 Mbps的
低传播延迟：
小于10纳秒
宽工作电源电压：
2.375-5.5V
低功耗： I1 + I2 <
12毫安/通道速率为100 Mbps
精确定时：
2纳秒脉冲宽度失真
1 ns的通道间匹配
2纳秒脉冲宽度偏差
2500 V
RMS
隔离
瞬变抗扰度： >25 KV / μs的
三态输出与ENABLE
控制
DC正确
无需开机初始化
<10 μs的启动时间
工作温度最高可达：
125 ℃的速率为100 Mbps
100℃ ，在150 Mbps的
宽体SOIC -16封装
引脚分配
宽体SOIC
V
DD1
GND1
A1
A2
A3
NC
EN1/NC
GND1
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
V
DD2
GND2
B1
B2
B3
NC
EN2/NC
GND2
应用
隔离开关模式电源
隔离式ADC ， DAC
电机控制
功率因数校正系统
安全管理机构认证
UL认证： 2500 V
RMS
FOR 1
每UL1577分钟
CSA元件验收
通告
VDE认证合格
IEC 60747-5-2
（ VDE0884第2部分）
描述
硅实验室的系列数字隔离器是采用CMOS器件
一个射频耦合器，以在一个隔离传输数字信息
屏障。达到在低功率电平非常高的速度运转。
这些器件采用16引脚宽体SOIC封装。三
速度等级选项（ 1 ， 10 ， 150 Mbps）的可实现
小于10纳秒的典型传播延迟。
框图
Si8430/35
Si8431
A1
A2
A3
NC
B1
B2
B3
EN2/NC
A1
A2
A3
EN1
B1
B2
B3
EN2
修订版0.3 8/07
版权所有2007 Silicon Laboratories公司
Si8430/31/35
Si8430/31/35
T
A B L E
部分
OF
C
0：N T E TS
页面
1.电气规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.4
2.典型性能特征。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
3.应用程序信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
3.1 。操作理论。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
3.2 。眼图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
4.布局建议。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
4.1 。电源旁路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
4.2 。输入和输出特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
4.3 。使能（ EN1 ， EN2 ）输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
4.4 。射频辐射干扰。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
4.5 。 RF抗扰性和共模瞬态抑制能力。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
5.引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
6.订购指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
7.包装外形：宽体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.27
文档更改列表。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.28
联系信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.30
修订版0.3
3
Si8430/31/35
1.电气连接特定的阳离子
表1.电气特性
(V
DD1
= 5 V, V
DD2
= 5 V ，T
A
= -40 125 ℃）
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入漏电流
使能输入大电流
使能输入低电流
Si8430 / 35 -A ， -B，-C ，V
DD1
Si8430 / 35 -A ， -B，-C ，V
DD2
Si8430 / 35 -A ， -B，-C ，V
DD1
Si8430 / 35 -A ， -B，-C ，V
DD2
Si8431 -A ， -B，-C ，V
DD1
Si8431 -A ， -B，-C ，V
DD2
Si8431 -A ， -B，-C ，V
DD1
Si8431 -A ， -B，-C ，V
DD2
Si8430 / 35 -B ， -C ，V
DD1
Si8430 / 35 -B ， -C ，V
DD2
Si8431 -B ，-C ，V
DD1
Si8431 -B ，-C ，V
DD2
Si8430 -C ，V
DD1
Si8430 -C ，V
DD2
Si8431 -C ，V
DD1
Si8431 -C ，V
DD2
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
L
I
ENH
I
ENL
测试条件
民
2.0
—
典型值
—
—
4.8
0.2
—
4
20
7
6
14
6
8
10
13
12
11
13
12
13
11
23
13
21
最大
—
0.8
—
0.4
±10
—
—
10
9
18
9
12
15
19
17
15
17
16
17
15
28
18
26
单位
V
V
V
V
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
陆= -4毫安
笑= 4毫安
V
ENX
= V
IH
V
ENX
= V
IL
所有输入DC 0
所有输入DC 0
所有输入1 DC
所有输入1 DC
所有输入DC 0
所有输入DC 0
所有输入1 DC
所有输入1 DC
V
DD1
,V
DD2
– 0.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
直流电源电流
（所有输入0 V或电源）
10 Mbps的电源电流
（所有输入= 5 MHz的方波， CI = 15 pF的所有输出）
100 Mbps的电源电流
（所有输入= 50 MHz的方波， CI = 15 pF的所有输出）
4
修订版0.3
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