Si8424CDB
Vishay Siliconix公司
N沟道8 V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
（ Ω ）最大。
0.020在V
GS
= 4.5 V
0.021在V
GS
= 2.5 V
8
0.023在V
GS
= 1.8 V
0.028在V
GS
= 1.5 V
0.045在V
GS
= 1.2 V
I
D
(A)
A，E
10
9.7
9.3
8.4
5
25 NC
Q
g
（典型值）。
特点
TrenchFET
功率MOSFET
低导通电阻
超小型1.6毫米×1.6 mm最大大纲
超薄0.6毫米最大高度
材料分类：
对于合规的定义，请参见
www.vishay.com/doc?99912
应用
移动计算，智能手机，平板电脑
- 负荷开关
- 低压降开关
MICRO FOOT
凹凸面
意见
3
D
D
2
背面
意见
D
8424C
xxx
G
S
4
G
1
S
N沟道MOSFET
器件标识：
8424C
XXX =日期/批次追踪码
订货信息：
Si8424CDB -T1 -E1 （铅（ Pb），并且无卤素）
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
A
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲（ T = 300微秒）
连续源极 - 漏极二极管电流
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
最大功率耗散
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
包装回流条件
c
V
PR
IR /对流
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
8
±5
10
a
8
a
6.3
b
5.1
b
25
2.3
a
0.92
b
2.7
a
1.8
a
1.1
b
0.73
b
- 55 150
260
260
°C
W
A
单位
V
注意事项：
一。表面安装1" X 1" FR4板，全铜的，T = 5秒。
B 。表面安装1" X 1" FR4板最小铜，T = 5秒。
。请参考IPC / JEDEC （ J- STD- 020 ） ，无需人工或手工焊接。
。在这份文件中，凡提述的情况下代表MICRO FOOT器件的身体和脚的凹凸。
。基于T
A
= 25 °C.
文档编号： 63894
S12-2181 -REV 。 A， 10 - 09月12
如有技术问题，请联系：
pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
1
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
Si8424CDB
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
C，D
A，B
t=5s
t=5s
符号
R
thJA
R
thJA
典型
35
85
最大
45
110
单位
° C / W
注意事项：
一。表面安装1" X 1" FR4板，全铜的，T = 5秒。
B 。在稳态条件下最大为85 ° C / W 。
。表面安装1" X 1" FR4板最小铜，T = 5秒。
。在稳态条件下最大为175 ° C / W 。
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
符号
V
DS
V
DS
/T
J
V
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 5 V
V
DS
= 8 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 8 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70 °C
V
DS
5
V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 1 A
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 1 A
V
GS
= 1.5 V，I
D
= 1 A
V
GS
= 1.2 V，I
D
= 0.5 A
V
DS
= 4 V，I
D
= 2 A
0.35
分钟。
8
3
- 2.6
0.8
± 100
1
10
0.015
0.016
0.017
0.018
0.022
30
2340
870
600
25
3.3
3.6
3.5
13
19
73
20
0.020
0.021
0.023
0.028
0.045
典型值。
马克斯。
单位
V
毫伏/°C的
V
nA
A
A
5
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
g
fs
正向跨导
a
b
动态
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
栅极 - 源电荷
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
R
g
栅极电阻
t
D（上）
导通延迟时间
t
r
上升时间
t
D（关闭）
打开-O FF延迟时间
t
f
下降时间
漏源体二极管特性
I
S
连续源极 - 漏极二极管
I
SM
脉冲二极管正向电流
V
SD
体二极管电压
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
体二极管反向恢复电荷
t
a
反向恢复下降时间
t
b
反向恢复上升时间
S
V
DS
= 4 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
pF
40
nC
30
40
150
40
2.3
c
25
1.2
80
40
V
DS
= 4 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2 A
V
GS
= 0.1 V，F = 1兆赫
V
DD
= 4 V ，R
L
= 2
I
D
2 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
ns
T
A
= 25 °C
I
S
= 2 A，V
GS
= 0 V
0.7
40
20
15
25
A
V
ns
nC
ns
I
F
= 2 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。表面安装1" X 1" FR4板，全铜的，T = 5秒。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系：
pmostechsupport@vishay.com
文档编号： 63894
S12-2181 -REV 。 A， 10 - 09月12
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
Si8424CDB
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
25
V
GS
= 5 V通1.5 V
20
8
I
D
- 漏电流（ A）
10
I
D
- 漏电流（ A）
15
6
10
V
GS
= 1 V
5
4
T
C
= 25
°C
2
T
C
= 125
°C
T
C
= - 55
°C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.050
3500
3000
2500
2000
1500
传输特性
0.040
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
V
GS
= 1.2 V
- 电容（pF ）
C
国际空间站
0.030
V
GS
= 1.5 V
0.020
V
GS
= 1.8 V
C
OSS
1000
C
RSS
500
0
0.010
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
0.000
0
5
10
15
20
25
0
2
4
6
8
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0
0
5
10
15
20
25
30
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
- 25
0
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
4
I
D
= 2 A
V
DS
= 4 V
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
V
GS
= 4.5V, 2.5V, 1.8V, 1.5V;
I
D
= 1.5A
3
V
DS
= 2 V
V
DS
= 6.4 V
V
GS
= 1.2V ;我
D
= 0.5A
2
1
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
文档编号： 63894
S12-2181 -REV 。 A， 10 - 09月12
如有技术问题，请联系：
pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
Si8424CDB
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
100
0.050
10
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150
°C
0.040
I
D
= 2 A
0.030
T
J
= 125
°C
T
J
= 25
°C
1
0.020
0.010
T
J
= 25
°C
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0.000
0
1
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
0.7
导通电阻与栅极至源极电压
80
0.6
60
0.5
功率（W）的
75
100
125
150
V
GS （ TH）
(V)
0.4
40
I
D
= 250 μA
0.3
20
0.2
0.1
- 50
- 25
0
25
50
0
0.001
0.01
0.1
1
时间（s）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
100
限于由R
DS （ ON）
*
10
I
D
- 漏电流（ A）
单脉冲功率，结到环境
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
1s
10 s
0.1
DC
T
A
= 25
°C
BVDSS有限公司
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
www.vishay.com
4
如有技术问题，请联系：
pmostechsupport@vishay.com
文档编号： 63894
S12-2181 -REV 。 A， 10 - 09月12
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
Si8424CDB
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
8
1.5
6
1.2
I
D
- 漏电流（ A）
4
功率（W）的
0
25
50
75
100
125
150
0.9
0.6
2
0.3
0
T
A
- 环境温度（ ° C）
0.0
25
50
75
100
125
150
T
A
- 环境温度（ ° C）
电流降额*
注意：
当安装在1" X 1" FR4全铜。
功率降额
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
文档编号： 63894
S12-2181 -REV 。 A， 10 - 09月12
如有技术问题，请联系：
pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
5
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
QQ：2880707522 复制
