Si8401DB
Vishay Siliconix公司
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
特点
I
D
(A)
4.9
4.1
r
DS （ ON）
(W)
0.065 @ V
GS
=
4.5
V
0.095 @ V
GS
=
2.5
V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
新的微FOOTr芯片级封装
减少占位面积简介（0.62毫米），
导通电阻每占位面积
D
引脚兼容工业标准Si3443DV
应用
D
PA ，电池和负载开关
D
电池充电器开关
D
PA的开关
S
MICRO FOOT
凹凸侧视图
3
D
D
2
后视图
8401
xxx
G
器件标识： 8401
XXX =日期/批次追踪码
S
4
G
1
D
P沟道MOSFET
订购信息： Si8401DB -T1
Si8401DB -T1 -E3 （无铅）
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
包回流
条件
b
VPR
IR /对流
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
20
"12
单位
V
4.9
3.9
10
2.5
2.77
1.77
55
150
215/245
c
220/250
c
3.6
2.8
A
2.5
1.47
0.94
W
_C
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
35
72
16
最大
45
85
20
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。参阅IPC / JEDEC （ J-STD- 020A ） ，无需人工或手工焊接。
。包回流焊条件为无铅。
文档编号： 71674
S- 40384 -REV 。男， 01 -MAR -04
www.vishay.com
1
Si8401DB
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
v
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
1
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
1
A
V
DS
=
10
V，I
D
=
1
A
I
S
=
1
A，V
GS
= 0 V
5
0.057
0.080
6
0.73
1.1
0.065
0.095
0.45
0.9
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
G
= 6
W
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
1
A
11
2.1
2.9
17
28
88
60
25
45
135
90
ns
17
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
10
输出特性
V
GS
= 5通2.5 V
10
传输特性
8
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
2V
6
8
6
4
4
T
C
= 125_C
2
25_C
55_C
2
1.5 V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71674
S- 40384 -REV 。男， 01 -MAR -04
2
Si8401DB
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.15
导通电阻与漏电流
1500
电容
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.12
V
GS
= 2.5 V
0.09
V
GS
= 4.5 V
C
电容（pF）
1200
C
国际空间站
900
0.06
600
C
OSS
300
C
RSS
0.03
0.00
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
4
8
12
16
20
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 1 A
栅极电荷
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 1 A
8
1.4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
4
8
12
16
20
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.30
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.24
I
D
= 1 A
0.18
I
S
源电流（ A）
T
J
= 150_C
1
0.12
T
J
= 25_C
0.06
0.1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71674
S- 40384 -REV 。男， 01 -MAR -04
www.vishay.com
3
Si8401DB
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.2
0.1
0.0
20
0.1
0.2
50
I
D
= 250
mA
60
功率（W）的
80
单脉冲功率， Juncion到环境
40
25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
T
J
温度（℃）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 72_C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
4
文档编号： 71674
S- 40384 -REV 。男， 01 -MAR -04
Si8401DB
Vishay Siliconix公司
包装外形
MICRO FOOT ： 4焊球（ 2× 2 ， 0.8毫米间距）
4
O
0.30
X
0.31
注3
阻焊
○×
0.40
e
A
A
2
A
1
凹凸注2
B Diamerter
e
推荐地
S
硅
E
e
8401
XXX
e
D
马克对芯片背面
S
注（除非另有说明）：
1.
2.
3.
4.
在硅基激光标记枯萎，涂覆有薄金属。
颠簸的共晶焊料57分之63锡/铅。 （锡3.8银， 0.7铜无铅焊球）
定义的非阻焊铜停机坪。
晶片的平坦边被定向在底部。
MILLIMETERS *
暗淡
A
A
1
A
2
b
D
E
e
S
民
0.600
0.260
0.340
0.370
1.520
1.520
0.750
0.370
英寸
民
0.0236
0.0102
0.0134
0.0146
0.0598
0.0598
0.0295
0.0146
最大
0.650
0.290
0.360
0.410
1.600
1.600
0.850
0.380
最大
0.0256
0.0114
0.0142
0.0161
0.0630
0.0630
0.0335
0.0150
*使用毫米为主要计量。
文档编号： 71674
S- 40384 -REV 。男， 01 -MAR -04
www.vishay.com
5
Si8401DB
Vishay Siliconix公司
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
特点
I
D
(A)
4.9
4.1
r
DS （ ON）
(W)
0.065 @ V
GS
=
4.5
V
0.095 @ V
GS
=
2.5
V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
新的微FOOTr芯片级封装
减少占位面积简介（0.62毫米），
导通电阻每占位面积
D
引脚兼容工业标准Si3443DV
应用
D
PA ，电池和负载开关
D
电池充电器开关
D
PA的开关
S
MICRO FOOT
凹凸侧视图
3
D
D
2
后视图
8401
xxx
G
器件标识： 8401
XXX =日期/批次追踪码
S
4
G
1
D
P沟道MOSFET
订购信息： Si8401DB -T1
Si8401DB -T1 -E3 （无铅）
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
包回流
条件
b
VPR
IR /对流
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
20
"12
单位
V
4.9
3.9
10
2.5
2.77
1.77
55
150
215/245
c
220/250
c
3.6
2.8
A
2.5
1.47
0.94
W
_C
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
35
72
16
最大
45
85
20
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。参阅IPC / JEDEC （ J-STD- 020A ） ，无需人工或手工焊接。
。包回流焊条件为无铅。
文档编号： 71674
S- 40384 -REV 。男， 01 -MAR -04
www.vishay.com
1
Si8401DB
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
v
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
1
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
1
A
V
DS
=
10
V，I
D
=
1
A
I
S
=
1
A，V
GS
= 0 V
5
0.057
0.080
6
0.73
1.1
0.065
0.095
0.45
0.9
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
G
= 6
W
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
1
A
11
2.1
2.9
17
28
88
60
25
45
135
90
ns
17
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
10
输出特性
V
GS
= 5通2.5 V
10
传输特性
8
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
2V
6
8
6
4
4
T
C
= 125_C
2
25_C
55_C
2
1.5 V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71674
S- 40384 -REV 。男， 01 -MAR -04
2
Si8401DB
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.15
导通电阻与漏电流
1500
电容
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.12
V
GS
= 2.5 V
0.09
V
GS
= 4.5 V
C
电容（pF）
1200
C
国际空间站
900
0.06
600
C
OSS
300
C
RSS
0.03
0.00
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
4
8
12
16
20
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 1 A
栅极电荷
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 1 A
8
1.4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
4
8
12
16
20
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.30
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.24
I
D
= 1 A
0.18
I
S
源电流（ A）
T
J
= 150_C
1
0.12
T
J
= 25_C
0.06
0.1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71674
S- 40384 -REV 。男， 01 -MAR -04
www.vishay.com
3
Si8401DB
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.2
0.1
0.0
20
0.1
0.2
50
I
D
= 250
mA
60
功率（W）的
80
单脉冲功率， Juncion到环境
40
25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
T
J
温度（℃）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 72_C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
4
文档编号： 71674
S- 40384 -REV 。男， 01 -MAR -04
Si8401DB
Vishay Siliconix公司
包装外形
MICRO FOOT ： 4焊球（ 2× 2 ， 0.8毫米间距）
4
O
0.30
X
0.31
注3
阻焊
○×
0.40
e
A
A
2
A
1
凹凸注2
B Diamerter
e
推荐地
S
硅
E
e
8401
XXX
e
D
马克对芯片背面
S
注（除非另有说明）：
1.
2.
3.
4.
在硅基激光标记枯萎，涂覆有薄金属。
颠簸的共晶焊料57分之63锡/铅。 （锡3.8银， 0.7铜无铅焊球）
定义的非阻焊铜停机坪。
晶片的平坦边被定向在底部。
MILLIMETERS *
暗淡
A
A
1
A
2
b
D
E
e
S
民
0.600
0.260
0.340
0.370
1.520
1.520
0.750
0.370
英寸
民
0.0236
0.0102
0.0134
0.0146
0.0598
0.0598
0.0295
0.0146
最大
0.650
0.290
0.360
0.410
1.600
1.600
0.850
0.380
最大
0.0256
0.0114
0.0142
0.0161
0.0630
0.0630
0.0335
0.0150
*使用毫米为主要计量。
文档编号： 71674
S- 40384 -REV 。男， 01 -MAR -04
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5
Si8401DB
Vishay Siliconix公司
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
特点
I
D
(A)
4.9
4.1
r
DS （ ON）
(W)
0.065 @ V
GS
=
4.5
V
0.095 @ V
GS
=
2.5
V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
新的微FOOTr芯片级封装
减少占位面积简介（0.62毫米），
导通电阻每占位面积
D
引脚兼容工业标准Si3443DV
应用
D
PA ，电池和负载开关
D
电池充电器开关
D
PA的开关
S
MICRO FOOT
凹凸侧视图
3
D
D
2
后视图
8401
xxx
G
器件标识： 8401
XXX =日期/批次追踪码
S
4
G
1
D
P沟道MOSFET
订购信息： Si8401DB -T1
Si8401DB -T1 -E3 （无铅）
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
包回流
条件
b
VPR
IR /对流
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
20
"12
单位
V
4.9
3.9
10
2.5
2.77
1.77
55
150
215/245
c
220/250
c
3.6
2.8
A
2.5
1.47
0.94
W
_C
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
35
72
16
最大
45
85
20
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。参阅IPC / JEDEC （ J-STD- 020A ） ，无需人工或手工焊接。
。包回流焊条件为无铅。
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S- 40384 -REV 。男， 01 -MAR -04
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Si8401DB
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
v
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
1
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
1
A
V
DS
=
10
V，I
D
=
1
A
I
S
=
1
A，V
GS
= 0 V
5
0.057
0.080
6
0.73
1.1
0.065
0.095
0.45
0.9
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
G
= 6
W
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
1
A
11
2.1
2.9
17
28
88
60
25
45
135
90
ns
17
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
10
输出特性
V
GS
= 5通2.5 V
10
传输特性
8
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
2V
6
8
6
4
4
T
C
= 125_C
2
25_C
55_C
2
1.5 V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71674
S- 40384 -REV 。男， 01 -MAR -04
2
Si8401DB
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.15
导通电阻与漏电流
1500
电容
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.12
V
GS
= 2.5 V
0.09
V
GS
= 4.5 V
C
电容（pF）
1200
C
国际空间站
900
0.06
600
C
OSS
300
C
RSS
0.03
0.00
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
4
8
12
16
20
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 1 A
栅极电荷
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 1 A
8
1.4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
4
8
12
16
20
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.30
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.24
I
D
= 1 A
0.18
I
S
源电流（ A）
T
J
= 150_C
1
0.12
T
J
= 25_C
0.06
0.1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
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Si8401DB
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.2
0.1
0.0
20
0.1
0.2
50
I
D
= 250
mA
60
功率（W）的
80
单脉冲功率， Juncion到环境
40
25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
T
J
温度（℃）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 72_C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
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文档编号： 71674
S- 40384 -REV 。男， 01 -MAR -04
Si8401DB
Vishay Siliconix公司
包装外形
MICRO FOOT ： 4焊球（ 2× 2 ， 0.8毫米间距）
4
O
0.30
X
0.31
注3
阻焊
○×
0.40
e
A
A
2
A
1
凹凸注2
B Diamerter
e
推荐地
S
硅
E
e
8401
XXX
e
D
马克对芯片背面
S
注（除非另有说明）：
1.
2.
3.
4.
在硅基激光标记枯萎，涂覆有薄金属。
颠簸的共晶焊料57分之63锡/铅。 （锡3.8银， 0.7铜无铅焊球）
定义的非阻焊铜停机坪。
晶片的平坦边被定向在底部。
MILLIMETERS *
暗淡
A
A
1
A
2
b
D
E
e
S
民
0.600
0.260
0.340
0.370
1.520
1.520
0.750
0.370
英寸
民
0.0236
0.0102
0.0134
0.0146
0.0598
0.0598
0.0295
0.0146
最大
0.650
0.290
0.360
0.410
1.600
1.600
0.850
0.380
最大
0.0256
0.0114
0.0142
0.0161
0.0630
0.0630
0.0335
0.0150
*使用毫米为主要计量。
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