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S I 8 2 2 0 / 1 2
0 . 5
一个N D
2 . 5 A
M·P
我S 0
R I VE R 5 W I T ^ h
O
P T O服务
I
氮,磷, ü牛逼
(2.5, 3.75,
5.0
K
V
RMS
)
特点
为HCPL- 0302的功能升级,
HCPL- 3120 , TLP350 ,和类似
光驱动器
50 ns的传播延迟
(独立输入驱动电流)
14X紧密部件到部件的匹配
与光耦驱动器
2.5 ,3.75 ,和5.0千伏
RMS
隔离
瞬态抗扰度
30 KV / μs的
欠压锁定保护,
迟滞
耐温度和老化
影响
栅极驱动器电源电压: 6.5 V至
24 V
工作温度范围: -40
+125 °C
经济有效
窄体SOIC -8和宽体
SOIC -16封装
符合RoHS
引脚分配:
请参见第19页
窄体SOIC
NC
8
V
DD
1
阳极
2
7
V
O
阴极
6
V
O
3
NC
4
5
V
SS
顶视图
宽体SOIC
阴极
NC
应用
IGBT / MOSFET栅极驱动器
工业控制系统
开关模式电源
UPS系统
电机控制驱动器
逆变器
NC
阳极
NC
NC
阴极
安全管理机构认证
UL 1577认可
高达5000 V
RMS
1分钟
CSA组件通知5A批准
IEC 60950 , 61010 , 60601
批准
VDE认证合格
IEC 60747-5-2
( VDE0884第2部分)
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
V
SS
V
DD
NC
V
O
NC
NC
NC
V
SS
专利申请
描述
的Si8220 / 21是一种高性能,功能升级为光耦
耦合驱动程序,如HCPL- 3120和HPCL - 0302提供
2.5 A的峰值输出电流。它采用Silicon Laboratories的专利
硅隔离技术,它提供了2.5 , 3.75 , 5.0 ,或选择
kV
RMS
承受每UL1577电压。这种技术能够使高
性能,随温度和年龄降低变异,更紧密的部分,用于─
部分匹配,并与光耦卓越的共模抑制
孤立的驱动程序。而输入电路模仿的特性
LED ,更少的驱动电流是必需的,从而增加了效率。
传播延迟时间是独立的输入驱动电流,从而产生
始终如一短传播时间,更严格的单元到单元的变化,并
更大的输入电路设计的灵活性。
牧师0.22 4/10
版权所有 2010 Silicon Laboratories公司
Si8220/21
此信息适用于正在研发的产品。其特点和规格如有变更,恕不另行通知。
Si8220/21
功能框图
NC
隔离器
半导体基
隔离栅
LED
仿真器
VDD
阳极
RF
发射机
VO
RF
接收器
UV
封锁
阴极
VO
VSS
NC
Si8220/21
2
修订版0.22
Si8220/21
T
ABLE
部分
OF
C
ONTENTS
页面
1.电气规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.4
2.测试电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.6
3.监管信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.7
4.应用信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
4.1 。操作理论。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
5.技术说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.12
5.1 。设备行为。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.12
5.2 。设备启动。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.12
5.3 。欠压锁定( UVLO ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
6.应用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
6.1 。电源连接。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
6.2 。布局考虑。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
6.3 。功耗的考虑。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.14
6.4 。输入电路设计。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
6.5 。 Si8220 / 21和参数之间的差异
HCPL- 0302和HCPL- 3120光电驱动程序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
6.6 。射频辐射干扰。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
6.7 。射频,电磁,和共模瞬态抑制能力。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
7.引脚说明(窄体SOIC ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
8.引脚说明(宽体SOIC ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
9.订购指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
10.封装外形: 8引脚窄体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
11盘图形: 8引脚窄体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
12.封装外形: 16引脚宽体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.25
13.土地模式: 16引脚宽体SOIC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
联系信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.28
修订版0.22
3
Si8220/21
1.电气连接特定的阳离子
表1.电气特性
1
V
DD
= 12 V或15 V ,V
SS
= GND ,T
A
= -40 + 125 ℃;一般规格为25 ℃。
参数
DC特定网络阳离子
电源电压
输入电流( ON)的
输入电流的上升沿
迟滞
输入电压(OFF)的
符号
测试条件
典型值
最大
单位
V
DD
I
F(上)
I
HYS
V
F(关闭)
(V
DD
– V
SS
)
6.5
5.0
1.0
24
20
1.6
V
mA
mA
V
测定阳极通过
相对于阴极。
测定阳极通过
相对于阴极。
I
F
= 5毫安。
0.5 A设备
0.6
输入正向电压
V
F
1.7
15
2.7
5.0
1.0
0.3
1.5
0.5
2.5
V
DD
–0.5
V
DD
–0.1
2.5
V
输出电阻高(源)
R
OH
2.5 A设备
0.5 A设备
输出阻抗低(汇)
R
OL
2.5 A设备
( 0.5 A ) ,我
F
= 0
(参见图2)
高输出电流(来源)
I
OH
A
( 2.5 A ) ,我
F
= 0
(参见图2)
( 0.5 A ) ,我
F
= 10毫安,
(参见图1)
A
( 2.5 A ) ,我
F
= 10毫安,
(参见图1)
( 0.5 A ) ,我
OUT
= -50毫安
( 2.5 A ) ,我
OUT
= -50毫安
( 0.5 A ) ,我
OUT
= 50毫安
( 2.5 A ) ,我
OUT
= 50毫安
输出开路我
F
= 10毫安
输出开路
V
F
= -0.6到+1.6 V
V
mV
50
1.2
1.4
mA
mA
输出低电流(漏)
I
OL
高电平输出电压
V
OH
200
低电平输出电压
高水平的电源电流
低电平电源电流
V
OL
输入反向电压
输入电容
BV
R
C
IN
I
R
= 10 mA的电流。
测定阳极通过
相对于阴极。
0.5
5
V
pF
注意事项:
1.
VDD = 12 V 5 , 8 ,和10 V欠压锁定装置; VDD = 15 V 12.5 V UVLO设备。
2.
请参阅第21页上的"9.Ordering Guide"了解更多信息。
4
修订版0.22
Si8220/21
表1.电气特性(续)
1
V
DD
= 12 V或15 V ,V
SS
= GND ,T
A
= -40 + 125 ℃;一般规格为25 ℃。
参数
VDD欠压门限
2
5 V阈值
8 V阈值
10 V阈值
12.5 V阈值
VDD欠压门限
2
5 V阈值
8 V阈值
10 V阈值
12.5 V阈值
VDD锁定滞后
VDD锁定滞后
VDD锁定滞后
AC规格
传播延迟时间的高
输出电平
传播延迟时间的低
输出电平
UVLO关闭延迟
输出上升时间和下降时间
符号
VDD
UV +
测试条件
V
DD
升起
参见图8第13页上。
参见图9第13页上。
参见图10第13页上。
参见图11第13页上。
典型值
最大
单位
5.20
7.50
9.60
12.4
5.80
8.60
11.1
13.8
6.30
9.40
12.2
14.8
V
V
V
VDD
紫外线
V
DD
落下
参见图8第13页上。
参见图9第13页上。
参见图10第13页上。
参见图11第13页上。
4.90
7.20
9.40
11.6
5.52
8.10
10.1
12.8
280
600
1000
6.0
8.70
10.9
13.8
mV
mV
mV
V
V
V
VDD
HYS
VDD
HYS
VDD
HYS
UVLO电压= 5 V
UVLO电压= 8 V
UVLO电压= 10 V或
12.5 V
t
PLH
t
PHL
t
UVLO OFF
t
R
, t
F
t
开始
CMTI
C
L
= 200 pF的
C
L
= 200 pF的
50
50
30
50
30
ns
ns
ns
ns
( 0.5 A ) ,C
L
= 200 pF的
( 2.5 A ) ,C
L
= 200 pF的
从时间
V
DD
= V
DD_UV +
到V
O
输入ON或OFF
30
20
40
设备启动时间
共模
瞬态抗扰度
s
KV / μs的
注意事项:
1.
VDD = 12 V 5 , 8 ,和10 V欠压锁定装置; VDD = 15 V 12.5 V UVLO设备。
2.
请参阅第21页上的"9.Ordering Guide"了解更多信息。
修订版0.22
5
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全新原装现货,原厂代理。
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Silicon
23+
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SOP
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SILICON LABS/芯科
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