Si7962DP
Vishay Siliconix公司
双N通道40 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
40
特点
I
D
(A)
11.1
r
DS （ ON）
(W)
0.017 @ V
GS
= 10 V
Q
g
（典型值）
46.2
D
D
D
D
D
TrenchFETr功率MOSFET
新的低热阻封装PowerPAKr
双MOSFET节省空间
100% R
g
经过测试
高阈值电压在高温
采用PowerPAK SO- 8
D
1
6.15 mm
S1
D
2
1
2
G1
S2
5.15 mm
3
4
G2
D1
G
1
G
2
8
7
D1
D2
6
5
D2
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
底部视图
订购信息： Si7962DP -T1 -E3
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
单雪崩电流
单雪崩能量
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
L = 0.1 mH的
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
40
"20
11.1
8.9
40
2.9
30
45
3.5
2.2
稳定状态
单位
V
7.1
5.7
A
1.2
mJ
1.4
0.9
W
_C
55
150
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
26
60
2.2
最大
35
85
2.7
单位
° C / W
C / W
文档编号： 72914
S- 42058 -REV 。 B， 15月， 04
www.vishay.com
1
Si7962DP
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管正向
电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 11.1 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 11.1 A
I
S
= 2.9 A，V
GS
= 0 V
30
0.0135
31
0.8
1.2
0.017
3.4
4.5
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
门Resostamce
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.9 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 20 V ，R
L
= 20
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
W
F = 1 MHz的
1.1
V
DS
= 20 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 11.1 A
46.2
16
9.6
2.3
22
15
55
15
35
3.5
35
25
70
25
60
ns
W
70
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
40
V
GS
= 10到7 V
32
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
6V
32
40
传输特性
24
24
16
16
T
C
= 125_C
8
25_C
0
55_C
5
6
7
8
5V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
0
1
2
3
4
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72914
S- 42058 -REV 。 B， 15月， 04
www.vishay.com
2
Si7962DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.020
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
导通电阻与漏电流
4000
电容
0.015
V
GS
= 10 V
C
电容（pF）
3200
C
国际空间站
2400
0.010
1600
0.005
800
C
OSS
C
RSS
0.000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
0
8
16
24
32
40
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 20 V
I
D
= 11.1 A
8
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 11.1 A
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
10
20
30
40
50
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
40
0.05
导通电阻与栅极至源极电压
T
J
= 150_C
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.04
I
D
= 11.1 A
0.03
I
S
源电流（ A）
T
J
= 25_C
0.02
0.01
1
0.0
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72914
S- 42058 -REV 。 B， 15月， 04
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3
Si7962DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.8
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
50
20
功率（W）的
60
100
单脉冲功率
80
40
25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
温度（℃）
100
安全工作区，结到环境
*r
DS （ ON）
有限
I
DM
有限
P（吨） = 0.0001
P（吨） = 0.001
10
I
D
漏电流（ A）
1
I
D（上）
有限
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
*V
GS
u
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 60 ° C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72914
S- 42058 -REV 。 B， 15月， 04
Si7962DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.01
10
4
10
3
10
2
方波脉冲持续时间（秒）
10
1
1
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?72914 。
文档编号： 72914
S- 42058 -REV 。 B， 15月， 04
www.vishay.com
5
Si7962DP
Vishay Siliconix公司
双N通道40 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
40
特点
I
D
(A)
11.1
r
DS （ ON）
(W)
0.017 @ V
GS
= 10 V
Q
g
（典型值）
46.2
D
D
D
D
D
TrenchFETr功率MOSFET
新的低热阻封装PowerPAKr
双MOSFET节省空间
100% R
g
经过测试
高阈值电压在高温
采用PowerPAK SO- 8
D
1
6.15 mm
S1
D
2
1
2
G1
S2
5.15 mm
3
4
G2
D1
G
1
G
2
8
7
D1
D2
6
5
D2
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
底部视图
订购信息： Si7962DP -T1 -E3
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
单雪崩电流
单雪崩能量
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
L = 0.1 mH的
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
40
"20
11.1
8.9
40
2.9
30
45
3.5
2.2
稳定状态
单位
V
7.1
5.7
A
1.2
mJ
1.4
0.9
W
_C
55
150
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
26
60
2.2
最大
35
85
2.7
单位
° C / W
C / W
文档编号： 72914
S- 42058 -REV 。 B， 15月， 04
www.vishay.com
1
Si7962DP
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管正向
电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 11.1 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 11.1 A
I
S
= 2.9 A，V
GS
= 0 V
30
0.0135
31
0.8
1.2
0.017
3.4
4.5
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
门Resostamce
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.9 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 20 V ，R
L
= 20
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
W
F = 1 MHz的
1.1
V
DS
= 20 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 11.1 A
46.2
16
9.6
2.3
22
15
55
15
35
3.5
35
25
70
25
60
ns
W
70
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
40
V
GS
= 10到7 V
32
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
6V
32
40
传输特性
24
24
16
16
T
C
= 125_C
8
25_C
0
55_C
5
6
7
8
5V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
0
1
2
3
4
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72914
S- 42058 -REV 。 B， 15月， 04
www.vishay.com
2
Si7962DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.020
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
导通电阻与漏电流
4000
电容
0.015
V
GS
= 10 V
C
电容（pF）
3200
C
国际空间站
2400
0.010
1600
0.005
800
C
OSS
C
RSS
0.000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
0
8
16
24
32
40
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 20 V
I
D
= 11.1 A
8
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 11.1 A
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
10
20
30
40
50
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
40
0.05
导通电阻与栅极至源极电压
T
J
= 150_C
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.04
I
D
= 11.1 A
0.03
I
S
源电流（ A）
T
J
= 25_C
0.02
0.01
1
0.0
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72914
S- 42058 -REV 。 B， 15月， 04
www.vishay.com
3
Si7962DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.8
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
50
20
功率（W）的
60
100
单脉冲功率
80
40
25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
温度（℃）
100
安全工作区，结到环境
*r
DS （ ON）
有限
I
DM
有限
P（吨） = 0.0001
P（吨） = 0.001
10
I
D
漏电流（ A）
1
I
D（上）
有限
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
*V
GS
u
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 60 ° C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72914
S- 42058 -REV 。 B， 15月， 04
Si7962DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.01
10
4
10
3
10
2
方波脉冲持续时间（秒）
10
1
1
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?72914 。
文档编号： 72914
S- 42058 -REV 。 B， 15月， 04
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