Si7960DP
Vishay Siliconix公司
双N通道60 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
60
R
DS （ ON）
(Ω)
0.021在V
GS
= 10 V
0.025在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
9.7
8.9
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
可用的
TrenchFET
功率MOSFET
新的低热阻的PowerPAK
包
双MOSFET节省空间
采用PowerPAK SO- 8
6.15 mm
S1
1
2
5.15 mm
G1
S2
D
1
D
2
3
4
D1
G2
8
7
D1
D2
G
1
D2
G
2
6
5
底部视图
订货信息：
Si7960DP -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si7960DP -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
单雪崩电流
单雪崩能量
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
B，C
L = 0.1 mH的
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
10 s
稳定状态
60
± 20
9.7
7.8
40
2.9
23
27
3.5
2.2
- 55 150
260
1.4
0.9
1.2
mJ
W
°C
6.2
5.0
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结至外壳（漏）
t
≤
10 s
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
26
60
2.2
最大
35
85
2.7
单位
° C / W
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。见焊接温度曲线（ www.vishay.com/ppg?73257 ） 。采用PowerPAK SO -8是一种无引线封装。引线端子的端部露出铜
（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，不
需要保证足够的底侧的焊料互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 73075
S09-0223 -REV 。 B， 09 -FEB -09
www.vishay.com
1
Si7960DP
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.9 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 30 V ，R
L
= 30
Ω
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
Ω
F = 1 MHz的
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 9.7 A
49
5.7
8.6
2
12
12
60
17
30
20
20
90
30
60
ns
Ω
75
nC
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 9.7 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 8.9 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 9.7 A
I
S
= 2.9 A，V
GS
= 0 V
30
0.017
0.020
33
0.8
1.2
0.021
0.025
1
3
± 100
1
5
A
A
Ω
S
V
V
nA
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
40
V
GS
= 10 V直通4 V
35
30
35
30
I
D
- 漏电流（ A）
25
20
15
10
25 °C
T
C
= 125
°C
40
I
D
- 漏电流（ A）
25
20
15
10
5
0
0.0
3V
5
0
0.0
- 55 °C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
传输特性
www.vishay.com
2
文档编号： 73075
S09-0223 -REV 。 B， 09 -FEB -09
Si7960DP
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.030
4000
3500
0.025
R
DS （ ON）
-
导通电阻（ Ω ）
- 电容（pF ）
V
GS
= 4.5 V
0.020
3000
2500
2000
1500
1000
0.005
C
OSS
500
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
10
20
C
国际空间站
0.015
V
GS
= 10 V
0.010
C
RSS
0.000
30
40
50
60
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
10
V
DS
= 20 V
I
D
= 9.7 A
8
R
DS （ ON）
- 导通电阻
1.4
（归一化）
1.8
V
GS
= 10 V
I
D
= 9.7 A
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
1.6
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
10
20
30
40
50
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
0.05
导通电阻与结温
40
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150
°C
10
R
DS （ ON）
- 导通电阻（
Ω)
0.04
I
D
= 9.7 A
0.03
0.02
T
J
= 25 °C
0.01
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
导通电阻与栅极至源极电压
文档编号： 73075
S09-0223 -REV 。 B， 09 -FEB -09
www.vishay.com
3
Si7960DP
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.6
0.4
0.2
0.0
V
GS （ TH）
(V)
- 0.2
- 0.4
- 0.6
- 0.8
- 1.0
- 1.2
- 1.4
- 50
0
0.001
0.01
0.1
1
时间（s）
100
80
I
D
= 250 A
功率（W）的
60
40
20
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
单脉冲功率
100
限于由R
DS （ ON）
*
I
DM
有限
10
I
D
- 漏电流（ A）
100 s
1毫秒
1
I
D（上）
有限
10毫秒
100毫秒
0.1
T
A
= 25 °C
单脉冲
1s
10 s
BVDSS有限公司
DC
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
＆ GT ;
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（ S）
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 60 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到环境
www.vishay.com
4
文档编号： 73075
S09-0223 -REV 。 B， 09 -FEB -09
Si7960DP
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
2
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
方波脉冲持续时间（ S）
10
-1
1
归瞬态热阻抗，结至外壳
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见www.vishay.com/ppg?73075 。
文档编号： 73075
S09-0223 -REV 。 B， 09 -FEB -09
www.vishay.com
5
QQ：2880707522 复制
