Si7913DN
Vishay Siliconix公司
双P通道20 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.037 @ V
GS
=
4.5
V
20
0.048 @ V
GS
=
2.5
V
0.066 @ V
GS
=
1.8
V
特点
I
D
(A)
7.4
6.5
5.5
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
新的低热阻PowerPAKr
包
应用
D
手提
PA的开关
电池开关
负荷开关
S
S
RoHS指令
柔顺
的PowerPAK 1212-8
3.30 mm
S1
1
2
G1
S2
3.30 mm
3
4
G
G
G2
D1
8
7
D1
D2
D
D2
D
P沟道MOSFET
6
5
订购信息： Si7913DN -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
P沟道MOSFET
底部视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
稳定状态
20
"8
单位
V
7.4
5.3
20
2.3
2.8
1.5
55
150
260
5.0
3.6
A
1.1
1.3
0.85
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到外壳
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
35
75
4
最大
44
94
5
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见焊接温度曲线（ http://www.vishay.com/doc?73257 ） 。采用PowerPAK 1212-8是一种无引线封装。引线端子的端部露出的铜（未
镀），为在制造单片化过程的结果。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不要求保证
充足的底侧焊接互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 72615
S- 51129 -REV 。 B， 13军， 05
www.vishay.com
1
Si7913DN
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
v
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
7.4
A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
6.5
A
V
GS
=
1.8
V，I
D
=
1.5
A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
=
6
V，I
D
=
7.4
A
I
S
=
2.3
A，V
GS
= 0 V
20
0.029
0.038
0.051
20
0.74
1.2
0.037
0.048
0.066
S
V
W
0.40
1.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
2.3
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
F = 1 MHz的
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
7.4
A
15.3
2.0
3.9
7
20
70
72
150
25
30
110
110
225
50
ns
W
24
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 5通2.5 V
20
2V
16
I
D
漏电流（ A）
传输特性
16
I
D
漏电流（ A）
12
12
8
1.5 V
8
T
C
= 125_C
4
25_C
55_C
4
1V
0
0
1
2
3
4
V
DS
漏极至源极电压（ V）
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72615
S- 51129 -REV 。 B， 13军， 05
www.vishay.com
2
Si7913DN
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.10
导通电阻与漏电流
2100
1800
电容
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.08
C
电容（pF）
1500
1200
900
600
C
OSS
300
C
RSS
0.00
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
V
GS
= 1.8 V
V
GS
= 2.5 V
0.04
V
GS
= 4.5 V
C
国际空间站
0.06
0.02
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 7.4 A
栅极电荷
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 7.4 A
3
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
8
12
16
20
4
1.4
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
4
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.08
I
D
= 7.4 A
0.06
I
S
源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
0.04
I
D
= 1.5 A
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72615
S- 51129 -REV 。 B， 13军， 05
www.vishay.com
3
Si7913DN
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
50
10
功率（W）的
I
D
= 250
mA
50
单脉冲功率，结到环境
40
30
20
25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
温度（℃）
100
安全工作区，结到环境
I
DM
有限
限于由R
DS （ ON）
10
I
D
漏电流（ A）
P（吨） = 0.001
1
I
D（上）
有限
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
P（吨） = 10
dc
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 65 ° C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72615
S- 51129 -REV 。 B， 13军， 05
Si7913DN
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
单脉冲
0.05
0.01
10
4
10
3
10
2
方波脉冲持续时间（秒）
10
1
1
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?72615 。
文档编号： 72615
S- 51129 -REV 。 B， 13军， 05
www.vishay.com
5
Si7913DN
Vishay Siliconix公司
双P通道20 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.037 @ V
GS
=
4.5
V
20
0.048 @ V
GS
=
2.5
V
0.066 @ V
GS
=
1.8
V
特点
I
D
(A)
7.4
6.5
5.5
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
新的低热阻PowerPAKr
包
应用
D
手提
PA的开关
电池开关
负荷开关
S
S
RoHS指令
柔顺
的PowerPAK 1212-8
3.30 mm
S1
1
2
G1
S2
3.30 mm
3
4
G
G
G2
D1
8
7
D1
D2
D
D2
D
P沟道MOSFET
6
5
订购信息： Si7913DN -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
P沟道MOSFET
底部视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
稳定状态
20
"8
单位
V
7.4
5.3
20
2.3
2.8
1.5
55
150
260
5.0
3.6
A
1.1
1.3
0.85
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到外壳
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
35
75
4
最大
44
94
5
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见焊接温度曲线（ http://www.vishay.com/doc?73257 ） 。采用PowerPAK 1212-8是一种无引线封装。引线端子的端部露出的铜（未
镀），为在制造单片化过程的结果。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不要求保证
充足的底侧焊接互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 72615
S- 51129 -REV 。 B， 13军， 05
www.vishay.com
1
Si7913DN
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
v
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
7.4
A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
6.5
A
V
GS
=
1.8
V，I
D
=
1.5
A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
=
6
V，I
D
=
7.4
A
I
S
=
2.3
A，V
GS
= 0 V
20
0.029
0.038
0.051
20
0.74
1.2
0.037
0.048
0.066
S
V
W
0.40
1.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
2.3
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
F = 1 MHz的
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
7.4
A
15.3
2.0
3.9
7
20
70
72
150
25
30
110
110
225
50
ns
W
24
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 5通2.5 V
20
2V
16
I
D
漏电流（ A）
传输特性
16
I
D
漏电流（ A）
12
12
8
1.5 V
8
T
C
= 125_C
4
25_C
55_C
4
1V
0
0
1
2
3
4
V
DS
漏极至源极电压（ V）
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72615
S- 51129 -REV 。 B， 13军， 05
www.vishay.com
2
Si7913DN
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.10
导通电阻与漏电流
2100
1800
电容
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.08
C
电容（pF）
1500
1200
900
600
C
OSS
300
C
RSS
0.00
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
V
GS
= 1.8 V
V
GS
= 2.5 V
0.04
V
GS
= 4.5 V
C
国际空间站
0.06
0.02
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 7.4 A
栅极电荷
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 7.4 A
3
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
8
12
16
20
4
1.4
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
4
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.08
I
D
= 7.4 A
0.06
I
S
源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
0.04
I
D
= 1.5 A
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72615
S- 51129 -REV 。 B， 13军， 05
www.vishay.com
3
Si7913DN
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
50
10
功率（W）的
I
D
= 250
mA
50
单脉冲功率，结到环境
40
30
20
25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
温度（℃）
100
安全工作区，结到环境
I
DM
有限
限于由R
DS （ ON）
10
I
D
漏电流（ A）
P（吨） = 0.001
1
I
D（上）
有限
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
P（吨） = 10
dc
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 65 ° C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
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4
文档编号： 72615
S- 51129 -REV 。 B， 13军， 05
Si7913DN
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
单脉冲
0.05
0.01
10
4
10
3
10
2
方波脉冲持续时间（秒）
10
1
1
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?72615 。
文档编号： 72615
S- 51129 -REV 。 B， 13军， 05
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5
SPICE器件模型Si7913DN
Vishay Siliconix公司
双P通道20 - V（D -S）的MOSFET
特征
P沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的p沟道垂直DMOS的特性。子电路
模型中提取并优化过
55
至125℃
脉冲0 V至5 V栅极驱动下的温度范围。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟
同时避免收敛困难的栅极电荷特性
交换的C
gd
模型。所有的模型参数值进行了优化
以提供最适合于所测量的电数据，并且不
目的是作为该装置的一个具体的物理解释。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号： 72649
S- 60244Rev 。 B， 20 -FEB -06
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1
SPICE器件模型Si7913DN
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250 A
V
DS
=
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
7.4
A
漏源导通电阻
a
符号
测试条件
模拟
数据
0.81
126
0.031
0.038
0.048
22
0.82
测
数据
单位
V
A
0.029
0.038
0.051
20
0.74
S
V
r
DS （ ON）
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
6.5
A
V
GS
=
1.8
V，I
D
=
1.5
A
正向跨导
二极管的正向电压
a
a
g
fs
V
SD
V
DS
=
6
A，I
D
=
7.4
A
I
S
=
2.3
A，V
GS
= 0 V
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
I
D
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
G
= 6
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
7.4
A
13
2
3.9
31
27
124
21
15.3
2
3.9
20
70
72
150
ns
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
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2
文档编号： 72649
S- 60244Rev 。 B， 20 -FEB -06
SPICE器件模型Si7913DN
Vishay Siliconix公司
与实测数据模型的比较（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
文档编号： 72649
S- 60244Rev 。 B， 20 -FEB -06
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放弃
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产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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