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Si7872DP
新产品
Vishay Siliconix公司
双N通道30 -V （ DS ） MOSFET与肖特基二极管
产品概述
V
DS
(V)
Channel-1
30
Channel-2
r
DS （ ON）
(W)
0.022 @ V
GS
= 10 V
0.030 @ V
GS
= 4.5 V
0.022 @ V
GS
= 10 V
0.028 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
10
8
10
8
特点
D
LITTLE FOOT
Plust
肖特基
D
PWM优化
D
新的低热阻的PowerPAK
封装低1.07毫米资料
应用
D
不对称的降压 - 升压型DC / DC转换器
肖特基产品概要
V
DS
(V)
30
V
SD
(V)
二极管的正向电压
0.50 V @ 1.0
I
F
(A)
3.0
D
1
D
2
PowerPAKt SO- 8
6.15 mm
S1
1
2
5.15 mm
G1
S2
3
4
D1
G2
G
1
肖特基二极管
G
2
8
7
D1
D2
6
5
D2
S
1
底部视图
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
10秒]
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
稳定状态
Channel-1
30
"20
6.4
5.1
30
A
1.1
1.4
0.9
-55到150
W
_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
Channel-1
"20
10
7
Channel-2
"12
Channel-2
"12
单位
V
2.9
3.5
2.2
工作结存储温度范围
热电阻额定值
MOSFET
参数
t
v
10秒
最大结点到环境
a
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72035
S- 21978 -REV 。 A， 04- NOV- 02
www.vishay.com
稳态
稳态
R
thJA
R
thJC
肖特基
典型
26
60
4.1
符号
典型
26
60
4.1
最大
35
85
6.0
最大
35
85
6.0
单位
° C / W
C / W
1
Si7872DP
Vishay Siliconix公司
新产品
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
m
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
_
通态漏电流
b
I
D（上）
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.5 A
漏源导通电阻
b
r
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.5 A
正向跨导
b
二极管的正向电压
b
g
fs
V
SD
V
DS
= 15 V，I
D
= 7.5 A
I
S
= 1 A，V
GS
= 0 V
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
20
20
0.017
0.016
0.024
0.020
19
21
0.75
0.47
1.2
0.5
V
S
0.022
0.022
0.030
0.028
W
A
1.0
0.8
3.0
2.0
"100
"100
1
100
15
2000
mA
m
V
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
门体漏
nA
动态
a
总栅极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
m
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 7.5 A
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
栅极 - 漏极电荷
Ch-2
Ch-1
栅极电阻
Ch-2
Ch-1
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Ch-2
Ch-1
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
7
11.5
2.9
3.8
2.5
3.5
1.5
1.8
9
12
10
10
19
40
9
9
35
28
15
20
17
17
30
66
15
15
55
45
ns
W
11
18
nC
栅极 - 源电荷
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
肖特基规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 1.0 A
I
F
= 1.0 A，T
J
= 125_C
V
r
= 30 V
V
r
= 30 V ，T
J
= 100_C
V
r
= -30 V，T
J
= 125_C
V
r
= 10 V
民
典型值
0.47
0.36
0.004
0.7
3.0
50
最大
0.50
0.42
0.100
10
20
单位
V
最大反向漏电流
结电容
I
rm
C
T
mA
pF
www.vishay.com
2
文档编号： 72035
S- 21978 -REV 。 A， 04- NOV- 02
Si7872DP
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 10直通5 V
4V
25
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
25
30
Vishay Siliconix公司
MOSFET的信道-1
传输特性
20
20
15
15
10
10
T
C
= 125_C
25_C
-55
_C
5
3V
0
0
2
4
6
8
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.040
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
1200
电容
0.030
V
GS
= 4.5 V
0.020
- 电容（pF ）
960
C
国际空间站
720
V
GS
= 10 V
480
C
OSS
0.010
240
C
RSS
0.000
0
5
10
15
20
25
30
0
0
5
10
15
20
25
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 7.5 A
8
1.8
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 7.5 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.6
1.4
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 72035
S- 21978 -REV 。 A， 04- NOV- 02
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
www.vishay.com
3
Si7872DP
Vishay Siliconix公司
新产品
MOSFET的信道-1
导通电阻与栅极至源极电压
0.06
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
I
S
- 源电流（ A）
0.05
0.04
I
D
= 7.5 A
0.03
T
J
= 150_C
1
0.02
T
J
= 25_C
0.01
0.1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
100
单脉冲功率，结到环境
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
-0.0
功率（W）的
80
60
-0.2
40
-0.4
20
-0.6
-0.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
- 3
10
- 2
10
- 1
时间（秒）
1
10
T
J
- 温度（℃ ）
安全工作区，结到脚
100
r
DS （ ON）
有限
I
DM
有限
10
I
D
- 漏电流（ A）
1毫秒
10毫秒
1
I
D（上）
有限
100毫秒
1s
10 s
dc
BV
DSS
有限
1
10
100
0.1
T
C
= 25_C
单脉冲
0.01
0.1
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
文档编号： 72035
S- 21978 -REV 。 A， 04- NOV- 02
www.vishay.com
4
Si7872DP
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
Vishay Siliconix公司
MOSFET沟道1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
方波脉冲持续时间（秒）
2.每单位基础= R
thJA
= 60 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
- 5
10
- 4
10
- 3
10
- 2
方波脉冲持续时间（秒）
10
- 1
1
文档编号： 72035
S- 21978 -REV 。 A， 04- NOV- 02
www.vishay.com
5
Si7872DP
新产品
Vishay Siliconix公司
双N通道30 -V （ DS ） MOSFET与肖特基二极管
产品概述
V
DS
(V)
Channel-1
30
Channel-2
r
DS （ ON）
(W)
0.022 @ V
GS
= 10 V
0.030 @ V
GS
= 4.5 V
0.022 @ V
GS
= 10 V
0.028 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
10
8
10
8
特点
D
LITTLE FOOT
Plust
肖特基
D
PWM优化
D
新的低热阻的PowerPAK
封装低1.07毫米资料
应用
D
不对称的降压 - 升压型DC / DC转换器
肖特基产品概要
V
DS
(V)
30
V
SD
(V)
二极管的正向电压
0.50 V @ 1.0
I
F
(A)
3.0
D
1
D
2
PowerPAKt SO- 8
6.15 mm
S1
1
2
5.15 mm
G1
S2
3
4
D1
G2
G
1
肖特基二极管
G
2
8
7
D1
D2
6
5
D2
S
1
底部视图
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
10秒]
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
稳定状态
Channel-1
30
"20
6.4
5.1
30
A
1.1
1.4
0.9
-55到150
W
_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
Channel-1
"20
10
7
Channel-2
"12
Channel-2
"12
单位
V
2.9
3.5
2.2
工作结存储温度范围
热电阻额定值
MOSFET
参数
t
v
10秒
最大结点到环境
a
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72035
S- 21978 -REV 。 A， 04- NOV- 02
www.vishay.com
稳态
稳态
R
thJA
R
thJC
肖特基
典型
26
60
4.1
符号
典型
26
60
4.1
最大
35
85
6.0
最大
35
85
6.0
单位
° C / W
C / W
1
Si7872DP
Vishay Siliconix公司
新产品
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
m
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
_
通态漏电流
b
I
D（上）
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.5 A
漏源导通电阻
b
r
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.5 A
正向跨导
b
二极管的正向电压
b
g
fs
V
SD
V
DS
= 15 V，I
D
= 7.5 A
I
S
= 1 A，V
GS
= 0 V
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
20
20
0.017
0.016
0.024
0.020
19
21
0.75
0.47
1.2
0.5
V
S
0.022
0.022
0.030
0.028
W
A
1.0
0.8
3.0
2.0
"100
"100
1
100
15
2000
mA
m
V
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
门体漏
nA
动态
a
总栅极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
m
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 7.5 A
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
栅极 - 漏极电荷
Ch-2
Ch-1
栅极电阻
Ch-2
Ch-1
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Ch-2
Ch-1
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
7
11.5
2.9
3.8
2.5
3.5
1.5
1.8
9
12
10
10
19
40
9
9
35
28
15
20
17
17
30
66
15
15
55
45
ns
W
11
18
nC
栅极 - 源电荷
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
肖特基规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 1.0 A
I
F
= 1.0 A，T
J
= 125_C
V
r
= 30 V
V
r
= 30 V ，T
J
= 100_C
V
r
= -30 V，T
J
= 125_C
V
r
= 10 V
民
典型值
0.47
0.36
0.004
0.7
3.0
50
最大
0.50
0.42
0.100
10
20
单位
V
最大反向漏电流
结电容
I
rm
C
T
mA
pF
www.vishay.com
2
文档编号： 72035
S- 21978 -REV 。 A， 04- NOV- 02
Si7872DP
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 10直通5 V
4V
25
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
25
30
Vishay Siliconix公司
MOSFET的信道-1
传输特性
20
20
15
15
10
10
T
C
= 125_C
25_C
-55
_C
5
3V
0
0
2
4
6
8
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.040
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
1200
电容
0.030
V
GS
= 4.5 V
0.020
- 电容（pF ）
960
C
国际空间站
720
V
GS
= 10 V
480
C
OSS
0.010
240
C
RSS
0.000
0
5
10
15
20
25
30
0
0
5
10
15
20
25
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 7.5 A
8
1.8
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 7.5 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.6
1.4
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 72035
S- 21978 -REV 。 A， 04- NOV- 02
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
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3
Si7872DP
Vishay Siliconix公司
新产品
MOSFET的信道-1
导通电阻与栅极至源极电压
0.06
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
I
S
- 源电流（ A）
0.05
0.04
I
D
= 7.5 A
0.03
T
J
= 150_C
1
0.02
T
J
= 25_C
0.01
0.1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
100
单脉冲功率，结到环境
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
-0.0
功率（W）的
80
60
-0.2
40
-0.4
20
-0.6
-0.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
- 3
10
- 2
10
- 1
时间（秒）
1
10
T
J
- 温度（℃ ）
安全工作区，结到脚
100
r
DS （ ON）
有限
I
DM
有限
10
I
D
- 漏电流（ A）
1毫秒
10毫秒
1
I
D（上）
有限
100毫秒
1s
10 s
dc
BV
DSS
有限
1
10
100
0.1
T
C
= 25_C
单脉冲
0.01
0.1
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
文档编号： 72035
S- 21978 -REV 。 A， 04- NOV- 02
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4
Si7872DP
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
Vishay Siliconix公司
MOSFET沟道1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
方波脉冲持续时间（秒）
2.每单位基础= R
thJA
= 60 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
- 5
10
- 4
10
- 3
10
- 2
方波脉冲持续时间（秒）
10
- 1
1
文档编号： 72035
S- 21978 -REV 。 A， 04- NOV- 02
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SMI-43-1R4
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