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Si7852DP

Vishay Siliconix公司

N通道80 -V （D -S ）的MOSFET

产品概述

(V)

DS （ ON）

(Ω)

0.0165在V

= 10 V

0.022在V

= 6 V

(A)

12.5

10.9

特点

无卤符合IEC 61249-2-21

可用的

TrenchFET

功率MOSFET

新的低热阻的PowerPAK

封装低1.07毫米资料

PWM优化的快速切换

100 % R

经过测试

采用PowerPAK SO- 8

应用

初级侧开关的DC / DC应用

6.15 mm

5.15 mm

底部视图

订货信息：

Si7852DP -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）

Si7852DP -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（T

= 150 °C)

漏电流脉冲

雪崩电流

连续源电流（二极管传导）

最大功率耗散

工作结存储温度范围

焊接建议（峰值温度）

B，C

符号

= 25 °C

= 70 °C

L = 0.1 mH的

= 25 °C

= 70 °C

, T

英镑

10 s

稳定状态

± 20

单位

12.5

10.0

4.7

5.2

3.3

- 55 150

260

7.6

6.1

1.7

1.9

1.2

°C

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

最大结至外壳（漏）

≤

10 s

稳定状态

符号

thJA

thJC

典型

1.5

最大

1.8

° C / W

单位

注意事项：

一。表面安装在1" X 1" FR4板。

B 。见焊接温度曲线（ www.vishay.com/ppg?73257 ）。采用PowerPAK SO -8是一种无引线封装。引线端子的端部露出铜

（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，不

需要保证足够的底侧的焊料互连。

。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。

文档编号： 71627

S09-0268 -REV 。 E， 16 -FEB -09

www.vishay.com

Si7852DP

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

= 25 ℃，除非另有说明

参数

STATIC

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

栅极电阻

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源漏反向恢复时间

D（上）

D（关闭）

= 2.8 A， di / dt的= 100 A / μs的

= 40 V ，R

= 40

1.0 A，V

根

= 10 V ，R

= 6

0.1

= 40 V, V

= 10 V，I

= 10 A

7.5

11.0

0.6

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

= V

, I

= 250 A

= 0 V, V

= ± 20 V

= 80 V, V

= 0 V

= 80 V, V

= 0 V ，T

= 55 °C

≥

5 V, V

= 10 V

= 10 V，I

= 10 A

= 6.0 V，I

= 8.0 A

= 15 V，I

= 10 A

= 2.8 A，V

= 0 V

0.0135

0.0175

0.75

1.1

0.0165

0.022

2.0

± 100

符号

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

注意事项：

一。脉冲测试;脉冲宽度

≤

300微秒，占空比

≤

2 %.

B 。通过设计保证，不受生产测试。

超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作

该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大

额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。

典型特征

25 ℃，除非另有说明

= 10 V通6 V

- 漏电流（ A）

= 125 °C

25 °C

3 V, 4 V

- 55 °C

- 漏极至源极电压（ V）

栅极 - 源极电压（ V）

输出特性

传输特性

www.vishay.com

文档编号： 71627

S09-0268 -REV 。 E， 16 -FEB -09

Si7852DP

Vishay Siliconix公司

典型特征

0.04

25 ℃，除非另有说明

3000

2500

- 电容（pF ）

0.03

2000

国际空间站

0.02

DS （ ON）

= 6 V

= 10 V

1500

1000

RSS

500

OSS

0.01

0.00

- 漏电流（ A）

- 漏极至源极电压（ V）

导通电阻与漏电流

- 栅极 - 源极电压（ V）

= 40 V

= 10 A

DS （ ON）

导通电阻

（归一化）

2.0

2.5

= 10 V

= 10 A

电容

1.5

1.0

0.5

- 总栅极电荷（ NC）

0.0

- 50

- 25

100

125

150

结温（ ° C）

栅极电荷

100

0.08

导通电阻与结温

源电流（ A）

= 150 °C

0.06

= 10 A

= 25 °C

0.1

DS （ ON）

1.2

0.04

0.02

0.01

0.0

0.00

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

源极到漏极电压（V ）

- 栅极 - 源极电压（ V）

源极 - 漏极二极管正向电压

导通电阻与栅极至源极电压

文档编号： 71627

S09-0268 -REV 。 E， 16 -FEB -09

www.vishay.com

Si7852DP

Vishay Siliconix公司

典型特征

25 ℃，除非另有说明

1.0

100

0.5

GS （ TH）

方差

(V)

= 250 A

0.0

DAV

(A)

= 25 °C

0.5

T = 125°C

1.0

1.5

100

125

150

0.1

-5

-4

-3

-2

时间（s）

-1

温度

(°C)

阈值电压

雪崩电流与时间

100

功率（W）的

0.001

0.01

0.1

时间（s）

单脉冲功率，结到环境

归一化有效

短暂

热阻抗

占空比= 0.5

0.2

注意事项：

0.1

0.05

0.02

1 .

占空比， D =

2.每单位基础= R

thJA

= 52 ° C / W

单脉冲

0.01

-4

-3

-2

-1

方波脉冲持续时间（ S）

3 . T

= P

thJA （T ）

4.表层嵌

100

600

归瞬态热阻抗，结到环境

www.vishay.com

文档编号： 71627

S09-0268 -REV 。 E， 16 -FEB -09

Si7852DP

Vishay Siliconix公司

典型特征

25 ℃，除非另有说明

标准化的有效瞬态

热阻抗

占空比= 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

单脉冲

0.01

-4

-3

-2

-1

方波脉冲持续时间（ S）

归瞬态热阻抗，结至外壳

日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据

技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并

可靠性数据，请参见www.vishay.com/ppg?71627 。

文档编号： 71627

S09-0268 -REV 。 E， 16 -FEB -09