Si7846DP
Vishay Siliconix公司
N沟道150 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
150
R
DS （ ON）
(Ω)
0.050在V
GS
= 10 V
I
D
(A)
6.7
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
新的低热阻的PowerPAK
封装低1.07毫米资料
PWM优化的快速切换
100 % R
g
经过测试
采用PowerPAK SO- 8
应用
5.15 mm
6.15 mm
S
1
2
3
S
S
初级侧开关，用于高密度DC / DC
电信/服务器48 V DC / DC
工业级和42 V汽车
D
G
4
D
8
7
6
5
D
D
D
G
底部视图
S
订货信息：
Si7846DP -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si7846DP -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
雪崩电流
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
B，C
符号
V
DS
V
GS
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
L = 0.1 mH的
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
I
D
I
DM
I
AS
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10 s
6.7
5.4
4.3
5.2
3.3
稳定状态
150
± 20
24.5
19.5
4.0
3.3
50
25
1.6
1.9
1.2
- 55 150
260
单位
V
A
W
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结至外壳（漏）
t
≤
10 s
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
19
52
1.5
最大
24
65
1.8
单位
° C / W
笔记
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。见焊接温度曲线（ www.vishay.com/ppg?73257 ） 。采用PowerPAK SO -8是一种无引线封装。引线端子的端部露出铜
（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，不
需要保证足够的底侧的焊料互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71442
S09-0537 -REV 。男， 06 -APR- 09
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1
Si7846DP
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特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.8 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 75 V ，R
L
= 15
Ω
I
D
5 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
Ω
0.2
V
DS
= 75 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 5 A
30
8.5
8.5
0.85
12
7
22
10
40
1.4
18
11
33
15
70
ns
Ω
36
nC
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 150 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 150 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 5 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 5 A
I
S
= 2.8 A，V
GS
= 0 V
50
0.041
18
0.75
1.1
0.050
2.0
4.5
± 100
1
5
A
A
Ω
S
V
V
nA
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
50
V
GS
= 10 V到7 V
40
I
D
- 漏电流（ A）
6V
30
I
D
- 漏电流（ A）
40
50
30
20
20
T
C
= 125 °C
10
25 °C
- 55 °C
0
10
5V
0
0
2
4
6
8
3 V, 4 V
10
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
传输特性
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Si7846DP
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.10
3000
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.08
- 电容（pF ）
2500
2000
C
国际空间站
1500
0.06
V
GS
= 10 V
0.04
1000
C
RSS
C
OSS
0.02
500
0.00
0
10
20
30
40
50
0
0
30
60
90
120
150
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
20
V
DS
= 75 V
I
D
= 5 A
16
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
2.0
2.5
V
GS
= 10 V
I
D
= 5 A
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
12
1.5
8
1.0
4
0.5
0
0
15
30
45
60
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
50
0.15
导通电阻与结温
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.12
I
D
= 5 A
0.09
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150 °C
10
0.06
T
J
= 25 °C
0.03
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
导通电阻与栅极至源极电压
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
1.0
100
0.5
I
D
= 250 A
V
GS （ TH）
方差（ V）
10
0.0
I
DAV
(A)
- 0.5
1
- 1.0
125 °C
25 °C
- 1.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.1
10
-5
10
-4
10
-3
t
in
(s)
10
-2
10
-1
1
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
100
雪崩电流与时间
80
功率（W）的
60
40
20
0
0.001
0.01
0.1
时间（s）
1
10
单脉冲功率，结到环境
2
1
归一化有效
短暂
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
2.每单位基础= R
thJA
= 52 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
方波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到环境
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4
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S09-0537 -REV 。男， 06 -APR- 09
Si7846DP
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
方波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结至外壳
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
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