Si7806DN
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）快速开关MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
特点
I
D
(A)
14.4
12.6
r
DS （ ON）
(W)
0.011 @ V
GS
= 10 V
0.0175 @ V
GS
= 4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
PWM优化
D
新的低热阻PowerPAKt
低1.07毫米封装简介
应用
D
DC / DC转换器
- 次级同步整流
- 在同步降压型高边MOSFET
PowerPAKt 1212-8
D
S
1
2
3
4
D
8
7
6
5
D
D
D
S
S
G
3.30 mm
3.30 mm
G
S
N沟道MOSFET
底部视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
30
"20
14.4
稳定状态
单位
V
9.2
7.4
40
A
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
11.6
3.2
3.8
2.0
-55到150
1.3
1.5
0.8
A
W
_C
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大结点到环境
a
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71869
S- 20805 -REV 。 A， 17军02
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
24
65
1.9
最大
33
81
2.4
单位
° C / W
C / W
1
Si7806DN
Vishay Siliconix公司
新产品
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 14.4 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 12.6 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 14.4 A
I
S
= 3.2 A，V
GS
= 0 V
40
0.009
0.0145
34
0.77
1.2
0.011
0.0175
S
V
1.0
3
"100
1
5
V
nA
mA
m
A
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gt
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 3.2 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 14.4 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 14.4 A
8.5
19
3.6
3.0
2
8
12
25
10
35
15
20
40
20
70
ns
W
11
24
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
40
35
V
GS
= 10直通4 V
30
I
D
- 漏极电流（ A）
25
20
15
10
3V
5
0
0.0
5
0
0.0
25_C
–55_C
I
D
- 漏极电流（ A）
30
25
20
15
10
T
C
= 125_C
40
35
传输特性
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71869
S- 20805 -REV 。 A， 17军02
2
Si7806DN
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）快速开关MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
特点
I
D
(A)
14.4
12.6
r
DS （ ON）
(W)
0.011 @ V
GS
= 10 V
0.0175 @ V
GS
= 4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
PWM优化
D
新的低热阻PowerPAKt
低1.07毫米封装简介
应用
D
DC / DC转换器
- 次级同步整流
- 在同步降压型高边MOSFET
PowerPAKt 1212-8
D
S
1
2
3
4
D
8
7
6
5
D
D
D
S
S
G
3.30 mm
3.30 mm
G
S
N沟道MOSFET
底部视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
30
"20
14.4
稳定状态
单位
V
9.2
7.4
40
A
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
11.6
3.2
3.8
2.0
-55到150
1.3
1.5
0.8
A
W
_C
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大结点到环境
a
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71869
S- 20805 -REV 。 A， 17军02
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
24
65
1.9
最大
33
81
2.4
单位
° C / W
C / W
1
Si7806DN
Vishay Siliconix公司
新产品
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 14.4 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 12.6 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 14.4 A
I
S
= 3.2 A，V
GS
= 0 V
40
0.009
0.0145
34
0.77
1.2
0.011
0.0175
S
V
1.0
3
"100
1
5
V
nA
mA
m
A
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gt
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 3.2 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 14.4 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 14.4 A
8.5
19
3.6
3.0
2
8
12
25
10
35
15
20
40
20
70
ns
W
11
24
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
40
35
V
GS
= 10直通4 V
30
I
D
- 漏极电流（ A）
25
20
15
10
3V
5
0
0.0
5
0
0.0
25_C
–55_C
I
D
- 漏极电流（ A）
30
25
20
15
10
T
C
= 125_C
40
35
传输特性
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71869
S- 20805 -REV 。 A， 17军02
2
Si7806DN
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）快速开关MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
特点
I
D
(A)
14.4
12.6
r
DS （ ON）
(W)
0.011 @ V
GS
= 10 V
0.0175 @ V
GS
= 4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
PWM优化
D
新的低热阻PowerPAKt
低1.07毫米封装简介
应用
D
DC / DC转换器
- 次级同步整流
- 在同步降压型高边MOSFET
PowerPAKt 1212-8
D
S
1
2
3
4
D
8
7
6
5
D
D
D
S
S
G
3.30 mm
3.30 mm
G
S
N沟道MOSFET
底部视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
30
"20
14.4
稳定状态
单位
V
9.2
7.4
40
A
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
11.6
3.2
3.8
2.0
-55到150
1.3
1.5
0.8
A
W
_C
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大结点到环境
a
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71869
S- 20805 -REV 。 A， 17军02
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
24
65
1.9
最大
33
81
2.4
单位
° C / W
C / W
1
Si7806DN
Vishay Siliconix公司
新产品
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 14.4 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 12.6 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 14.4 A
I
S
= 3.2 A，V
GS
= 0 V
40
0.009
0.0145
34
0.77
1.2
0.011
0.0175
S
V
1.0
3
"100
1
5
V
nA
mA
m
A
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gt
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 3.2 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 14.4 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 14.4 A
8.5
19
3.6
3.0
2
8
12
25
10
35
15
20
40
20
70
ns
W
11
24
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
40
35
V
GS
= 10直通4 V
30
I
D
- 漏极电流（ A）
25
20
15
10
3V
5
0
0.0
5
0
0.0
25_C
–55_C
I
D
- 漏极电流（ A）
30
25
20
15
10
T
C
= 125_C
40
35
传输特性
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71869
S- 20805 -REV 。 A， 17军02
2
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