Si7705DN
新产品
Vishay Siliconix公司
单P通道20 -V （ DS ） MOSFET和肖特基二极管
MOSFET产品概要
V
DS
(V)
-20
特点
I
D
(A)
- 6.3
- 5.3
- 4.6
r
DS （ ON）
(W)
0.048 @ V
GS
= -4.5 V
0.068 @ V
GS
= -2.5 V
0.090 @ V
GS
= -1.8 V
D
TrenchFETr功率MOSFET的： 1.8 V额定
D
超低热阻， PowerPAKt
低1.07毫米封装简介
应用
D
充电器开关
肖特基产品概要
V
KA
(V)
20
V
f
(V)
二极管的正向电压
0.48 V @ 0.5 A
I
F
(A)
1.0
PowerPAKt 1212-8
S
K
3.30 mm
A
1
2
3.30 mm
A
S
G
G
3
4
K
8
7
K
D
6
5
D
D
底部视图
P沟道MOSFET
A
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源极电压（ MOSFET和肖特基）
反向电压（肖特基）
栅源电压（ MOSFET ）
连续漏电流（T
J
= 150_C ） （MOSFET）
a
_
漏电流脉冲（ MOSFET ）
连续源电流（ MOSFET二极管的导通）
a
平均FOWARD电流（肖特基）
脉冲FOWARD电流（肖特基）
最大功率耗散（ MOSFET ）
a
（肖特基）
a
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
J
, T
英镑
P
D
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
KA
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
F
I
FM
10秒
-20
20
"8
- 6.3
-4.5
-20
-2.3
1.0
7
2.8
1.5
2.0
1.0
稳定状态
单位
V
-4.3
-3.1
A
-1.1
1.3
0.7
1.1
0.6
-55到150
_C
W
最大功率耗散
工作结存储温度范围
笔记
一。表面装在1 “×1 ” FR4板。
文档编号： 71607
S- 22520 -REV 。 B， 27 -JAN- 03
www.vishay.com
1
Si7705DN
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
结到环境
a
稳定状态
新产品
设备
MOSFET
肖特基
MOSFET
肖特基
MOSFET
符号
典型
35
51
最大
44
64
94
115
5
12
单位
R
thJA
75
91
4
° C / W
_
结至外壳（漏）
稳定状态
肖特基
R
thJC
10
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
v
-5 V, V
GS
= -4.5 V
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -6.3 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= -2.5 V，I
D
= -5.3 A
V
GS
= -1.8 V，I
D
= -1 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= -10 V，I
D
= -6.3 A
I
S
= -2.3 A，V
GS
= 0 V
-20
0.040
0.054
0.070
14
-0.8
-1.2
0.048
0.068
0.090
S
V
W
-0.45
"100
-1
-5
V
nA
mA
m
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= -10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
-1 A，V
根
= -4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= -10 V, V
GS
= -4.5 V，I
D
= -6.3 A
11
2.7
1.9
70
75
20
45
105
110
30
70
ns
17
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
肖特基规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 0.5 A
I
F
= 0.5 A，T
J
= 125_C
V
r
= 20 V
V
r
= 20 V ，T
J
= 85_C
V
r
= 20 V ，T
J
= 125_C
V
r
= 10 V
民
典型值
0.42
0.33
0.002
0.10
1.5
31
最大
0.48
0.4
0.100
1
10
单位
V
最大反向漏电流
I
rm
C
T
mA
结电容
pF
www.vishay.com
2
文档编号： 71607
S- 22520 -REV 。 B， 27 -JAN- 03
Si7705DN
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 5通2.5 V
16
I
D
- 漏电流（ A）
2V
12
I
D
- 漏电流（ A）
16
25_C
125_C
12
20
T
C
= -55_C
Vishay Siliconix公司
MOSFET
传输特性
8
1.5 V
4
1, 0.5 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
8
4
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.20
2000
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.16
- 电容（pF ）
1600
C
国际空间站
0.12
V
GS
= 1.8 V
0.08
1200
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
800
0.04
400
C
RSS
0
4
C
OSS
0.00
0
4
8
12
16
20
0
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 6.3 A
6
1.5
导通电阻与结温
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 6.3 A
1.3
4
1.1
2
0.9
0
0
3
6
9
12
15
18
21
0.7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
文档编号： 71607
S- 22520 -REV 。 B， 27 -JAN- 03
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3
Si7705DN
Vishay Siliconix公司
新产品
MOSFET
导通电阻与栅极至源极电压
0.20
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
100
I
S
- 源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.16
T
J
= 150_C
1
T
J
= 25_C
0.12
I
D
= 6.3 A
0.08
0.1
0.04
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
= 935
mA
50
单脉冲功率，结到环境
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
40
0.2
功率（W）的
30
0.1
20
0.0
10
-0.1
-0.2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
P
DM
0.05
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
2.每单位基础= R
thJA
= 75 ° C / W
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
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4
文档编号： 71607
S- 22520 -REV 。 B， 27 -JAN- 03
Si7705DN
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
Vishay Siliconix公司
MOSFET
0.2
0.1
0.02
0.1
0.05
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
方波脉冲持续时间（秒）
10
- 1
1
典型特征（ 25_C除非另有说明）
反向电流与结温
20
10
I
R
- 反向电流（mA ）
5
肖特基
正向电压降
I
F
- 正向电流（ A）
1
T
J
= 150_C
1
0.1
20 V
0.01
10 V
T
J
= 25_C
0.001
0.0001
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
J
- 结温（ ° C）
150
V
F
- 正向压降（ V）
电容
C
T
- 结电容（pF ）
120
90
60
30
0
0
4
8
12
16
20
V
KA
- 反向电压（V
文档编号： 71607
S- 22520 -REV 。 B， 27 -JAN- 03
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5
Si7705DN
新产品
Vishay Siliconix公司
单P通道20 -V （ DS ） MOSFET和肖特基二极管
MOSFET产品概要
V
DS
(V)
-20
特点
I
D
(A)
- 6.3
- 5.3
- 4.6
r
DS （ ON）
(W)
0.048 @ V
GS
= -4.5 V
0.068 @ V
GS
= -2.5 V
0.090 @ V
GS
= -1.8 V
D
TrenchFETr功率MOSFET的： 1.8 V额定
D
超低热阻， PowerPAKt
低1.07毫米封装简介
应用
D
充电器开关
肖特基产品概要
V
KA
(V)
20
V
f
(V)
二极管的正向电压
0.48 V @ 0.5 A
I
F
(A)
1.0
PowerPAKt 1212-8
S
K
3.30 mm
A
1
2
3.30 mm
A
S
G
G
3
4
K
8
7
K
D
6
5
D
D
底部视图
P沟道MOSFET
A
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源极电压（ MOSFET和肖特基）
反向电压（肖特基）
栅源电压（ MOSFET ）
连续漏电流（T
J
= 150_C ） （MOSFET）
a
_
漏电流脉冲（ MOSFET ）
连续源电流（ MOSFET二极管的导通）
a
平均FOWARD电流（肖特基）
脉冲FOWARD电流（肖特基）
最大功率耗散（ MOSFET ）
a
（肖特基）
a
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
J
, T
英镑
P
D
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
KA
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
F
I
FM
10秒
-20
20
"8
- 6.3
-4.5
-20
-2.3
1.0
7
2.8
1.5
2.0
1.0
稳定状态
单位
V
-4.3
-3.1
A
-1.1
1.3
0.7
1.1
0.6
-55到150
_C
W
最大功率耗散
工作结存储温度范围
笔记
一。表面装在1 “×1 ” FR4板。
文档编号： 71607
S- 22520 -REV 。 B， 27 -JAN- 03
www.vishay.com
1
Si7705DN
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
结到环境
a
稳定状态
新产品
设备
MOSFET
肖特基
MOSFET
肖特基
MOSFET
符号
典型
35
51
最大
44
64
94
115
5
12
单位
R
thJA
75
91
4
° C / W
_
结至外壳（漏）
稳定状态
肖特基
R
thJC
10
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
v
-5 V, V
GS
= -4.5 V
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -6.3 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= -2.5 V，I
D
= -5.3 A
V
GS
= -1.8 V，I
D
= -1 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= -10 V，I
D
= -6.3 A
I
S
= -2.3 A，V
GS
= 0 V
-20
0.040
0.054
0.070
14
-0.8
-1.2
0.048
0.068
0.090
S
V
W
-0.45
"100
-1
-5
V
nA
mA
m
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= -10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
-1 A，V
根
= -4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= -10 V, V
GS
= -4.5 V，I
D
= -6.3 A
11
2.7
1.9
70
75
20
45
105
110
30
70
ns
17
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
肖特基规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 0.5 A
I
F
= 0.5 A，T
J
= 125_C
V
r
= 20 V
V
r
= 20 V ，T
J
= 85_C
V
r
= 20 V ，T
J
= 125_C
V
r
= 10 V
民
典型值
0.42
0.33
0.002
0.10
1.5
31
最大
0.48
0.4
0.100
1
10
单位
V
最大反向漏电流
I
rm
C
T
mA
结电容
pF
www.vishay.com
2
文档编号： 71607
S- 22520 -REV 。 B， 27 -JAN- 03
Si7705DN
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 5通2.5 V
16
I
D
- 漏电流（ A）
2V
12
I
D
- 漏电流（ A）
16
25_C
125_C
12
20
T
C
= -55_C
Vishay Siliconix公司
MOSFET
传输特性
8
1.5 V
4
1, 0.5 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
8
4
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.20
2000
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.16
- 电容（pF ）
1600
C
国际空间站
0.12
V
GS
= 1.8 V
0.08
1200
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
800
0.04
400
C
RSS
0
4
C
OSS
0.00
0
4
8
12
16
20
0
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 6.3 A
6
1.5
导通电阻与结温
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 6.3 A
1.3
4
1.1
2
0.9
0
0
3
6
9
12
15
18
21
0.7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
文档编号： 71607
S- 22520 -REV 。 B， 27 -JAN- 03
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3
Si7705DN
Vishay Siliconix公司
新产品
MOSFET
导通电阻与栅极至源极电压
0.20
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
100
I
S
- 源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.16
T
J
= 150_C
1
T
J
= 25_C
0.12
I
D
= 6.3 A
0.08
0.1
0.04
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
= 935
mA
50
单脉冲功率，结到环境
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
40
0.2
功率（W）的
30
0.1
20
0.0
10
-0.1
-0.2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
P
DM
0.05
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
2.每单位基础= R
thJA
= 75 ° C / W
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
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4
文档编号： 71607
S- 22520 -REV 。 B， 27 -JAN- 03
Si7705DN
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
Vishay Siliconix公司
MOSFET
0.2
0.1
0.02
0.1
0.05
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
方波脉冲持续时间（秒）
10
- 1
1
典型特征（ 25_C除非另有说明）
反向电流与结温
20
10
I
R
- 反向电流（mA ）
5
肖特基
正向电压降
I
F
- 正向电流（ A）
1
T
J
= 150_C
1
0.1
20 V
0.01
10 V
T
J
= 25_C
0.001
0.0001
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
J
- 结温（ ° C）
150
V
F
- 正向压降（ V）
电容
C
T
- 结电容（pF ）
120
90
60
30
0
0
4
8
12
16
20
V
KA
- 反向电压（V
文档编号： 71607
S- 22520 -REV 。 B， 27 -JAN- 03
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5
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