Si7686DP
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
R
DS （ ON）
(Ω)
0.0095在V
GS
= 10 V
0.014在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
35
35
Q
g
（典型值）。
9.2 NC
特点
无卤提供
TrenchFET
功率MOSFET
新的低热阻的PowerPAK
封装低1.07毫米资料
优化的高边同步
手术
100 % R
g
经过测试
RoHS指令
柔顺
整流器器
采用PowerPAK SO- 8
6.15 mm
S
1
2
3
S
S
5.15 mm
应用
DC / DC转换
D
G
4
D
8
7
6
5
D
D
D
G
底部视图
订货信息：
Si7686DP -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si7686DP -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
± 20
35
a
35
a
17.9
B，C
14.3
B，C
50
31.5
4.2
B，C
10
5
37.9
24.2
5
B，C
3.2
B，C
- 55 150
260
单位
V
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
单脉冲雪崩电流
雪崩能量
A
mJ
最大功率耗散
W
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
D，E
°C
热电阻额定值
参数
最大
最大结至外壳（漏）
结到环境
B，F
t
≤
10 s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
21
2.8
最大
25
3.3
单位
° C / W
注意事项：
一。包装有限。
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 10秒。
。见焊接温度曲线（
h
TTP ： //www.vishay.com/ppg 73257 ） 。
采用PowerPAK SO -8是一种无引线封装。引线端子的端部露出
铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，
并不需要保证足够的底侧的焊料互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
F。在稳态条件下最大为70 ° C / W 。
文档编号： 73451
S- 80440 -REV 。 C， 03 -MAR -08
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1
Si7686DP
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= 2.6 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= 2.6 A
0.8
25
15
12.5
12.5
T
C
= 25 °C
31.5
50
1.2
50
30
A
V
ns
nC
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 1.5
Ω
I
D
10 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
Ω
V
DD
= 15 V ，R
L
= 1.5
Ω
I
D
10 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 13.8 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 13.8 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
1220
230
98
17
9.2
4.1
2.8
0.8
20
20
20
8
13
16
23
8
1.2
30
30
30
15
20
25
35
15
ns
Ω
26
14
nC
pF
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 13.8 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 11.4 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 13.8 A
50
0.0078
0.011
56
0.0095
0.014
1
30
31.5
-6
3
± 100
1
10
V
毫伏/°C的
V
nA
A
A
Ω
S
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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文档编号： 73451
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Si7686DP
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
50
10
40
I
D
- 漏电流（ A）
V
GS
= 10直通4 V
I
D
- 漏电流（ A）
8
30
6
20
4
T
C
= 125 °C
10
3V
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2
25 °C
- 55 °C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.0140
1500
传输特性
C
国际空间站
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ MΩ）
0.0120
- 电容（pF ）
V
GS
= 4.5 V
0.0100
V
GS
= 10 V
0.0080
1200
900
600
C
OSS
0.0060
300
C
RSS
0.0040
0
10
20
30
40
50
0
0
5
10
15
20
25
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流和栅极电压
10
I
D
= 13.8 A
8
R
DS （ ON）
- 导通电阻
V
DS
= 15 V
6
V
DS
= 21 V
4
1.8
I
D
= 13.8 A
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
1.6
1.4
（归一化）
V
GS
= 10 V
1.2
V
GS
= 4.5 V
1.0
2
0.8
0
0
4
8
12
16
20
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
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导通电阻与结温
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Si7686DP
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
50
R
DS （ ON）
- 漏极 - 源极导通电阻（ Ω ）
0.030
I
D
= 13.8 A
0.025
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150 °C
10
0.020
0.015
T
J
= 25 °C
0.010
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0.005
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
2.6
2.4
40
2.2
功率（W）的
V
GS （ TH）
(V)
2.0
1.8
1.6
1.4
10
1.2
1.0
- 50
0
0.01
I
D
= 250 A
30
50
导通电阻与栅极至源极电压
20
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.1
1
时间（s）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
100
受
R
DS （ ON）
*
10
I
D
- 漏电流（ A）
单脉冲功率，结到环境
1毫秒
1
10毫秒
100毫秒
0.1
1s
10 s
DC
0.01
T
A
= 25 °C
单脉冲
1
10
100
0.001
0.1
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
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Si7686DP
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
60
40
35
30
I
D
- 漏电流（ A）
40
功率（W）的
25
20
15
10
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
50
30
包装有限公司
20
0
T
C
- 外壳温度（ ° C）
T
C
- 外壳温度（ ° C）
电流降额*
功率降额
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
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