Si7501DN
Vishay Siliconix公司
补充30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
P沟道
N沟道
- 30
30
R
DS （ ON）
(Ω)
0.051在V
GS
= - 10 V
0.075在V
GS
= - 6 V
0.035在V
GS
= 10 V
0.050在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
- 6.4
- 5.3
7.7
6.5
特点
无卤素选项可用
TrenchFET
功率MOSFET
新的低热阻
的PowerPAK
低1.07毫米套餐
廓
RoHS指令
柔顺
应用
的PowerPAK 1212-8
背光逆变器
DC / DC转换器
- 4芯电池
3.30 mm
S
1
3.30 mm
S1
1
2
3
G1
S2
G2
4
G
1
D
8
7
6
5
D
D
D
D
G
2
底部视图
订货信息：
Si7501DN -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si7501DN -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
S
2
P沟道
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
P沟道
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
- 2.6
3.1
3
- 6.4
- 5.1
- 25
- 1.3
1.6
1.0
- 55 150
260
2.6
3.1
2
10 s
稳定状态
- 30
± 25
- 4.5
- 3.6
7.7
4.7
25
1.3
1.6
1.0
W
°C
N沟道
10 s
稳定状态
30
± 20
5.4
4.3
A
单位
V
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
B，C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（案例）
t
≤
10 s
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
32
65
5
最大
40
81
6.3
° C / W
单位
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。见焊接温度曲线（
http://www.vishay.com/ppg?73257
） 。采用PowerPAK 1212-8是一种无引线封装。引线端子的端部露出
铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，
并不需要保证足够的底侧的焊料互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 72173
S- 81544 -REV 。 D， 07 -JUL- 08
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1
Si7501DN
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 25 V
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
≥
- 5 V, V
GS
= - 10 V
V
DS
≤
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 6.4 A
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.7 A
V
GS
= - 6 V，I
D
= - 5.3 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.5 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
P沟道
V
DD
= - 15 V ，R
L
= 5
Ω
I
D
- 3 A，V
根
= - 10 V ，R
G
= 1
Ω
N沟道
V
DD
= 15 V ，R
L
= 5
Ω
I
D
3 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 1
Ω
I
F
= - 1.7 A， di / dt的= 100 A / μs的
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / μs的
N沟道
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 7.7 A
P沟道
P沟道
V
DS
= - 15 V, V
GS
= - 10 V，I
D
= - 6.4 A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
12.5
9
2.5
2
3.6
1.3
9
3
10
10
20
15
25
20
30
10
25
20
15
15
30
25
40
30
45
15
50
40
ns
Ω
19
14
nC
g
fs
V
SD
V
DS
= - 15 V，I
D
= - 6.4 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 7.7 A
I
S
= - 1.7 A，V
GS
= 0 V
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
- 25
25
0.041
0.028
0.055
0.040
13
15
- 0.80
0.80
- 1.2
1.2
0.051
0.035
0.075
0.050
S
V
Ω
- 1.0
1.0
-3
3
± 200
± 100
-1
1
-5
5
A
A
V
nA
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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文档编号： 72173
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P- CHANNEL典型特征
25
V
GS
= 10通6 V
20
I
D
- 漏电流（ A）
5V
I
D
- 漏电流（ A）
20
25 ℃，除非另有说明
25
T
C
= - 55 °C
25 °C
15
15
125 °C
10
10
4V
5
3V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
5
0
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.16
1000
传输特性
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
800
0.12
- 电容（pF ）
C
国际空间站
600
0.08
V
GS
= 6 V
V
GS
= 10 V
0.04
400
200
C
RSS
0.00
0
5
10
15
20
25
0
0
6
12
C
OSS
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 6.4 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
8
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.4
1.6
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.4 A
电容
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
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P- CHANNEL典型特征
25 ℃，除非另有说明
30
T
J
= 150 °C
I
S
- 源电流（ A）
10
0.16
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.12
I
D
= 6.4 A
0.08
T
J
= 25 °C
0.04
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
0.6
50
导通电阻与栅极至源极电压
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250 A
功率（W）的
0.2
40
30
0.0
20
- 0.2
10
- 0.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
-3
10
-2
10
-1
1
时间（s）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
100
限于由R
DS （ ON）
*
I
DM
有限
单脉冲功率
10
I
D
- 漏电流（ A）
P（吨） = 0.0001
P（吨） = 0.001
1
I
D（上）
有限
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
0.1
T
A
= 25 °C
单脉冲
BV
DSS
有限
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
P（吨）= 1
P（吨） = 10
DC
安全工作区
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文档编号： 72173
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Si7501DN
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P- CHANNEL典型特征
25 ℃，除非另有说明
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 65 ° C / W
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（ S）
3. T
JM
-
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
- 2
方波脉冲持续时间（ S）
10
-1
1
归瞬态热阻抗，结至外壳
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5
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