Si7414DN
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道60 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
60
特点
I
D
(A)
8.7
7.3
r
DS （ ON）
(W)
0.025 @ V
GS
= 10 V
0.036 @ V
GS
= 4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
新的低热阻
D
PowerPAKt 1212-8封装，具有低
1.07毫米简介
D
PWM优化
应用
D
初级侧开关
D
同步整流器器
D
电机驱动
D
S
1
2
3
4
D
8
7
6
5
D
D
D
S
S
G
PowerPAKt 1212-8
3.30 mm
3.30 mm
G
S
N沟道MOSFET
底部视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
单雪崩电流
单雪崩能量
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
60
"20
8.7
稳定状态
单位
V
5.6
4.4
30
A
1.3
19
18
mJ
1.5
0.8
-55到150
W
_C
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
7.0
3.2
3.8
P
D
T
J
, T
英镑
2.0
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大结点到环境
a
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71738
S- 04764 -REV 。 A， 2008年10月01
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
26
65
1.9
最大
33
81
2.4
单位
° C / W
C / W
1
Si7414DN
Vishay Siliconix公司
新产品
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.7 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 7.3 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 8.7 A
I
S
= 3.2 A，V
GS
= 0 V
30
0.021
0.030
18
0.75
1.2
0.025
0.036
S
V
1
"100
1
5
V
nA
mA
m
A
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 3.2 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 30 V ，R
L
= 30
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 8.7 A
16
2.7
4.4
1.0
15
12
30
12
45
25
20
50
20
90
ns
W
25
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 10直通5 V
24
I
D
- 漏极电流（ A）
4V
25
30
传输特性
I
D
- 漏极电流（ A）
20
18
15
12
10
T
C
= 125_C
6
3V
0
0
1
2
3
4
5
5
25_C
–55_C
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
2
文档编号： 71738
S- 04764 -REV 。 A， 2008年10月01
Si7414DN
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.06
1200
Vishay Siliconix公司
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.05
- 电容（pF ）
1000
C
国际空间站
0.04
V
GS
= 4.5 V
0.03
V
GS
= 10 V
0.02
800
600
400
C
OSS
200
C
RSS
0.01
0.00
0
5
10
15
20
25
30
0
0
10
20
30
40
50
60
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 30 V
I
D
= 8.7 A
2.0
1.8
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
0
4
8
12
16
0.6
–50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 8.7 A
8
6
4
2
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
0.08
30
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
0.06
I
D
= 8.7 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71738
S- 04764 -REV 。 A， 2008年10月01
www.vishay.com
3
Si7414DN
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
40
50
单脉冲功率， Juncion到环境
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
功率（W）的
–0.0
30
–0.2
20
–0.4
10
–0.6
–0.8
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 65 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
单脉冲
0.05
0.02
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
方波脉冲持续时间（秒）
10
–1
1
www.vishay.com
4
文档编号： 71738
S- 04764 -REV 。 A， 2008年10月01
Si7414DN
Vishay Siliconix公司
N通道60 -V （D -S ）的MOSFET
特点
I
D
(A)
8.7
7.3
产品概述
V
DS
(V)
60
R
DS （ ON）
(Ω)
0.025在V
GS
= 10 V
0.036在V
GS
= 4.5 V
无卤符合IEC 61249-2-21
可用的
TrenchFET
功率MOSFET
PWM优化
应用
初级侧开关
同步整流器
电机驱动器
的PowerPAK 1212-8
3.30 mm
S
1
2
3
S
S
3.30 mm
D
G
4
D
8
7
6
5
D
D
D
G
底部视图
S
订货信息：
Si7414DN -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si7414DN -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
单雪崩电流
单雪崩能量（占空比1 ％ ）
最大功率耗散
a
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
L = 0.1 mH的
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
3.8
2.0
- 55 150
260
3.2
19
18
1.5
0.8
10 s
60
± 20
8.7
7.0
30
1.3
mJ
W
°C
5.6
4.4
A
稳定状态
单位
V
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
焊接建议
B，C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到外壳
t
≤
10 s
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
26
65
1.9
最大
33
81
2.4
单位
° C / W
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。见焊接温度曲线（ www.vishay.com/ppg?73257 ） 。采用PowerPAK 1212-8是一种无引线封装。引线端子的端部露出
铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，
并不需要保证足够的底侧的焊料互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71738
S- 83043 -REV 。 D， 22日-12月08
WORK -IN -PROGRESS
www.vishay.com
1
Si7414DN
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
关断DelayTime
下降时间
源漏反向恢复
时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 3.2 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 30 V ，R
L
= 30
Ω
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
Ω
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 8.7 A
16
2.7
4.4
1.0
15
12
30
12
45
25
20
50
20
90
ns
Ω
25
nC
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.7 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 7.3 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 8.7 A
I
S
= 3.2 A，V
GS
= 0 V
30
0.021
0.030
18
0.75
1.2
0.025
0.036
1
3
± 100
1
5
V
nA
A
A
Ω
S
V
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
30
V
GS
= 10直通5 V
24
I
D
- 漏电流（ A）
4V
I
D
- 漏电流（ A）
25
30
20
18
15
12
10
T
C
= 125 °C
25 °C
- 55 °C
6
3V
0
0
1
2
3
4
5
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
传输特性
www.vishay.com
2
文档编号： 71738
S- 83043 -REV 。 D， 22日-12月08
Si7414DN
Vishay Siliconix公司
典型特征
0.06
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
1200
0.05
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
- 电容（pF ）
1000
0.04
V
GS
= 4.5 V
0.03
V
GS
= 10 V
0.02
800
C
国际空间站
600
400
C
OSS
200
C
RSS
0.01
0.00
0
5
10
15
20
25
30
0
0
10
20
30
40
50
60
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
10
V
DS
= 30 V
I
D
= 8.7 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
0
4
8
12
16
0.6
- 50
V
GS
= 10 V
I
D
= 8.7 A
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
8
6
4
2
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
30
0.08
导通电阻与结温
T
J
= 150 °C
I
S
- 源电流（ A）
10
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.06
I
D
= 8.7 A
0.04
T
J
= 25 °C
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
导通电阻与栅极至源极电压
文档编号： 71738
S- 83043 -REV 。 D， 22日-12月08
www.vishay.com
3
Si7414DN
Vishay Siliconix公司
典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
0.4
I
D
= 250 A
40
50
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
功率（W）的
0.0
30
- 0.2
20
- 0.4
10
- 0.6
- 0.8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
T
J
- 温度（℃ ）
1
时间（s）
10
100
600
阈值电压
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
单脉冲功率，结到环境
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 65 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（ S）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
方波脉冲持续时间（ S）
10
-1
1
归瞬态热阻抗，结至外壳
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见www.vishay.com/ppg?71738 。
www.vishay.com
4
文档编号： 71738
S- 83043 -REV 。 D， 22日-12月08
包装信息
Vishay Siliconix公司
的PowerPAK
1212-8 ， （单/双）
W
θ
1
8
M
D4
H
E2
E4
K
L
1
Z
D1
D2
2
D5
3
4
D
2
4
5
L1
θ
θ
θ
e
E3
A1
背面查看单个垫的
H
H
D2 D3 （2个） D4
E2
E4
K
L
c
2
E1
E
注意事项：
1寸将规范
2
独特的外形尺寸模具浇口毛刺
详细
A
1
D1
2
D5
K1
3
4
b
D2
3.
尺寸独家毛边和毛刺切割
E3
后视图双垫的
MILLIMETERS
DIM 。
A
A1
b
c
D
D1
D2
D3
D4
D5
E
E1
E2
E3
E4
e
K
K1
H
L
L1
θ
W
M
ECN ： S10-0951 -REV 。 ， 03月， 10
DWG ： 5882
0.35
0.30
0.30
0.06
0°
0.15
3.20
2.95
1.47
1.75
分钟。
0.97
0.00
0.23
0.23
3.20
2.95
1.98
0.48
喃。
1.04
-
0.30
0.28
3.30
3.05
2.11
-
0.47 TYP 。
2.3 TYP 。
3.30
3.05
1.60
1.85
0.34 TYP 。
0.65 BSC
0.86 TYP 。
-
0.41
0.43
0.13
-
0.25
0.125 TYP 。
-
0.51
0.56
0.20
12°
0.36
0.014
0.012
0.012
0.002
0°
0.006
3.40
3.15
1.73
1.98
0.126
0.116
0.058
0.069
马克斯。
1.12
0.05
0.41
0.33
3.40
3.15
2.24
0.89
分钟。
0.038
0.000
0.009
0.009
0.126
0.116
0.078
0.019
英寸
喃。
0.041
-
0.012
0.011
0.130
0.120
0.083
-
0.0185 TYP 。
0.090 TYP 。
0.130
0.120
0.063
0.073
0.013 TYP 。
0.026 BSC
0.034 TYP 。
-
0.016
0.017
0.005
-
0.010
0.005 TYP 。
-
0.020
0.022
0.008
12°
0.014
0.134
0.124
0.068
0.078
马克斯。
0.044
0.002
0.016
0.013
0.134
0.124
0.088
0.035
文档编号： 71656
修改过程： 03月10
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1
b
Si7414DN
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道60 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
60
特点
I
D
(A)
8.7
7.3
r
DS （ ON）
(W)
0.025 @ V
GS
= 10 V
0.036 @ V
GS
= 4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
新的低热阻
D
PowerPAKt 1212-8封装，具有低
1.07毫米简介
D
PWM优化
应用
D
初级侧开关
D
同步整流器器
D
电机驱动
D
S
1
2
3
4
D
8
7
6
5
D
D
D
S
S
G
PowerPAKt 1212-8
3.30 mm
3.30 mm
G
S
N沟道MOSFET
底部视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
单雪崩电流
单雪崩能量
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
60
"20
8.7
稳定状态
单位
V
5.6
4.4
30
A
1.3
19
18
mJ
1.5
0.8
-55到150
W
_C
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
7.0
3.2
3.8
P
D
T
J
, T
英镑
2.0
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大结点到环境
a
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71738
S- 04764 -REV 。 A， 2008年10月01
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
26
65
1.9
最大
33
81
2.4
单位
° C / W
C / W
1
Si7414DN
Vishay Siliconix公司
新产品
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.7 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 7.3 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 8.7 A
I
S
= 3.2 A，V
GS
= 0 V
30
0.021
0.030
18
0.75
1.2
0.025
0.036
S
V
1
"100
1
5
V
nA
mA
m
A
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 3.2 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 30 V ，R
L
= 30
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 8.7 A
16
2.7
4.4
1.0
15
12
30
12
45
25
20
50
20
90
ns
W
25
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 10直通5 V
24
I
D
- 漏极电流（ A）
4V
25
30
传输特性
I
D
- 漏极电流（ A）
20
18
15
12
10
T
C
= 125_C
6
3V
0
0
1
2
3
4
5
5
25_C
–55_C
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
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2
文档编号： 71738
S- 04764 -REV 。 A， 2008年10月01
Si7414DN
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.06
1200
Vishay Siliconix公司
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.05
- 电容（pF ）
1000
C
国际空间站
0.04
V
GS
= 4.5 V
0.03
V
GS
= 10 V
0.02
800
600
400
C
OSS
200
C
RSS
0.01
0.00
0
5
10
15
20
25
30
0
0
10
20
30
40
50
60
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 30 V
I
D
= 8.7 A
2.0
1.8
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
0
4
8
12
16
0.6
–50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 8.7 A
8
6
4
2
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
0.08
30
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
0.06
I
D
= 8.7 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71738
S- 04764 -REV 。 A， 2008年10月01
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3
Si7414DN
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
40
50
单脉冲功率， Juncion到环境
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
功率（W）的
–0.0
30
–0.2
20
–0.4
10
–0.6
–0.8
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 65 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
单脉冲
0.05
0.02
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
方波脉冲持续时间（秒）
10
–1
1
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文档编号： 71738
S- 04764 -REV 。 A， 2008年10月01
Si7414DN
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道60 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
60
特点
I
D
(A)
8.7
7.3
r
DS （ ON）
(W)
0.025 @ V
GS
= 10 V
0.036 @ V
GS
= 4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
新的低热阻
D
PowerPAKt 1212-8封装，具有低
1.07毫米简介
D
PWM优化
应用
D
初级侧开关
D
同步整流器器
D
电机驱动
D
S
1
2
3
4
D
8
7
6
5
D
D
D
S
S
G
PowerPAKt 1212-8
3.30 mm
3.30 mm
G
S
N沟道MOSFET
底部视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
单雪崩电流
单雪崩能量
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
60
"20
8.7
稳定状态
单位
V
5.6
4.4
30
A
1.3
19
18
mJ
1.5
0.8
-55到150
W
_C
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
7.0
3.2
3.8
P
D
T
J
, T
英镑
2.0
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大结点到环境
a
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71738
S- 04764 -REV 。 A， 2008年10月01
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
26
65
1.9
最大
33
81
2.4
单位
° C / W
C / W
1
Si7414DN
Vishay Siliconix公司
新产品
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.7 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 7.3 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 8.7 A
I
S
= 3.2 A，V
GS
= 0 V
30
0.021
0.030
18
0.75
1.2
0.025
0.036
S
V
1
"100
1
5
V
nA
mA
m
A
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 3.2 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 30 V ，R
L
= 30
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 8.7 A
16
2.7
4.4
1.0
15
12
30
12
45
25
20
50
20
90
ns
W
25
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 10直通5 V
24
I
D
- 漏极电流（ A）
4V
25
30
传输特性
I
D
- 漏极电流（ A）
20
18
15
12
10
T
C
= 125_C
6
3V
0
0
1
2
3
4
5
5
25_C
–55_C
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
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文档编号： 71738
S- 04764 -REV 。 A， 2008年10月01
Si7414DN
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.06
1200
Vishay Siliconix公司
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.05
- 电容（pF ）
1000
C
国际空间站
0.04
V
GS
= 4.5 V
0.03
V
GS
= 10 V
0.02
800
600
400
C
OSS
200
C
RSS
0.01
0.00
0
5
10
15
20
25
30
0
0
10
20
30
40
50
60
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 30 V
I
D
= 8.7 A
2.0
1.8
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
0
4
8
12
16
0.6
–50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 8.7 A
8
6
4
2
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
0.08
30
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
0.06
I
D
= 8.7 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
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S- 04764 -REV 。 A， 2008年10月01
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Si7414DN
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
40
50
单脉冲功率， Juncion到环境
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
功率（W）的
–0.0
30
–0.2
20
–0.4
10
–0.6
–0.8
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 65 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
单脉冲
0.05
0.02
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
方波脉冲持续时间（秒）
10
–1
1
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4
文档编号： 71738
S- 04764 -REV 。 A， 2008年10月01
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