Si7392DP
Vishay Siliconix公司
N沟道降低Q
g
，快速切换WFETr
特点
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.00975 @ V
GS
= 10 V
0.01375 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
15
13
D
超低Q
gd
WFET技术
低开关损耗
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
新的低热阻PowerPAKr
低1.07毫米封装简介
D
100% R
g
经过测试
应用
D
高端DC / DC转换器
笔记本
服务器
D
6.15 mm
S
1
2
S
3
S
4
D
8
7
D
6
D
5
D
G
采用PowerPAK SO- 8
5.15 mm
G
S
N沟道MOSFET
底部视图
订购信息： Si7392DP -T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
30
"20
15
12
"50
4.1
5
3.2
稳定状态
单位
V
9
7
A
1.5
1.8
1.1
55
150
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结到环境（ MOSFET ）
a
结到环境
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72165
S- 41427 -REV 。 D， 26 -JUL- 04
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
20
53
3.5
最大
25
70
4.5
单位
° C / W
C / W
1
Si7392DP
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 13 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A
I
S
= 4.1 A，V
GS
= 0 V
40
0.008
0.011
40
0.75
1.1
0.00975
0.01375
1.0
3.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
W
0.5
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 15 A
10
3.5
2.6
1.6
15
7
46
9
30
2.7
25
15
70
17
60
ns
W
15
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
50
V
GS
= 10直通4 V
40
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
40
50
传输特性
30
3V
30
20
20
T
C
= 125_C
10
25_C
55_C
10
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72165
S- 41427 -REV 。 D， 26 -JUL- 04
2
Si7392DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.030
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
1800
1500
1200
900
C
OSS
600
300
0
0
10
20
30
40
50
0
6
12
18
24
30
C
RSS
C
国际空间站
电容
0.024
0.018
0.012
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
0.006
0.000
I
D
漏电流（ A）
C
电容（pF）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
6
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
5
4
3
2
1
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
总栅极电荷（ NC）
V
DS
= 15 V
I
D
= 15 A
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 15 A
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
50
0.040
导通电阻与栅极至源极电压
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
I
S
源电流（ A）
T
J
= 150_C
0.032
0.024
I
D
= 15 A
1
0.016
T
J
= 25_C
0.008
0.1
0.0
0.000
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72165
S- 41427 -REV 。 D， 26 -JUL- 04
www.vishay.com
3
Si7392DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
50
40
I
D
= 250
mA
功率（W）的
120
200
单脉冲功率
160
80
0
25
0
25
50
75
100
125
150
10
3
10
2
10
1
时间（秒）
1
10
T
J
温度（℃）
100
受
r
DS （ ON）
10
I
D
漏电流（ A）
安全工作区，结至外壳
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
1s
0.1
T
C
= 25_C
单脉冲
10 s
dc
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 125°C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72165
S- 41427 -REV 。 D， 26 -JUL- 04
Si7392DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72165
S- 41427 -REV 。 D， 26 -JUL- 04
www.vishay.com
5
Si7392DP
Vishay Siliconix公司
N沟道降低Q
g
，快速切换WFETr
特点
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.00975 @ V
GS
= 10 V
0.01375 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
15
13
D
超低Q
gd
WFET技术
低开关损耗
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
新的低热阻PowerPAKr
低1.07毫米封装简介
D
100% R
g
经过测试
应用
D
高端DC / DC转换器
笔记本
服务器
D
6.15 mm
S
1
2
S
3
S
4
D
8
7
D
6
D
5
D
G
采用PowerPAK SO- 8
5.15 mm
G
S
N沟道MOSFET
底部视图
订购信息： Si7392DP -T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
30
"20
15
12
"50
4.1
5
3.2
稳定状态
单位
V
9
7
A
1.5
1.8
1.1
55
150
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结到环境（ MOSFET ）
a
结到环境
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72165
S- 41427 -REV 。 D， 26 -JUL- 04
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
20
53
3.5
最大
25
70
4.5
单位
° C / W
C / W
1
Si7392DP
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 13 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A
I
S
= 4.1 A，V
GS
= 0 V
40
0.008
0.011
40
0.75
1.1
0.00975
0.01375
1.0
3.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
W
0.5
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 15 A
10
3.5
2.6
1.6
15
7
46
9
30
2.7
25
15
70
17
60
ns
W
15
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
50
V
GS
= 10直通4 V
40
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
40
50
传输特性
30
3V
30
20
20
T
C
= 125_C
10
25_C
55_C
10
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72165
S- 41427 -REV 。 D， 26 -JUL- 04
2
Si7392DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.030
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
1800
1500
1200
900
C
OSS
600
300
0
0
10
20
30
40
50
0
6
12
18
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30
C
RSS
C
国际空间站
电容
0.024
0.018
0.012
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
0.006
0.000
I
D
漏电流（ A）
C
电容（pF）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
6
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
5
4
3
2
1
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
总栅极电荷（ NC）
V
DS
= 15 V
I
D
= 15 A
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 15 A
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
50
0.040
导通电阻与栅极至源极电压
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
I
S
源电流（ A）
T
J
= 150_C
0.032
0.024
I
D
= 15 A
1
0.016
T
J
= 25_C
0.008
0.1
0.0
0.000
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72165
S- 41427 -REV 。 D， 26 -JUL- 04
www.vishay.com
3
Si7392DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.2
0.0
0.2
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I
D
= 250
mA
功率（W）的
120
200
单脉冲功率
160
80
0
25
0
25
50
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100
125
150
10
3
10
2
10
1
时间（秒）
1
10
T
J
温度（℃）
100
受
r
DS （ ON）
10
I
D
漏电流（ A）
安全工作区，结至外壳
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
1s
0.1
T
C
= 25_C
单脉冲
10 s
dc
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 125°C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72165
S- 41427 -REV 。 D， 26 -JUL- 04
Si7392DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
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10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72165
S- 41427 -REV 。 D， 26 -JUL- 04
www.vishay.com
5
Si7392DP
Vishay Siliconix公司
N沟道降低Q
g
，快速切换WFETr
特点
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.00975 @ V
GS
= 10 V
0.01375 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
15
13
D
超低Q
gd
WFET技术
低开关损耗
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
新的低热阻PowerPAKr
低1.07毫米封装简介
D
100% R
g
经过测试
应用
D
高端DC / DC转换器
笔记本
服务器
D
6.15 mm
S
1
2
S
3
S
4
D
8
7
D
6
D
5
D
G
采用PowerPAK SO- 8
5.15 mm
G
S
N沟道MOSFET
底部视图
订购信息： Si7392DP -T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
30
"20
15
12
"50
4.1
5
3.2
稳定状态
单位
V
9
7
A
1.5
1.8
1.1
55
150
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结到环境（ MOSFET ）
a
结到环境
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72165
S- 41427 -REV 。 D， 26 -JUL- 04
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
20
53
3.5
最大
25
70
4.5
单位
° C / W
C / W
1
Si7392DP
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 13 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A
I
S
= 4.1 A，V
GS
= 0 V
40
0.008
0.011
40
0.75
1.1
0.00975
0.01375
1.0
3.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
W
0.5
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 15 A
10
3.5
2.6
1.6
15
7
46
9
30
2.7
25
15
70
17
60
ns
W
15
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
50
V
GS
= 10直通4 V
40
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
40
50
传输特性
30
3V
30
20
20
T
C
= 125_C
10
25_C
55_C
10
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72165
S- 41427 -REV 。 D， 26 -JUL- 04
2
Si7392DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.030
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
1800
1500
1200
900
C
OSS
600
300
0
0
10
20
30
40
50
0
6
12
18
24
30
C
RSS
C
国际空间站
电容
0.024
0.018
0.012
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
0.006
0.000
I
D
漏电流（ A）
C
电容（pF）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
6
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
5
4
3
2
1
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
总栅极电荷（ NC）
V
DS
= 15 V
I
D
= 15 A
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 15 A
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
50
0.040
导通电阻与栅极至源极电压
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
I
S
源电流（ A）
T
J
= 150_C
0.032
0.024
I
D
= 15 A
1
0.016
T
J
= 25_C
0.008
0.1
0.0
0.000
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72165
S- 41427 -REV 。 D， 26 -JUL- 04
www.vishay.com
3
Si7392DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
50
40
I
D
= 250
mA
功率（W）的
120
200
单脉冲功率
160
80
0
25
0
25
50
75
100
125
150
10
3
10
2
10
1
时间（秒）
1
10
T
J
温度（℃）
100
受
r
DS （ ON）
10
I
D
漏电流（ A）
安全工作区，结至外壳
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
1s
0.1
T
C
= 25_C
单脉冲
10 s
dc
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 125°C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72165
S- 41427 -REV 。 D， 26 -JUL- 04
Si7392DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72165
S- 41427 -REV 。 D， 26 -JUL- 04
www.vishay.com
5
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