添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第880页 > SI7356DP-T1
Si7356DP
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
特点
D
超低导通电阻采用高密度
TrenchFETr第二代功率MOSFET技术
D
新的低热阻封装PowerPAKr
低1.07毫米简介
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.003 @ V
GS
= 10 V
0.004 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
30
27
应用
D
低端DC / DC转换器
- 笔记本电脑
- 服务器
- 工作站
D
转换负载点的
采用PowerPAK SO- 8
6.15 mm
S
1
2
S
3
S
5.15 mm
D
4
D
8
7
D
6
D
5
D
G
G
S
N沟道MOSFET
底部视图
订购信息： Si7356DP -T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲（ 10
ms
脉冲宽度）
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
30
"20
30
25
70
4.5
5.4
3.4
稳定状态
单位
V
18
15
A
1.8
1.9
1.2
- 55 150
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72222
S- 32039 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
18
50
1.0
最大
23
65
1.5
单位
° C / W
C / W
1
Si7356DP
Vishay Siliconix公司
新产品
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
NO TAG
漏源导通电阻
NO TAG
正向跨导
NO TAG
二极管的正向电压
NO TAG
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 25 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 19 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 25 A
I
S
= 2.9 A，V
GS
= 0 V
30
0.0024
0.0032
110
0.72
1.1
0.003
0.004
1.0
3.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
NO TAG
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.9 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
45
20
16
1.1
27
21
107
43
45
40
35
160
65
70
ns
W
70
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
60
50
40
30
20
10
输出特性
V
GS
= 10直通4 V
60
50
40
30
20
传输特性
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
T
C
= 125_C
10
25_C
- 55_C
3V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72222
S- 32039 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
2
Si7356DP
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.005
Vishay Siliconix公司
导通电阻与漏电流
8500
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.004
- 电容（pF ）
V
GS
= 4.5 V
0.003
V
GS
= 10 V
0.002
6800
C
国际空间站
5100
3400
0.001
1700
C
RSS
C
OSS
0.000
0
10
20
30
40
50
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
5
4
3
2
1
0
0
10
20
V
DS
= 15 V
I
D
= 20 A
栅极电荷
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 25 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
30
40
50
60
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
50
0.015
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.012
I
D
= 25 A
0.009
1
T
J
= 25_C
0.006
0.003
0.1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
文档编号： 72222
S- 32039 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
0.000
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
3
Si7356DP
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
- 0.0
- 0.2
- 0.4
- 0.6
- 0.8
- 1.0
- 50
40
功率（W）的
120
I
D
= 250
mA
200
单脉冲功率
160
80
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
T
J
- 温度（℃ ）
100
安全工作区，结至外壳
限于由R
DS （ ON）
10
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
1s
0.1
10 s
T
C
= 25_C
单脉冲
dc
0.01
10
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 50℃ / W的
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72222
S- 32039 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
Si7356DP
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
Vishay Siliconix公司
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
单脉冲
0.05
0.02
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72222
S- 32039 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
www.vishay.com
5
Si7356DP
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
特点
D
超低导通电阻采用高密度
TrenchFETr第二代功率MOSFET技术
D
新的低热阻封装PowerPAKr
低1.07毫米简介
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.003 @ V
GS
= 10 V
0.004 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
30
27
应用
D
低端DC / DC转换器
- 笔记本电脑
- 服务器
- 工作站
D
转换负载点的
采用PowerPAK SO- 8
6.15 mm
S
1
2
S
3
S
5.15 mm
D
4
D
8
7
D
6
D
5
D
G
G
S
N沟道MOSFET
底部视图
订购信息： Si7356DP -T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲（ 10
ms
脉冲宽度）
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
30
"20
30
25
70
4.5
5.4
3.4
稳定状态
单位
V
18
15
A
1.8
1.9
1.2
- 55 150
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72222
S- 32039 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
18
50
1.0
最大
23
65
1.5
单位
° C / W
C / W
1
Si7356DP
Vishay Siliconix公司
新产品
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
NO TAG
漏源导通电阻
NO TAG
正向跨导
NO TAG
二极管的正向电压
NO TAG
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 25 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 19 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 25 A
I
S
= 2.9 A，V
GS
= 0 V
30
0.0024
0.0032
110
0.72
1.1
0.003
0.004
1.0
3.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
NO TAG
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.9 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
45
20
16
1.1
27
21
107
43
45
40
35
160
65
70
ns
W
70
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
60
50
40
30
20
10
输出特性
V
GS
= 10直通4 V
60
50
40
30
20
传输特性
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
T
C
= 125_C
10
25_C
- 55_C
3V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72222
S- 32039 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
2
Si7356DP
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.005
Vishay Siliconix公司
导通电阻与漏电流
8500
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.004
- 电容（pF ）
V
GS
= 4.5 V
0.003
V
GS
= 10 V
0.002
6800
C
国际空间站
5100
3400
0.001
1700
C
RSS
C
OSS
0.000
0
10
20
30
40
50
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
5
4
3
2
1
0
0
10
20
V
DS
= 15 V
I
D
= 20 A
栅极电荷
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 25 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
30
40
50
60
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
50
0.015
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.012
I
D
= 25 A
0.009
1
T
J
= 25_C
0.006
0.003
0.1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
文档编号： 72222
S- 32039 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
0.000
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
3
Si7356DP
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
- 0.0
- 0.2
- 0.4
- 0.6
- 0.8
- 1.0
- 50
40
功率（W）的
120
I
D
= 250
mA
200
单脉冲功率
160
80
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
T
J
- 温度（℃ ）
100
安全工作区，结至外壳
限于由R
DS （ ON）
10
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
1s
0.1
10 s
T
C
= 25_C
单脉冲
dc
0.01
10
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 50℃ / W的
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72222
S- 32039 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
Si7356DP
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
Vishay Siliconix公司
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
单脉冲
0.05
0.02
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72222
S- 32039 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
www.vishay.com
5
Si7356DP
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
特点
D
超低导通电阻采用高密度
TrenchFETr第二代功率MOSFET技术
D
新的低热阻封装PowerPAKr
低1.07毫米简介
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.003 @ V
GS
= 10 V
0.004 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
30
27
应用
D
低端DC / DC转换器
- 笔记本电脑
- 服务器
- 工作站
D
转换负载点的
采用PowerPAK SO- 8
6.15 mm
S
1
2
S
3
S
5.15 mm
D
4
D
8
7
D
6
D
5
D
G
G
S
N沟道MOSFET
底部视图
订购信息： Si7356DP -T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲（ 10
ms
脉冲宽度）
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
30
"20
30
25
70
4.5
5.4
3.4
稳定状态
单位
V
18
15
A
1.8
1.9
1.2
- 55 150
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72222
S- 32039 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
18
50
1.0
最大
23
65
1.5
单位
° C / W
C / W
1
Si7356DP
Vishay Siliconix公司
新产品
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
NO TAG
漏源导通电阻
NO TAG
正向跨导
NO TAG
二极管的正向电压
NO TAG
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 25 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 19 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 25 A
I
S
= 2.9 A，V
GS
= 0 V
30
0.0024
0.0032
110
0.72
1.1
0.003
0.004
1.0
3.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
NO TAG
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.9 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
45
20
16
1.1
27
21
107
43
45
40
35
160
65
70
ns
W
70
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
60
50
40
30
20
10
输出特性
V
GS
= 10直通4 V
60
50
40
30
20
传输特性
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
T
C
= 125_C
10
25_C
- 55_C
3V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72222
S- 32039 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
2
Si7356DP
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.005
Vishay Siliconix公司
导通电阻与漏电流
8500
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.004
- 电容（pF ）
V
GS
= 4.5 V
0.003
V
GS
= 10 V
0.002
6800
C
国际空间站
5100
3400
0.001
1700
C
RSS
C
OSS
0.000
0
10
20
30
40
50
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
5
4
3
2
1
0
0
10
20
V
DS
= 15 V
I
D
= 20 A
栅极电荷
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 25 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
30
40
50
60
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
50
0.015
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.012
I
D
= 25 A
0.009
1
T
J
= 25_C
0.006
0.003
0.1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
文档编号： 72222
S- 32039 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
0.000
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
3
Si7356DP
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
- 0.0
- 0.2
- 0.4
- 0.6
- 0.8
- 1.0
- 50
40
功率（W）的
120
I
D
= 250
mA
200
单脉冲功率
160
80
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
T
J
- 温度（℃ ）
100
安全工作区，结至外壳
限于由R
DS （ ON）
10
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
1s
0.1
10 s
T
C
= 25_C
单脉冲
dc
0.01
10
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 50℃ / W的
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72222
S- 32039 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
Si7356DP
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
Vishay Siliconix公司
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
单脉冲
0.05
0.02
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72222
S- 32039 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
www.vishay.com
5
查看更多SI7356DP-T1PDF信息
推荐型号
SOD1F7
SI4936CDY-T1-GE3
SD57045-01
SMLJ51CA
SN74HC175PWT
S-80128BLMC-JENT2G
SED1335F0B
SA741C
SP6019S8RGB
S6515
ST3232CW
SDR1045-2R7M
SIHFI540G
SN74ACT7202LA35RJR
SN74CB3Q3244PWR
SN74AHC174DG4
SS349RT
SN74LV541ADW
SF3004PT
SDS120PS28B
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SI7356DP-T1
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市华斯顿科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777607/83777708/82799993
联系人：销售部1部
地址：美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
SI7356DP-T1
VISHAY
25+23+
51278
QFN8
绝对原装正品现货，渠道全新深圳渠道进口现货！
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
SI7356DP-T1
VISHAY
21+
2139
QFN8
全新原装正品/质量有保证
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
SI7356DP-T1
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9744
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
SI7356DP-T1
VISHAY
14+
2500
QFN8
全新原装正品/质量有保证
查询更多SI7356DP-T1供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！