Si7336DP
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.00325 @ V
GS
= 10 V
0.0042 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
30
27
Q
g
（典型值）
36
D
超低导通电阻采用高密度
TrenchFETr第二代功率MOSFET技术
D
Q
g
优化
D
新的低热阻封装PowerPAKr
低1.07毫米简介
D
100% R
g
经过测试
应用
D
低端DC / DC转换器
笔记本
服务器
工作站
D
同步整流， POL
采用PowerPAK SO- 8
6.15 mm
S
1
2
S
3
S
5.15 mm
D
4
D
8
7
D
6
D
5
D
G
G
底部视图
订购信息： Si7336DP -T1
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲（ 10
ms
脉冲宽度）
连续源电流（二极管
雪崩电流
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
导通）
a
L = 1.0 mH的
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
30
"20
30
25
70
4.5
50
5.4
3.4
稳定状态
单位
V
18
15
A
1.8
1.9
1.2
55
150
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结到环境
a
结到环境
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72415
S- 41795 -REV 。 C， 04 - OCT- 04
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
18
50
1.0
最大
23
65
1.5
单位
° C / W
1
Si7336DP
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管正向
电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 25 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 19 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 25 A
I
S
= 2.9 A，V
GS
= 0 V
30
0.0026
0.0033
110
0.72
1.1
0.00325
0.0042
1.0
3.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.9 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
W
0.8
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
,
,
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
,
,
5600
860
415
36
18
10
1.3
24
16
90
32
45
2.0
35
25
140
50
70
ns
W
50
nC
p
pF
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
60
50
40
30
20
10
3V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
GS
= 10直通4 V
60
50
40
30
20
T
C
= 125_C
10
25_C
55_C
2.5
3.0
3.5
4.0
传输特性
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72415
S- 41795 -REV 。 C， 04 - OCT- 04
2
Si7336DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.005
导通电阻与漏电流
7000
6000
电容
C
国际空间站
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.004
C
电容（pF）
V
GS
= 4.5 V
0.003
V
GS
= 10 V
0.002
5000
4000
3000
2000
1000
0.000
0
10
20
30
40
50
0
0
6
12
18
24
30
C
RSS
C
OSS
0.001
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
6
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
V
DS
= 15 V
I
D
= 20 A
栅极电荷
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 25 A
1.4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
20
25
30
35
40
45
1.2
1.0
0.8
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
总栅极电荷（ NC）
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
50
0.015
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.012
I
D
= 25 A
0.009
1
T
J
= 25_C
0.006
0.003
0.1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
源极到漏极电压（V ）
文档编号： 72415
S- 41795 -REV 。 C， 04 - OCT- 04
0.000
0
2
4
6
8
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
3
Si7336DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
50
40
功率（W）的
120
I
D
= 250
mA
200
单脉冲功率
160
80
25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
T
J
温度（℃）
100
安全工作区，结至外壳
限于由R
DS （ ON）
*
10
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
1s
0.1
10 s
T
C
= 25_C
单脉冲
dc
0.01
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
*V
GS
u
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 50℃ / W的
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72415
S- 41795 -REV 。 C， 04 - OCT- 04
Si7336DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
单脉冲
0.05
0.02
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性数据
和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?72415 。
文档编号： 72415
S- 41795 -REV 。 C， 04 - OCT- 04
www.vishay.com
5
Si7336DP
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.00325 @ V
GS
= 10 V
0.0042 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
30
27
Q
g
（典型值）
36
D
超低导通电阻采用高密度
TrenchFETr第二代功率MOSFET技术
D
Q
g
优化
D
新的低热阻封装PowerPAKr
低1.07毫米简介
D
100% R
g
经过测试
应用
D
低端DC / DC转换器
笔记本
服务器
工作站
D
同步整流， POL
采用PowerPAK SO- 8
6.15 mm
S
1
2
S
3
S
5.15 mm
D
4
D
8
7
D
6
D
5
D
G
G
底部视图
订购信息： Si7336DP -T1
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲（ 10
ms
脉冲宽度）
连续源电流（二极管
雪崩电流
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
导通）
a
L = 1.0 mH的
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
30
"20
30
25
70
4.5
50
5.4
3.4
稳定状态
单位
V
18
15
A
1.8
1.9
1.2
55
150
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结到环境
a
结到环境
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72415
S- 41795 -REV 。 C， 04 - OCT- 04
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
18
50
1.0
最大
23
65
1.5
单位
° C / W
1
Si7336DP
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管正向
电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 25 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 19 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 25 A
I
S
= 2.9 A，V
GS
= 0 V
30
0.0026
0.0033
110
0.72
1.1
0.00325
0.0042
1.0
3.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.9 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
W
0.8
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
,
,
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
,
,
5600
860
415
36
18
10
1.3
24
16
90
32
45
2.0
35
25
140
50
70
ns
W
50
nC
p
pF
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
60
50
40
30
20
10
3V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
GS
= 10直通4 V
60
50
40
30
20
T
C
= 125_C
10
25_C
55_C
2.5
3.0
3.5
4.0
传输特性
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72415
S- 41795 -REV 。 C， 04 - OCT- 04
2
Si7336DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.005
导通电阻与漏电流
7000
6000
电容
C
国际空间站
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.004
C
电容（pF）
V
GS
= 4.5 V
0.003
V
GS
= 10 V
0.002
5000
4000
3000
2000
1000
0.000
0
10
20
30
40
50
0
0
6
12
18
24
30
C
RSS
C
OSS
0.001
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
6
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
V
DS
= 15 V
I
D
= 20 A
栅极电荷
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 25 A
1.4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
20
25
30
35
40
45
1.2
1.0
0.8
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
总栅极电荷（ NC）
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
50
0.015
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.012
I
D
= 25 A
0.009
1
T
J
= 25_C
0.006
0.003
0.1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
源极到漏极电压（V ）
文档编号： 72415
S- 41795 -REV 。 C， 04 - OCT- 04
0.000
0
2
4
6
8
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
3
Si7336DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
50
40
功率（W）的
120
I
D
= 250
mA
200
单脉冲功率
160
80
25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
T
J
温度（℃）
100
安全工作区，结至外壳
限于由R
DS （ ON）
*
10
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
1s
0.1
10 s
T
C
= 25_C
单脉冲
dc
0.01
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
*V
GS
u
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 50℃ / W的
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72415
S- 41795 -REV 。 C， 04 - OCT- 04
Si7336DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
单脉冲
0.05
0.02
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性数据
和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?72415 。
文档编号： 72415
S- 41795 -REV 。 C， 04 - OCT- 04
www.vishay.com
5
规格比较
Vishay Siliconix公司
Si7336ADP与Si7336DP
描述：N沟道MOSFET
包装：
PowerPAKr S0-8
引脚输出：
相同
型号替换：
Si7336ADP -T1替换Si7336DP -T1
铅（Pb ） - 免费： Si7336ADP -T1 -E3替换Si7336DP -T1 -E3
业绩概要：
该Si7336ADP是推荐替代原有的Si7336DP 。该Si7336ADP具有较低的导通电阻，
否则，无论是零件号执行相同。
绝对最大额定值（T
A
= 25
_C
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流*
漏电流脉冲
连续源电流* （ MOSFET二极管的导通）
雪崩电流
功耗
L = 1.0 mH的
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
P
D
T
j
和T
英镑
R
thJA
R
thJA
Si7336ADP
30
"20
18
15
70
1.8
50
1.9
1.2
55
150
65
1.5
Si7336DP
30
"20
18
15
70
1.8
NS **
1.9
1.2
55
150
65
1.5
单位
V
A
W
_C
° C / W
工作结存储温度范围
最大结点到环境*
最大结至外壳（漏） *
注： *表示稳定状态，其他均为独立的时间。
** NS表示在原始数据表中没有指定的参数。
规格（T
J
= 25
_C
除非另有说明）
Si7336ADP
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
30
0.0024
0.0031
110
0.72
1.1
0.0030
0.0040
1.0
3.0
"100
1
30
0.0026
0.0033
110
0.72
1.1
0.00325
0.0042
1.0
3.0
"100
1
V
nA
mA
A
W
S
V
Si7336DP
最大
民
典型值
最大
单位
符号
民
典型值
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
文档编号： 73260
05-Jan-05
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
0.8
36
18
10
1.3
5600
860
415
2.0
0.8
50
36
18
10
1.3
5600
860
415
www.vishay.com
p
pF
2.0
W
50
nC
1
规格比较
Vishay Siliconix公司
Si7336ADP与Si7336DP
描述：N沟道MOSFET
包装：
PowerPAKr S0-8
引脚输出：
相同
型号替换：
Si7336ADP -T1替换Si7336DP -T1
铅（Pb ） - 免费： Si7336ADP -T1 -E3替换Si7336DP -T1 -E3
业绩概要：
该Si7336ADP是推荐替代原有的Si7336DP 。该Si7336ADP具有较低的导通电阻，
否则，无论是零件号执行相同。
绝对最大额定值（T
A
= 25
_C
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流*
漏电流脉冲
连续源电流* （ MOSFET二极管的导通）
雪崩电流
功耗
L = 1.0 mH的
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
P
D
T
j
和T
英镑
R
thJA
R
thJA
Si7336ADP
30
"20
18
15
70
1.8
50
1.9
1.2
55
150
65
1.5
Si7336DP
30
"20
18
15
70
1.8
NS **
1.9
1.2
55
150
65
1.5
单位
V
A
W
_C
° C / W
工作结存储温度范围
最大结点到环境*
最大结至外壳（漏） *
注： *表示稳定状态，其他均为独立的时间。
** NS表示在原始数据表中没有指定的参数。
规格（T
J
= 25
_C
除非另有说明）
Si7336ADP
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
30
0.0024
0.0031
110
0.72
1.1
0.0030
0.0040
1.0
3.0
"100
1
30
0.0026
0.0033
110
0.72
1.1
0.00325
0.0042
1.0
3.0
"100
1
V
nA
mA
A
W
S
V
Si7336DP
最大
民
典型值
最大
单位
符号
民
典型值
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
文档编号： 73260
05-Jan-05
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
0.8
36
18
10
1.3
5600
860
415
2.0
0.8
50
36
18
10
1.3
5600
860
415
www.vishay.com
p
pF
2.0
W
50
nC
1
Si7336DP
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.00325 @ V
GS
= 10 V
0.0042 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
30
27
Q
g
（典型值）
36
D
超低导通电阻采用高密度
TrenchFETr第二代功率MOSFET技术
D
Q
g
优化
D
新的低热阻封装PowerPAKr
低1.07毫米简介
D
100% R
g
经过测试
应用
D
低端DC / DC转换器
笔记本
服务器
工作站
D
同步整流， POL
采用PowerPAK SO- 8
6.15 mm
S
1
2
S
3
S
5.15 mm
D
4
D
8
7
D
6
D
5
D
G
G
底部视图
订购信息： Si7336DP -T1
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲（ 10
ms
脉冲宽度）
连续源电流（二极管
雪崩电流
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
导通）
a
L = 1.0 mH的
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
30
"20
30
25
70
4.5
50
5.4
3.4
稳定状态
单位
V
18
15
A
1.8
1.9
1.2
55
150
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结到环境
a
结到环境
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72415
S- 41795 -REV 。 C， 04 - OCT- 04
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
18
50
1.0
最大
23
65
1.5
单位
° C / W
1
Si7336DP
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管正向
电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 25 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 19 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 25 A
I
S
= 2.9 A，V
GS
= 0 V
30
0.0026
0.0033
110
0.72
1.1
0.00325
0.0042
1.0
3.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.9 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
W
0.8
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
,
,
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
,
,
5600
860
415
36
18
10
1.3
24
16
90
32
45
2.0
35
25
140
50
70
ns
W
50
nC
p
pF
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
60
50
40
30
20
10
3V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
GS
= 10直通4 V
60
50
40
30
20
T
C
= 125_C
10
25_C
55_C
2.5
3.0
3.5
4.0
传输特性
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72415
S- 41795 -REV 。 C， 04 - OCT- 04
2
Si7336DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.005
导通电阻与漏电流
7000
6000
电容
C
国际空间站
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.004
C
电容（pF）
V
GS
= 4.5 V
0.003
V
GS
= 10 V
0.002
5000
4000
3000
2000
1000
0.000
0
10
20
30
40
50
0
0
6
12
18
24
30
C
RSS
C
OSS
0.001
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
6
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
V
DS
= 15 V
I
D
= 20 A
栅极电荷
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 25 A
1.4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
20
25
30
35
40
45
1.2
1.0
0.8
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
总栅极电荷（ NC）
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
50
0.015
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.012
I
D
= 25 A
0.009
1
T
J
= 25_C
0.006
0.003
0.1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
源极到漏极电压（V ）
文档编号： 72415
S- 41795 -REV 。 C， 04 - OCT- 04
0.000
0
2
4
6
8
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
3
Si7336DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
50
40
功率（W）的
120
I
D
= 250
mA
200
单脉冲功率
160
80
25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
T
J
温度（℃）
100
安全工作区，结至外壳
限于由R
DS （ ON）
*
10
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
1s
0.1
10 s
T
C
= 25_C
单脉冲
dc
0.01
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
*V
GS
u
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 50℃ / W的
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72415
S- 41795 -REV 。 C， 04 - OCT- 04
Si7336DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
单脉冲
0.05
0.02
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性数据
和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?72415 。
文档编号： 72415
S- 41795 -REV 。 C， 04 - OCT- 04
www.vishay.com
5
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