Si7216DN
Vishay Siliconix公司
双N通道40 -V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
40
R
DS （ ON）
()
0.032在V
GS
= 10 V
0.039在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
6
e
5
e
Q
g
（典型值）。
5.5 NC
无卤符合IEC 61249-2-21
可用的
TrenchFET
功率MOSFET
低热阻的PowerPAK
与小尺寸和低1.07毫米套餐
廓
100 % R
g
和UIS测试
符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
初级侧开关
SYNCHRONUS整改
的PowerPAK 1212-8
3.30 mm
S1
D
1
3.30 mm
G1
D
2
1
2
S2
3
4
D1
G2
8
7
D1
D2
G
1
6
5
G
2
D2
底部
意见
S
1
S
2
N沟道
MOSFET
订货信息：
Si7216DN -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si7216DN -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
N沟道
MOSFET
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
40
± 20
6
e
5
e
6.5
A，B
5.2
A，B
20
6
e
2
A，B
10
5
20.8
13.3
2.5
A，B
1.6
A，B
- 50至150
260
单位
V
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
雪崩电流
单脉冲雪崩能量
A
mJ
最大功率耗散
W
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
C，D
°C
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。 T = 10秒。
。见焊接温度曲线（ www.vishay.com/ppg?73257 ） 。采用PowerPAK 1212-8是一种无引线封装。引线端子的端部露出
铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，
不需要确保adequade底侧焊料互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
。包装有限。
文档编号： 73771
S11-1142 -REV 。 C， 13军， 11
www.vishay.com
1
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
Si7216DN
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结至外壳（漏）
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。在稳态条件下最大为94 ° C / W 。
A，B
t
10 s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
38
4.5
最大
50
6
单位
° C / W
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 20 V ，R
L
= 4
I
D
5 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
V
DD
= 20 V ，R
L
= 4
I
D
5 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
F = 1 MHz的
V
DS
= 20 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 5 A
V
DS
= 20 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5 A
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
670
90
50
12.5
5.5
2
2
3.4
16
142
16
7
9
57
19
5
5.1
25
215
25
12
15
90
30
10
ns
19
8.5
nC
pF
V
DS
V
DS
/T
J
V
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0, I
D
= 250 A
I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
5
V, V
GS
= 10 V
V
GS
½10
V，I
D
= 5 A
V
GS
½4.5
V，I
D
= 4 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 5 A
10
0.025
0.031
25
0.032
0.039
1
40
43
- 5.8
3
± 100
1
10
V
毫伏/°C的
V
nA
A
A
S
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
www.vishay.com
2
文档编号： 73771
S11-1142 -REV 。 C， 13军， 11
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
Si7216DN
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= 3.2 A， di / dt的= 100 A / μs的，
T
J
= 25 °C
I
S
= 2 A
0.8
50
40
35
15
T
C
= 25 °C
6
20
1.2
75
60
A
V
ns
nC
ns
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 73771
S11-1142 -REV 。 C， 13军， 11
www.vishay.com
3
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
Si7216DN
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
20
V
GS
= 10直通5
V
16
4
V
2.0
1.6
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
12
1.2
T
C
= 125 °C
0.8
8
4
3
V
0
0.0
0.4
25 °C
- 55 °C
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.05
1000
传输特性
800
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.04
- 电容（pF ）
C
国际空间站
600
V
GS
= 4.5
V
0.03
V
GS
= 10
V
400
200
C
OSS
0
0
6
12
18
24
30
0
C
RSS
8
16
24
32
40
0.02
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流和栅极电压
10
I
D
= 5 A
1.8
I
D
= 5 A
电容
V
GS
= 10
V
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
V
DS
= 20
V
6
（归一化）
V
DS
= 40
V
R
DS （ ON）
- 导通电阻
8
1.5
V
GS
= 4.5
V
1.2
V
DS
= 30
V
4
0.9
2
0
0
3
6
9
12
15
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
www.vishay.com
4
文档编号： 73771
S11-1142 -REV 。 C， 13军， 11
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
Si7216DN
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
100
0.20
10
1
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
I
S
- 源电流（ A）
150 °C
0.16
0.12
0.1
25 C
0.01
0.08
125 °C
0.04
25 °C
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
0.4
I
D
= 250
A
0.2
导通电阻与栅极至源极电压
50
40
I
D
= 5毫安
功率（W）的
- 25
0
25
50
75
100
125
150
V
GS （ TH）
方差
(V)
0
30
- 0.2
20
- 0.4
- 0.6
10
- 0.8
- 50
0
0.001
0.01
0.1
1
时间（s）
10
100
1000
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
100
有限
by
R
DS （ ON）
*
10
单脉冲功率，结到环境
1毫秒
I
D
- 漏电流（ A）
1
10毫秒
0.1
T
A
= 25 °C
单脉冲
0.1
1
10
100毫秒
1s
10 s
DC
0.01
100
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
>最低
V
GS
at
哪
R
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
文档编号： 73771
S11-1142 -REV 。 C， 13军， 11
www.vishay.com
5
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
QQ：2880707522 复制
