Si7212DN
Vishay Siliconix公司
双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
R
DS （ ON）
(Ω)
0.036在V
GS
= 10 V
0.039在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
6.8
6.6
Q
g
（典型值）。
7
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
100 % R
g
经过测试
节省空间优化的快速切换
符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
的PowerPAK
1212-8
同步整流
中间层驱动程序
3.30 mm
3.30 mm
S1
1
2
G1
S2
D
1
D
2
3
4
D1
G2
8
7
D1
D2
G
1
6
5
D2
G
2
底部视图
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
订货信息：
Si7212DN -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si7212DN -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
B，C
L = 0.1 mH的
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
2.6
1.4
- 55 150
260
2.2
10
5
1.3
0.69
6.8
4.9
20
1.1
A
mJ
W
°C
10 s
30
± 12
4.9
3.5
A
稳定状态
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结至外壳（漏）
t
≤
10 s
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
38
77
4.3
最大
48
94
5.4
° C / W
单位
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。见焊接温度曲线（ www.vishay.com/ppg?73257 ） 。采用PowerPAK 1212-8是一种无引线封装。引线端子的端部露出
铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，
并不需要保证足够的底侧的焊料互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 73128
S09-1815 -REV 。男， 14 09年9月
www.vishay.com
1
Si7212DN
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.2 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
Ω
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
Ω
F = 1 MHz的
0.6
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.8 A
7
2
1.7
3.0
10
12
30
10
15
4.5
15
20
45
15
30
ns
Ω
11
nC
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 12 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 6.8 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.6 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 6.8 A
I
S
= 2.2 A，V
GS
= 0 V
20
0.030
0.032
20
0.8
1.2
0.036
0.039
0.6
1.6
± 100
1
5
V
nA
A
A
Ω
S
V
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
20
V
GS
= 10 V直通3 V
16
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
16
20
12
12
8
2V
8
T
C
= 125 °C
4
25 °C
- 55 °C
4
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
传输特性
www.vishay.com
2
文档编号： 73128
S09-1815 -REV 。男， 14 09年9月
Si7212DN
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.05
1200
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.04
- 电容（pF ）
V
GS
= 4.5 V
0.03
V
GS
= 10 V
1000
C
国际空间站
800
600
0.02
400
C
OSS
200
C
RSS
0
5
10
15
20
25
30
0.01
0.00
0
4
8
12
16
20
0
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 6.8 A
8
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.4
1.6
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.8 A
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
20
T
J
= 150 °C
10
I
S
- 源电流（ A）
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.10
导通电阻与结温
0.08
I
D
= 6.8 A
0.06
I
D
= 2 A
0.04
T
J
= 25 °C
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
导通电阻与栅极至源极电压
文档编号： 73128
S09-1815 -REV 。男， 14 09年9月
www.vishay.com
3
Si7212DN
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.4
50
0.2
I
D
= 250 A
V
GS （ TH）
方差（ V）
功率（W）的
0.0
40
30
- 0.2
20
- 0.4
10
- 0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
时间（s）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
100
I
DM
有限
限于由R
DS （ ON）
*
10
I
D
- 漏电流（ A）
单脉冲功率
P（吨） = 0.001
1
I
D（上）
有限
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
0.1
T
A
= 25 °C
单脉冲
P（吨）= 1
P（吨） = 10
DC
BVDSS有限公司
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 77 ° C / W
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
3. T
JM
-
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
方波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到环境
www.vishay.com
4
文档编号： 73128
S09-1815 -REV 。男， 14 09年9月
Si7212DN
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
单脉冲
0.05
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
方波脉冲持续时间（ S）
10
-1
1
归瞬态热阻抗，结至外壳
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
www.vishay.com/ppg?73128.
文档编号： 73128
S09-1815 -REV 。男， 14 09年9月
www.vishay.com
5
Si7212DN
Vishay Siliconix公司
双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
特点
I
D
(A)
6.8
6.6
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.036 @ V
GS
= 10 V
0.039 @ V
GS
= 4.5 V
Q
g
（典型值）
7
D
TrenchFETr第二代功率MOSFET
D
100% R
g
经过测试
D
节省空间优化快速
开关
RoHS指令
柔顺
应用
PowerPAKr 1212-8
D
同步整流
D
中间层驱动程序
D
1
D
2
3.30 mm
S1
1
2
G1
S2
3.30 mm
3
4
G2
D1
G
1
G
2
8
7
D1
D2
6
5
D2
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
底部视图
订购信息： Si7212DN -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
30
"12
6.8
4.9
20
2.2
2.6
1.4
稳定状态
单位
V
4.9
3.5
A
1.1
1.3
0.69
55
150
260
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结至外壳（漏）
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
38
77
4.3
最大
48
94
5.4
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见焊接温度曲线（ http://www.vishay.com/doc?73257 ） 。采用PowerPAK 1212-8是一种无引线封装。引线端子的端部露出的铜（未
镀），为在制造单片化过程的结果。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不要求保证
充足的底侧焊接互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 73128
S- 51128 -REV 。 B， 13军， 05
www.vishay.com
1
Si7212DN
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管正向
电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 6.8 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.6 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 6.8 A
I
S
= 2.2 A，V
GS
= 0 V
20
0.030
0.032
20
0.8
1.2
0.036
0.039
0.6
1.6
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.2 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
W
F = 1 MHz的
1.5
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.8 A
7
2
1.7
3.0
10
12
30
10
15
4.5
15
20
45
15
30
ns
W
11
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 10直通3 V
16
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
16
20
传输特性
12
12
8
2V
8
T
C
= 125_C
4
25_C
55_C
4
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 73128
S- 51128 -REV 。 B， 13军， 05
2
Si7212DN
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.05
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
1200
1000
C
电容（pF）
V
GS
= 4.5 V
0.03
V
GS
= 10 V
C
国际空间站
800
600
400
C
OSS
200
0
0
4
8
12
16
20
0
5
10
15
20
25
30
C
RSS
电容
0.04
0.02
0.01
0.00
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 6.8 A
8
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.8 A
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
I
S
源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
0.08
I
D
= 6.8 A
0.06
I
D
= 2 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 73128
S- 51128 -REV 。 B， 13军， 05
www.vishay.com
3
Si7212DN
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
50
单脉冲功率
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
40
I
D
= 250
mA
功率（W）的
30
0.0
0.2
20
0.4
10
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
温度（℃）
100
安全工作区，结到环境
*仅限为r
DS （ ON）
I
DM
有限
10
I
D
漏电流（ A）
1
P（吨） = 0.001
I
D（上）
有限
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
1
10
100
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
0.1
0.01
0.1
V
DS
漏极至源极电压（ V）
*V
GS
u
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 77℃ / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 73128
S- 51128 -REV 。 B， 13军， 05
Si7212DN
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
单脉冲
0.05
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.01
10
4
10
3
10
2
方波脉冲持续时间（秒）
10
1
1
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?73128 。
文档编号： 73128
S- 51128 -REV 。 B， 13军， 05
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5
Si7212DN
Vishay Siliconix公司
双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
特点
I
D
(A)
6.8
6.6
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.036 @ V
GS
= 10 V
0.039 @ V
GS
= 4.5 V
Q
g
（典型值）
7
D
TrenchFETr第二代功率MOSFET
D
100% R
g
经过测试
D
节省空间优化快速
开关
RoHS指令
柔顺
应用
PowerPAKr 1212-8
D
同步整流
D
中间层驱动程序
D
1
D
2
3.30 mm
S1
1
2
G1
S2
3.30 mm
3
4
G2
D1
G
1
G
2
8
7
D1
D2
6
5
D2
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
底部视图
订购信息： Si7212DN -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
30
"12
6.8
4.9
20
2.2
2.6
1.4
稳定状态
单位
V
4.9
3.5
A
1.1
1.3
0.69
55
150
260
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结至外壳（漏）
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
38
77
4.3
最大
48
94
5.4
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见焊接温度曲线（ http://www.vishay.com/doc?73257 ） 。采用PowerPAK 1212-8是一种无引线封装。引线端子的端部露出的铜（未
镀），为在制造单片化过程的结果。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不要求保证
充足的底侧焊接互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 73128
S- 51128 -REV 。 B， 13军， 05
www.vishay.com
1
Si7212DN
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管正向
电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 6.8 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.6 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 6.8 A
I
S
= 2.2 A，V
GS
= 0 V
20
0.030
0.032
20
0.8
1.2
0.036
0.039
0.6
1.6
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.2 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
W
F = 1 MHz的
1.5
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.8 A
7
2
1.7
3.0
10
12
30
10
15
4.5
15
20
45
15
30
ns
W
11
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 10直通3 V
16
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
16
20
传输特性
12
12
8
2V
8
T
C
= 125_C
4
25_C
55_C
4
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 73128
S- 51128 -REV 。 B， 13军， 05
2
Si7212DN
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.05
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
1200
1000
C
电容（pF）
V
GS
= 4.5 V
0.03
V
GS
= 10 V
C
国际空间站
800
600
400
C
OSS
200
0
0
4
8
12
16
20
0
5
10
15
20
25
30
C
RSS
电容
0.04
0.02
0.01
0.00
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 6.8 A
8
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.8 A
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
I
S
源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
0.08
I
D
= 6.8 A
0.06
I
D
= 2 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 73128
S- 51128 -REV 。 B， 13军， 05
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3
Si7212DN
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
50
单脉冲功率
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
40
I
D
= 250
mA
功率（W）的
30
0.0
0.2
20
0.4
10
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
温度（℃）
100
安全工作区，结到环境
*仅限为r
DS （ ON）
I
DM
有限
10
I
D
漏电流（ A）
1
P（吨） = 0.001
I
D（上）
有限
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
1
10
100
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
0.1
0.01
0.1
V
DS
漏极至源极电压（ V）
*V
GS
u
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 77℃ / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 73128
S- 51128 -REV 。 B， 13军， 05
Si7212DN
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
单脉冲
0.05
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.01
10
4
10
3
10
2
方波脉冲持续时间（秒）
10
1
1
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?73128 。
文档编号： 73128
S- 51128 -REV 。 B， 13军， 05
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