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Si6975DQ
新产品
Vishay Siliconix公司
双P通道12 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.027 @ V
GS
= –4.5 V
–12
0.035 @ V
GS
= –2.5 V
0.046 @ V
GS
= –1.8 V
I
D
(A)
–5.1
–4.5
–3.9
S
1
S
2
TSSOP-8
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
顶视图
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
D
8 D
2
7 S
2
6 S
2
5 G
2
G
1
G
2
Si6975DQ
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲（ 10
ms
脉冲宽度）
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
–12
"8
–5.1
稳定状态
单位
V
–4.3
–3.5
–30
A
–0.7
0.83
0.53
-55到150
W
_C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
–4.1
–1.0
1.14
0.73
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71319
S- 02318 -REV 。 A， 23 - OCT- 00
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
86
124
52
最大
110
150
65
单位
° C / W
C / W
1
Si6975DQ
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= -5毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= –9.6 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –9.6 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
= –5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –5.1 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= -2.5 V，I
D
= –4.5 A
V
GS
= -1.8 V，I
D
= –3.9 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= -5 V，I
D
= –5.1 A
I
S
= -1.0 A，V
GS
= 0 V
–20
0.022
0.028
0.037
20
–0.65
–1.1
0.027
0.035
0.046
W
W
S
V
–0.45
"100
–1
–25
V
nA
mA
m
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= -1.0 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= -6 V ，R
L
= 6
W
I
D
^
-1 A，V
根
= -4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= –6 V, V
GS
= -4.5 V，I
D
= –5.1 A
23
3.0
4.3
25
32
96
62
60
40
50
140
95
100
ns
30
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 5通2.5 V
2V
24
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
24
25_C
18
125_C
12
30
T
C
= –55_C
传输特性
18
12
1.5 V
6
0.5, 1 V
0
0
2
4
6
8
10
6
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71319
S- 02318 -REV 。 A， 23 - OCT- 00
2
Si6975DQ
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
4000
Vishay Siliconix公司
电容
- 电容（pF ）
0.08
3200
C
国际空间站
0.06
V
GS
= 1.8 V
0.04
V
GS
= 2.5 V
2400
1600
C
OSS
0.02
V
GS
= 4.5 V
800
C
RSS
0.00
0
5
10
15
20
25
30
0
0
2
4
6
8
10
12
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 6 V
I
D
= 5.1 A
4
1.60
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5.1 A
1.40
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
10
15
20
25
1.20
2
1.00
1
0.80
0
0
5
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.60
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.08
I
S
- 源电流（ A）
0.06
I
D
= 5.1 A
0.04
0.02
1
0.0
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
2
4
6
8
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71319
S- 02318 -REV 。 A， 23 - OCT- 00
www.vishay.com
3
Si6975DQ
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
100
单脉冲功率，结到环境
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.2
80
功率（W）的
60
0.0
40
–0.2
20
–0.4
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 124 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
4
文档编号： 71319
S- 02318 -REV 。 A， 23 - OCT- 00
Si6975DQ
新产品
Vishay Siliconix公司
双P通道12 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.027 @ V
GS
= –4.5 V
–12
0.035 @ V
GS
= –2.5 V
0.046 @ V
GS
= –1.8 V
I
D
(A)
–5.1
–4.5
–3.9
S
1
S
2
TSSOP-8
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
顶视图
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
D
8 D
2
7 S
2
6 S
2
5 G
2
G
1
G
2
Si6975DQ
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲（ 10
ms
脉冲宽度）
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
–12
"8
–5.1
稳定状态
单位
V
–4.3
–3.5
–30
A
–0.7
0.83
0.53
-55到150
W
_C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
–4.1
–1.0
1.14
0.73
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71319
S- 02318 -REV 。 A， 23 - OCT- 00
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
86
124
52
最大
110
150
65
单位
° C / W
C / W
1
Si6975DQ
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= -5毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= –9.6 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –9.6 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
= –5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –5.1 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= -2.5 V，I
D
= –4.5 A
V
GS
= -1.8 V，I
D
= –3.9 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= -5 V，I
D
= –5.1 A
I
S
= -1.0 A，V
GS
= 0 V
–20
0.022
0.028
0.037
20
–0.65
–1.1
0.027
0.035
0.046
W
W
S
V
–0.45
"100
–1
–25
V
nA
mA
m
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= -1.0 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= -6 V ，R
L
= 6
W
I
D
^
-1 A，V
根
= -4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= –6 V, V
GS
= -4.5 V，I
D
= –5.1 A
23
3.0
4.3
25
32
96
62
60
40
50
140
95
100
ns
30
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 5通2.5 V
2V
24
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
24
25_C
18
125_C
12
30
T
C
= –55_C
传输特性
18
12
1.5 V
6
0.5, 1 V
0
0
2
4
6
8
10
6
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71319
S- 02318 -REV 。 A， 23 - OCT- 00
2
Si6975DQ
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
4000
Vishay Siliconix公司
电容
- 电容（pF ）
0.08
3200
C
国际空间站
0.06
V
GS
= 1.8 V
0.04
V
GS
= 2.5 V
2400
1600
C
OSS
0.02
V
GS
= 4.5 V
800
C
RSS
0.00
0
5
10
15
20
25
30
0
0
2
4
6
8
10
12
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 6 V
I
D
= 5.1 A
4
1.60
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5.1 A
1.40
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
10
15
20
25
1.20
2
1.00
1
0.80
0
0
5
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.60
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.08
I
S
- 源电流（ A）
0.06
I
D
= 5.1 A
0.04
0.02
1
0.0
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
2
4
6
8
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71319
S- 02318 -REV 。 A， 23 - OCT- 00
www.vishay.com
3
Si6975DQ
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
100
单脉冲功率，结到环境
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.2
80
功率（W）的
60
0.0
40
–0.2
20
–0.4
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 124 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
4
文档编号： 71319
S- 02318 -REV 。 A， 23 - OCT- 00
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SS4-10-3.00-L-D-K-TR
SMP525G-FM
SN74AVCH4T245-EP
S-875061EUP-AJHT2G
S477-0150-02
SMAZ200
SN74LV4051ADRG4
SN74S140N
SSW16A1002GS7
S9-B13ANAF-FREQ
SD4261
SSG4957
SP720ABT
S75PL127NBGJFWGZ2
供货商
型号
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批号
数量
封装
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    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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