Si6968BEDQ
Vishay Siliconix公司
双N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
共漏， ESD保护
产品概述
V
DS
(V)
20
R
DS （ ON）
(Ω)
0.022在V
GS
= 4.5 V
0.030在V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
6.5
5.5
特点
无卤素选项可用
TrenchFET
功率MOSFET
ESD保护： 3000 V
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
D
D
TSSOP-8
D
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
顶视图
订货信息：
Si6968BEDQ-T1
Si6968BEDQ -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
N沟道
S
1
N沟道
S
2
8 D
7 S
2
6 S
2
5 G
2
* 300
Ω
G
1
G
2
* 300
Ω
*设计典型值
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
1.5
1.5
0.96
- 55 150
6.5
5.5
30
1.0
1.0
0.64
W
°C
10 s
20
± 12
5.2
3.5
A
稳定状态
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。表面安装在FR4板，T
≤
10 s.
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免。
t
≤
10 s
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型值。
72
100
55
马克斯。
83
120
70
° C / W
单位
文档编号： 72274
S- 81221 -REV 。 C， 02军， 08
www.vishay.com
1
Si6968BEDQ
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
漏源导通电阻
b
正向跨导
b
二极管的正向电压
b
动态
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
Ω
I
D
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
Ω
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.5 A
12
2.2
3.6
245
330
860
510
365
495
1300
765
ns
18
nC
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 4.5 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70 °C
V
DS
≤
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
=
4.5 V，I
D
= 6.5 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 5.5 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 6.5 A
I
S
= 1.5 A，V
GS
= 0 V
30
0.0165
0.023
30
0.71
1.2
0.022
0.030
0.6
1.6
± 200
1
25
V
nA
A
A
Ω
S
V
符号
测试条件
分钟。
典型值。
a
马克斯。
单位
注意事项：
一。对于辅助设计只;不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
10
10000
I
GSS
- 栅极电流（mA ）
8
I
GSS
- 栅电流（ A）
1000
100
6
10
T
J
= 150 °C
4
1
T
J
= 25 °C
2
0.1
0
0
3
6
9
12
15
18
0.01
0
3
6
9
12
15
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
栅极电流与栅源电压
栅电流与栅源电压
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2
文档编号： 72274
S- 81221 -REV 。 C， 02军， 08
Si6968BEDQ
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
30
V
GS
= 5通3 V
25
I
D
- 漏电流（ A）
2.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
25
30
20
20
15
15
10
2V
10
T
C
= 125 °C
5
25 °C
- 55 °C
5
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.06
5
传输特性
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.05
4
V
DS
= 10 V
I
D
= 6.5 A
0.04
3
0.03
V
GS
= 2.5 V
0.02
V
GS
= 4.5 V
2
1
0.01
0
5
10
15
20
25
30
I
D
- 漏电流（ A）
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
导通电阻与漏电流
1.6
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 6.5 A
10
I
S
- 源电流（ A）
40
栅极电荷
1.4
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.2
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
1
1.0
0.8
0.6
- 50
0.1
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
导通电阻与结温
源极 - 漏极二极管正向电压
文档编号： 72274
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3
Si6968BEDQ
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.05
0.4
I
D
= 250 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.04
V
GS （ TH）
方差（ V）
5
6
0.2
0.03
I
D
= 6.5 A
0.0
0.02
- 0.2
0.01
- 0.4
0.00
0
1
2
3
4
- 0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
J
- 温度（℃ ）
导通电阻与栅极至源极电压
200
100
阈值电压
限于由R
DS （ ON）
*
160
10
功率（W）的
120
I
D
- 漏电流（ A）
1毫秒
1
10毫秒
100毫秒
80
40
0.1
T
C
= 25 °C
单脉冲
1s
10 s
DC
0
0.001
0.01
0.1
时间（s）
1
10
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
单脉冲功率
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
安全工作区，结至外壳
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
2.每单位基础= R
thJA
=
115 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
4.表层嵌
10
100
600
方波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到环境
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4
文档编号： 72274
S- 81221 -REV 。 C， 02军， 08
Si6968BEDQ
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（ S）
1
10
归瞬态热阻抗，结到脚
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?72274 。
文档编号： 72274
S- 81221 -REV 。 C， 02军， 08
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5
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