Si6963BDQ
新产品
Vishay Siliconix公司
双P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
20
r
DS （ ON）
(W)
0.045 @ V
GS
=
4.5
V
0.080 @ V
GS
=
2.5
V
I
D
(A)
3.9
3.0
S
1
S
2
TSSOP-8
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si6963BDQ -T1 -E3
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
D
8 D
2
7 S
2
6 S
2
5 G
2
G
1
G
2
Si6963BDQ
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒
20
"12
3.9
3.1
30
1.0
1.13
0.73
稳定状态
单位
V
3.4
2.7
A
0.75
0.83
0.53
55
150
W
_C
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面安装在FR4板。
文档编号： 72772
S- 40439 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
90
125
67
最大
110
150
80
单位
° C / W
1
Si6963BDQ
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
3.9
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
3.0
A
V
DS
=
10
V，I
D
=
3.9
A
I
S
=
1.0
A，V
GS
= 0 V
20
0.036
0.065
10
0.71
1.1
0.045
0.080
W
S
V
0.6
1.4
"100
1
10
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
1.0
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
3.9
A
8.6
1.2
2.8
7.0
33
57
65
40
30
50
90
100
60
50
ns
W
11
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20.0
V
GS
= 5通3 V
16.0
2.5 V
I
D
漏电流（ A）
12.0
I
D
漏电流（ A）
125_C
12.0
16.0
20.0
T
C
=
55_C
25_C
传输特性
8.0
2.0 V
4.0
1.5 V
0.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
8.0
4.0
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72772
S- 40439 -REV 。 A， 15 -MAR -04
2
Si6963BDQ
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.15
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
1200.0
1000.0
C
电容（pF）
800.0
600.0
400.0
200.0
C
RSS
0.00
0.0
4.0
8.0
12.0
16.0
20.0
0.0
0.0
4.0
8.0
12.0
16.0
20.0
C
国际空间站
Vishay Siliconix公司
电容
0.12
0.09
V
GS
= 2.5 V
0.06
V
GS
= 4.5 V
0.03
C
OSS
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10.0
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 3.9 A
8.0
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.9 A
6.0
1.2
4.0
1.0
2.0
0.8
0.0
0.0
3.0
6.0
9.0
12.0
15.0
18.0
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
总栅极电荷（ NC）
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.08
0.06
I
D
= 3.9 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72772
S- 40439 -REV 。 A， 15 -MAR -04
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3
Si6963BDQ
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
200
单脉冲功率，结到环境
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
160
功率（W）的
0.2
120
0.0
80
0.2
40
0.4
50.0 25.0
0.0
25.0
50.0
75.0 100.0 125.0 150.0
0
10
3
10
2
10
1
时间（秒）
1
10
T
J
温度（℃）
100
安全工作区，结至外壳
限于由R
DS （ ON）
10
I
D
漏电流（ A）
1毫秒
1
10毫秒
100毫秒
0.1
T
C
= 25_C
单脉冲
1s
10 s
dc
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 115 ° C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72772
S- 40439 -REV 。 A， 15 -MAR -04
Si6963BDQ
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
Vishay Siliconix公司
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72772
S- 40439 -REV 。 A， 15 -MAR -04
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5
Si6963BDQ
新产品
Vishay Siliconix公司
双P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
20
r
DS （ ON）
(W)
0.045 @ V
GS
=
4.5
V
0.080 @ V
GS
=
2.5
V
I
D
(A)
3.9
3.0
S
1
S
2
TSSOP-8
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si6963BDQ -T1 -E3
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
D
8 D
2
7 S
2
6 S
2
5 G
2
G
1
G
2
Si6963BDQ
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒
20
"12
3.9
3.1
30
1.0
1.13
0.73
稳定状态
单位
V
3.4
2.7
A
0.75
0.83
0.53
55
150
W
_C
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面安装在FR4板。
文档编号： 72772
S- 40439 -REV 。 A， 15 -MAR -04
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稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
90
125
67
最大
110
150
80
单位
° C / W
1
Si6963BDQ
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
3.9
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
3.0
A
V
DS
=
10
V，I
D
=
3.9
A
I
S
=
1.0
A，V
GS
= 0 V
20
0.036
0.065
10
0.71
1.1
0.045
0.080
W
S
V
0.6
1.4
"100
1
10
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
1.0
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
3.9
A
8.6
1.2
2.8
7.0
33
57
65
40
30
50
90
100
60
50
ns
W
11
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20.0
V
GS
= 5通3 V
16.0
2.5 V
I
D
漏电流（ A）
12.0
I
D
漏电流（ A）
125_C
12.0
16.0
20.0
T
C
=
55_C
25_C
传输特性
8.0
2.0 V
4.0
1.5 V
0.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
8.0
4.0
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72772
S- 40439 -REV 。 A， 15 -MAR -04
2
Si6963BDQ
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.15
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
1200.0
1000.0
C
电容（pF）
800.0
600.0
400.0
200.0
C
RSS
0.00
0.0
4.0
8.0
12.0
16.0
20.0
0.0
0.0
4.0
8.0
12.0
16.0
20.0
C
国际空间站
Vishay Siliconix公司
电容
0.12
0.09
V
GS
= 2.5 V
0.06
V
GS
= 4.5 V
0.03
C
OSS
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10.0
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 3.9 A
8.0
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.9 A
6.0
1.2
4.0
1.0
2.0
0.8
0.0
0.0
3.0
6.0
9.0
12.0
15.0
18.0
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
总栅极电荷（ NC）
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.08
0.06
I
D
= 3.9 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72772
S- 40439 -REV 。 A， 15 -MAR -04
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Si6963BDQ
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
200
单脉冲功率，结到环境
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
160
功率（W）的
0.2
120
0.0
80
0.2
40
0.4
50.0 25.0
0.0
25.0
50.0
75.0 100.0 125.0 150.0
0
10
3
10
2
10
1
时间（秒）
1
10
T
J
温度（℃）
100
安全工作区，结至外壳
限于由R
DS （ ON）
10
I
D
漏电流（ A）
1毫秒
1
10毫秒
100毫秒
0.1
T
C
= 25_C
单脉冲
1s
10 s
dc
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 115 ° C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72772
S- 40439 -REV 。 A， 15 -MAR -04
Si6963BDQ
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
Vishay Siliconix公司
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72772
S- 40439 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
5
Si6963BDQ
新产品
Vishay Siliconix公司
双P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
20
r
DS （ ON）
(W)
0.045 @ V
GS
=
4.5
V
0.080 @ V
GS
=
2.5
V
I
D
(A)
3.9
3.0
S
1
S
2
TSSOP-8
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si6963BDQ -T1 -E3
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
D
8 D
2
7 S
2
6 S
2
5 G
2
G
1
G
2
Si6963BDQ
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒
20
"12
3.9
3.1
30
1.0
1.13
0.73
稳定状态
单位
V
3.4
2.7
A
0.75
0.83
0.53
55
150
W
_C
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面安装在FR4板。
文档编号： 72772
S- 40439 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
90
125
67
最大
110
150
80
单位
° C / W
1
Si6963BDQ
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
3.9
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
3.0
A
V
DS
=
10
V，I
D
=
3.9
A
I
S
=
1.0
A，V
GS
= 0 V
20
0.036
0.065
10
0.71
1.1
0.045
0.080
W
S
V
0.6
1.4
"100
1
10
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
1.0
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
3.9
A
8.6
1.2
2.8
7.0
33
57
65
40
30
50
90
100
60
50
ns
W
11
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20.0
V
GS
= 5通3 V
16.0
2.5 V
I
D
漏电流（ A）
12.0
I
D
漏电流（ A）
125_C
12.0
16.0
20.0
T
C
=
55_C
25_C
传输特性
8.0
2.0 V
4.0
1.5 V
0.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
8.0
4.0
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72772
S- 40439 -REV 。 A， 15 -MAR -04
2
Si6963BDQ
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.15
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
1200.0
1000.0
C
电容（pF）
800.0
600.0
400.0
200.0
C
RSS
0.00
0.0
4.0
8.0
12.0
16.0
20.0
0.0
0.0
4.0
8.0
12.0
16.0
20.0
C
国际空间站
Vishay Siliconix公司
电容
0.12
0.09
V
GS
= 2.5 V
0.06
V
GS
= 4.5 V
0.03
C
OSS
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10.0
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 3.9 A
8.0
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.9 A
6.0
1.2
4.0
1.0
2.0
0.8
0.0
0.0
3.0
6.0
9.0
12.0
15.0
18.0
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
总栅极电荷（ NC）
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.08
0.06
I
D
= 3.9 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72772
S- 40439 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
3
Si6963BDQ
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
200
单脉冲功率，结到环境
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
160
功率（W）的
0.2
120
0.0
80
0.2
40
0.4
50.0 25.0
0.0
25.0
50.0
75.0 100.0 125.0 150.0
0
10
3
10
2
10
1
时间（秒）
1
10
T
J
温度（℃）
100
安全工作区，结至外壳
限于由R
DS （ ON）
10
I
D
漏电流（ A）
1毫秒
1
10毫秒
100毫秒
0.1
T
C
= 25_C
单脉冲
1s
10 s
dc
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 115 ° C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72772
S- 40439 -REV 。 A， 15 -MAR -04
Si6963BDQ
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
Vishay Siliconix公司
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72772
S- 40439 -REV 。 A， 15 -MAR -04
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5
SPICE器件模型Si6963BDQ
Vishay Siliconix公司
双P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
特征
P沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的p沟道垂直DMOS的特性。子电路
模型中提取并优化过
55
至125℃
脉冲0 V至5 V栅极驱动下的温度范围。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟
同时避免收敛困难的栅极电荷特性
交换的C
gd
模型。所有的模型参数值进行了优化
以提供最适合于所测量的电数据，并且不
目的是作为该装置的一个具体的物理解释。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号： 72845
S- 60147Rev 。 B， 13 -FEB -06
www.vishay.com
1
SPICE器件模型Si6963BDQ
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
符号
测试条件
模拟
数据
1
66
0.036
0.059
9
0.78
测
数据
单位
V
GS （ TH）
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250 A
V
DS
=
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
3.9
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
3
A
V
DS
=
10
V，I
D
=
3.9
A
I
S
=
1
A，V
GS
= 0 V
V
A
0.036
0.065
10
0.71
S
V
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
I
D
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
G
= 6
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
3.9
A
7
1.2
2.8
47
32
100
23
8.6
1.2
2.8
33
57
65
40
ns
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号： 72845
S- 60147Rev 。 B， 13 -FEB -06
SPICE器件模型Si6963BDQ
Vishay Siliconix公司
与实测数据模型的比较（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
文档编号： 72845
S- 60147Rev 。 B， 13 -FEB -06
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3
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
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日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
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从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
www.vishay.com
1
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