Si6928DQ
Vishay Siliconix公司
双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
R
DS （ ON）
(Ω)
0.035在V
GS
= 10 V
0.050在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
± 4.0
± 3.4
特点
无卤素选项可用
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
D
1
D
2
TSSOP-8
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
顶视图
S
1
订货信息：
Si6928DQ-T1
Si6928DQ -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
8
D
2
S
2
S
2
G
2
G
1
G
2
Si6928DQ
7
6
5
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
± 20
± 4.0
± 3.2
± 20
1.25
1.0
0.64
- 55 150
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
符号
R
thJA
极限
125
单位
° C / W
注意事项：
一。表面安装在FR4板，T
≤
10 s.
通过万维网SPICE模型的信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm 。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免。
文档编号： 70663
S- 81056 -REV 。 D， 12 08年5月
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1
Si6928DQ
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gt
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.25 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 15 V ，R
L
= 6
Ω
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
Ω
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 4.0 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 4.0 A
9
17.5
4.0
2.5
12
9
25
20
25
20
20
50
40
60
ns
14
30
nC
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 4.0 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.4 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 4.0 A
I
S
= 1.25 A，V
GS
= 0 V
20
0.027
0.038
13
0.73
1.2
0.035
0.050
1.0
± 100
1
5
V
nA
A
A
Ω
S
V
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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文档编号： 70663
S- 81056 -REV 。 D， 12 08年5月
Si6928DQ
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
20
V
GS
= 10直通5 V
4V
16
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
16
20
12
12
8
8
T
C
= 125 °C
4
25 °C
- 55 °C
0
4
3V
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.06
1500
传输特性
0.05
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
V
GS
= 4.5 V
- 电容（pF ）
C
国际空间站
1200
0.04
900
0.03
V
GS
= 10 V
600
C
OSS
300
C
RSS
0.02
0.01
0
0
4
8
12
16
20
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 4.0 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
0
4
8
12
16
20
0.4
- 50
V
GS
= 10 V
I
D
= 4.0 A
电容
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
8
6
4
2
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
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3
Si6928DQ
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
20
0.12
I S - 源电流（ A）
10
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.09
I
D
= 4.0 A
0.06
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
0.03
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0
1
3
5
7
9
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
0.6
40
导通电阻与栅极至源极电压
0.3
I
D
= 250 A
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.0
功率（W）的
32
24
- 0.3
16
- 0.6
8
- 0.9
- 50
0
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
时间
(s)
1
10
30
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
单脉冲功率
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 125℃ / W
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（ S）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
1
10
30
归瞬态热阻抗，结到环境
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?70663 。
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文档编号： 70663
S- 81056 -REV 。 D， 12 08年5月
包装信息
Vishay Siliconix公司
TSSOP ：
8引脚
JEDEC编号： MO- 153
MILLIMETERS
暗淡
A
A
1
A
2
B
C
D
E
E
1
e
L
L
1
Y
oK1
民
–
0.05
0.80
0.19
–
2.90
6.20
4.30
–
0.45
0.90
–
0_
喃
–
0.10
1.00
0.28
0.127
3.00
6.40
4.40
0.65
0.60
1.00
–
3_
最大
1.20
0.15
1.05
0.30
–
3.10
6.60
4.50
–
0.75
1.10
0.10
6_
E1
R 0.10
的角）
A
A2
D
e
E
C
A1
B
R 0.10
（ 4个角）
L
oK1
L1
0.25 （ Gage的平面）
ECN ： S- 03946 -REV 。 G， 09 -JUL- 01
DWG ： 5844
文档编号： 71201
06-Jul-01
www.vishay.com
1
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