Si6923DQ
2001年4月
Si6923DQ
P沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET与肖特基二极管
概述
这种P沟道2.5V指定MOSFET是一种坚固
的门版本飞兆半导体先进
的PowerTrench工艺。它结合了低
这是从分离的正向压降肖特基二极管
的MOSFET ，从而提供一个紧凑的电源解决方案
异步的DC / DC转换器的应用程序。
特点
-3.5 A， -20 V.
DS （ ON）
= 0.045
@ V
GS
= –4.5 V
R
DS （ ON）
= 0.075
@ V
GS
= –2.5 V
V
F
< 0.55 V @ 1
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
低调TSSOP -8封装
应用
直流/直流转换
A
A
A
C
G
S
S
D
5
6
7
8
4
3
2
1
TSSOP-8
销1
MOSFET绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
（注1 ）
评级
–
20
±
12
单位
V
V
A
P
D
T
J
, T
英镑
- 脉冲
MOSFET功率耗散（最小焊盘）
（注1 ）
肖特基功率耗散（最小焊盘）
（注1 ）
工作和存储结温范围
–
3.5
–
30
1.2
1.0
-55到+150
W
°C
肖特基最大额定值
V
RRM
I
F
I
FM
反向重复峰值电压
平均正向电流
最大正向电流
20
1.5
30
V
A
A
热特性
R
θJA
热阻，结到环境
（最小焊盘）
（注1 ）
MOSFET ： 115
肖特基： 130
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
6923
设备
Si6923DQ
带尺寸
13’’
胶带宽度
16mm
QUANTITY
3000台
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
Si6923DQ版本A （ W）
Si6923DQ
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= –250
A
I
D
= –250
A,
引用to25 ℃，
V
DS
= –16 V,
V
GS
= –12 V,
V
GS
= 12 V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
民
–20
典型值
最大单位
V
开关特性
–16
–1
–100
100
毫伏/°C的
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
A
I
D
= –250
A,
引用to25 ℃，
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –3.5 A
V
GS
= -2.5 V，I
D
= –2.7 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -3.5A ，T
J
=125°C
V
GS
= –4.5 V,
V
DS
= –5 V
V
DS
= –5 V,
I
D
= –3.5A
–0.6
–1.0
3
36
56
49
–1.5
V
毫伏/°C的
45
75
72
m
I
D（上）
g
FS
–15
13.2
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= –10 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
1015
446
118
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
I
GSSR
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= –5 V,
V
GS
= –4.5 V,
I
D
= –1 A,
R
根
= 6
11
18
34
34
20
32
55
55
16
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= –5V,
V
GS
= –4.5 V
I
D
= –3.5 A,
9.7
2.2
2.4
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
门体泄漏，反向
V
GS
= 0 V,
V
GS
= 12 V,
I
S
= –1.25 A
V
DS
= 0 V
（注2 ）
–1.25
–0.6
–1.2
100
A
V
nA
肖特基二极管特性
I
R
V
F
C
T
反向漏
正向电压
结电容
V
R
= 20V
I
F
= 1A
V
R
= 10V
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0.6
1
0.48
0.42
50
50
8
0.55
0.50
A
mA
V
V
pF
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
R
θJA
是115
° C / W
为MOSFET和130 °C / W为肖特基二极管安装在一个最小垫时。
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
Si6923DQ版本A （ W）
Si6923DQ
典型特征
5
I
D
= -3.5A
4
-15V
3
V
DS
= -5V
-10V
1800
1500
1200
C
国际空间站
900
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
2
600
C
OSS
1
300
C
RSS
0
0
3
6
Q
g
，栅极电荷（ NC）
9
12
0
0
5
10
15
20
-V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
图8.电容特性。
10
0.01
T
J
= 125
o
C
0.001
I
F
，正向电流（ A）
I
R
，反向电流（A
1
0.0001
0 .1
T
J
= 100 C
T
J
= 25 C
o
o
0.00001
T
J
= 25
o
C
0.000001
0 .0 1
0.0000001
0 .0 0 1
0
0 .2
0 .4
0 .6
0 .8
1
1 .2
V
F
，女 R W AR D V LT AG E（ V）
0.00000001
0
5
10
15
20
V
R
， REV ERSE V OLTA GE （ V）
图9.肖特基二极管的正向电压。
图10.肖特基二极管的反向电流。
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
R
θ
JA
（吨） = R（T） + R
θ
JA
R
θ
JA
= 135 ° C / W
P（ PK）
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.01
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注意事项1所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
Si6923DQ版本A （ W）
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
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H4牧师
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