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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1641页 > SI6880AEDQ
规格比较
Vishay Siliconix公司
Si6880AEDQ与Si6880EDQ
描述：N沟道， 1.8 -V （ GS ）电池开关，具有ESD保护
包装：
TSSOP-8
引脚输出：
相同
型号替换：
Si6880AEDQ -T1替换Si6880EDQ -T1
Si6880AEDQ -T1 -E3 （无铅版）替换Si6880EDQ -T1
业绩概要：
该Si6880AEDQ是替代原有的Si6880EDQ ;这两部分进行相同的限制，包括对
下面的参数表。
绝对最大额定值（T
A
= 25
_C
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
连续源电流（ MOSFET二极管的导通）
功耗
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
j
和T
英镑
R
thJA
Si6880AEDQ
20
"12
7.2
5.7
30
1.5
1.5
0.96
55
150
84
Si6880EDQ
20
"12
7.5
6
30
1.6
1.78
1.14
55
150
70
单位
V
A
W
_C
° C / W
工作结存储温度范围
最大结点到环境
规格（T
J
= 25
_C
除非另有说明）
Si6880AEDQ
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
S
O
正向跨导
二极管的正向电压
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 1.8 V
g
fs
V
SD
r
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 12 V
V
G（ TH ）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
20
0.014
0.016
0.018
45
0.61
1.1
0.018
0.022
0.025
0.8
0.9
"1000
"10
1
20
0.015
0.017
0.020
39
0.65
1.1
0.018
0.022
0.016
S
V
W
0.45
"250
"10
1
V
nA
mA
mA
A
Si6880EDQ
最大
民
典型值
最大
单位
符号
民
典型值
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
QGS
QGD
22
2.0
3.6
35
27
3.0
5.5
40
nC
开关
开启时间
打开-O FF
关闭时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
1.0
1.6
6
5.5
1.5
2.5
10
10
1.5
800
6
5.5
2.3
1200
10
10
www.vishay.com
ms
文档编号： 72902
22-Mar-04
1
规格比较
Vishay Siliconix公司
Si6880AEDQ与Si6880EDQ
描述：N沟道， 1.8 -V （ GS ）电池开关，具有ESD保护
包装：
TSSOP-8
引脚输出：
相同
型号替换：
Si6880AEDQ -T1替换Si6880EDQ -T1
Si6880AEDQ -T1 -E3 （无铅版）替换Si6880EDQ -T1
业绩概要：
该Si6880AEDQ是替代原有的Si6880EDQ ;这两部分进行相同的限制，包括对
下面的参数表。
绝对最大额定值（T
A
= 25
_C
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
连续源电流（ MOSFET二极管的导通）
功耗
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
j
和T
英镑
R
thJA
Si6880AEDQ
20
"12
7.2
5.7
30
1.5
1.5
0.96
55
150
84
Si6880EDQ
20
"12
7.5
6
30
1.6
1.78
1.14
55
150
70
单位
V
A
W
_C
° C / W
工作结存储温度范围
最大结点到环境
规格（T
J
= 25
_C
除非另有说明）
Si6880AEDQ
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
S
O
正向跨导
二极管的正向电压
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 1.8 V
g
fs
V
SD
r
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 12 V
V
G（ TH ）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
20
0.014
0.016
0.018
45
0.61
1.1
0.018
0.022
0.025
0.8
0.9
"1000
"10
1
20
0.015
0.017
0.020
39
0.65
1.1
0.018
0.022
0.016
S
V
W
0.45
"250
"10
1
V
nA
mA
mA
A
Si6880EDQ
最大
民
典型值
最大
单位
符号
民
典型值
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
QGS
QGD
22
2.0
3.6
35
27
3.0
5.5
40
nC
开关
开启时间
打开-O FF
关闭时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
1.0
1.6
6
5.5
1.5
2.5
10
10
1.5
800
6
5.5
2.3
1200
10
10
www.vishay.com
ms
文档编号： 72902
22-Mar-04
1
Si6880AEDQ
新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道1.8 -V （ GS ）电池开关， ESD保护
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(Ω)
0.018在V
GS
= 4.5 V
20
0.022在V
GS
= 2.5 V
0.025在V
GS
= 1.8 V
I
D
(A)
7.2
6.5
6.0
特点
TrenchFET
功率MOSFET
ESD保护： 3500 V
共漏极
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
应用
1-2节电池保护电路
D
D
TSSOP-8
D
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
顶视图
订货信息：
Si6880AEDQ-T1
Si6880AEDQ -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
8 D
7 S
2
6 S
2
5 G
2
G
1
Si6880AEDQ
* 2.3 kΩ
G
2
* 2.3 kΩ
S
1
N沟道
*设计典型值
N沟道
S
2
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲（ 10 μs的脉冲宽度）
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
1.5
1.5
0.96
- 55 150
7.2
5.7
30
1.0
1.0
0.64
W
°C
10秒
20
± 12
5.8
4.7
A
稳定状态
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
≤
10秒。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免。
文档编号： 72313
S- 60422 -REV 。 B， 20 -MAR -06
www.vishay.com
1
a
符号
t
≤
10秒
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
典型
70
100
55
最大
83
120
70
单位
° C / W
Si6880AEDQ
Vishay Siliconix公司
新产品
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
Ω
I
D
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
Ω
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 7.2 A
22
2
3.6
1.0
1.6
6
5.5
1.5
2.5
10
10
ns
35
nC
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 4.5 V
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 12 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
=
4.5 V，I
D
= 7.2 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 6.5 A
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 6.0 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 7.2 A
I
S
= 1.5 A，V
GS
= 0 V
20
0.014
0.016
0.018
45
0.61
1.1
0.018
0.022
0.025
S
V
Ω
0.40
0.90
±1
± 10
1
25
V
A
mA
A
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
30
V
GS
= 5通2 V
24
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
1.5 V
18
24
30
18
12
12
T
C
= 125 °C
6
25 °C
- 55 °C
6
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
传输特性
www.vishay.com
2
文档编号： 72313
S- 60422 -REV 。 B， 20 -MAR -06
Si6880AEDQ
新产品
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.030
5
V
DS
= 10 V
I
D
= 7.2 A
Vishay Siliconix公司
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0.024
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
V
GS
= 1.8 V
0.018
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
0.012
4
3
2
0.006
1
0.000
0
6
12
18
24
30
0
0
5
10
15
20
25
I
D
- 漏电流（ A）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
导通电阻与漏电流
1.6
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 7.2 A
I
S
- 源电流（ A）
10
30
栅极电荷
1.4
r
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
T
J
= 150 °C
1.2
1.0
T
J
= 25 °C
0.8
0.6
- 50
1
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
导通电阻与结温
0.060
0.4
源极 - 漏极二极管正向电压
0.048
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 7.2 A
0.036
0.2
I
D
= 250 A
0.0
0.024
- 0.2
0.012
- 0.4
0.000
0
1
2
3
4
5
6
7
8
- 0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
J
- 温度（℃ ）
导通电阻与栅极至源极电压
阈值电压
文档编号： 72313
S- 60422 -REV 。 B， 20 -MAR -06
www.vishay.com
3
Si6880AEDQ
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征
25 ℃，除非另有说明
150
100
限于由R
DS （ ON）
120
10
90
I
D
- 漏电流（ A）
1毫秒
功率（W）的
1
10毫秒
100毫秒
60
30
0.1
T
C
= 25 °C
单脉冲
1s
10 s
dc
0
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
0.01
0.1
1
10
100
V
DS -
漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
单脉冲功率
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
安全工作区，结至外壳
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 100 C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
归瞬态热阻抗，结到脚
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技可靠性数据
术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性
数据见
http://www.vishay.com/ppg?72313 。
www.vishay.com
4
文档编号： 72313
S- 60422 -REV 。 B， 20 -MAR -06
规格比较
Vishay Siliconix公司
Si6880AEDQ与Si6880EDQ
描述：N沟道， 1.8 -V （ GS ）电池开关，具有ESD保护
包装：
TSSOP-8
引脚输出：
相同
型号替换：
Si6880AEDQ -T1替换Si6880EDQ -T1
Si6880AEDQ -T1 -E3 （无铅版）替换Si6880EDQ -T1
业绩概要：
该Si6880AEDQ是替代原有的Si6880EDQ ;这两部分进行相同的限制，包括对
下面的参数表。
绝对最大额定值（T
A
= 25
_C
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
连续源电流（ MOSFET二极管的导通）
功耗
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
j
和T
英镑
R
thJA
Si6880AEDQ
20
"12
7.2
5.7
30
1.5
1.5
0.96
55
150
84
Si6880EDQ
20
"12
7.5
6
30
1.6
1.78
1.14
55
150
70
单位
V
A
W
_C
° C / W
工作结存储温度范围
最大结点到环境
规格（T
J
= 25
_C
除非另有说明）
Si6880AEDQ
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
S
O
正向跨导
二极管的正向电压
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 1.8 V
g
fs
V
SD
r
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 12 V
V
G（ TH ）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
20
0.014
0.016
0.018
45
0.61
1.1
0.018
0.022
0.025
0.8
0.9
"1000
"10
1
20
0.015
0.017
0.020
39
0.65
1.1
0.018
0.022
0.016
S
V
W
0.45
"250
"10
1
V
nA
mA
mA
A
Si6880EDQ
最大
民
典型值
最大
单位
符号
民
典型值
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
QGS
QGD
22
2.0
3.6
35
27
3.0
5.5
40
nC
开关
开启时间
打开-O FF
关闭时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
1.0
1.6
6
5.5
1.5
2.5
10
10
1.5
800
6
5.5
2.3
1200
10
10
www.vishay.com
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文档编号： 72902
22-Mar-04
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