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Si6874EDQ
新产品
Vishay Siliconix公司
双N通道20 -V （D -S ）的MOSFET ，共漏极
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.026 @ V
GS
= 4.5 V
20
0.031 @ V
GS
= 2.5 V
0.039 @ V
GS
= 1.8 V
I
D
(A)
6.5
5.8
5.0
D
D
TSSOP-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
N沟道
S
1
N沟道
S
2
D
8
D
D
D
D
G
1
2.4千瓦
G
2
2.4千瓦
Si6874EDQ
7
6
5
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
20
"12
6.5
4.7
30
1.50
1.67
1.06
稳定状态
单位
V
5.3
4.2
A
1.10
1.20
0.76
-55到150
_C
W
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71252
S- 01753 -REV 。 A， 08月14日00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
60
86
38
最大
75
105
45
单位
° C / W
1
Si6874EDQ
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"4.5
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.5 A
漏源导通电阻
a
I S
O 4 S
R I
r
DS （ ON）
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 5.8 A
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 5.0 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= 10 V，I
D
= 6.5 A
I
S
= 1.5 A，V
GS
= 0 V
20
0.021
0.025
0.031
25
0.65
1.1
0.026
0.031
0.039
S
V
W
0.40
"1
"10
1
20
V
mA
mA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
V,
I
D
^
1 ，V
根
4 = 5 V R
G
= 6
W
A
4.5 V,
V
DS
= 10 V, V
GS
4 = 5 V I
D
= 6.5 A
V
4.5 V,
65
12.5
2.7
2.7
0.7
1.3
5.5
4.6
1.0
2.0
8.0
7.0
ms
18
nC
C
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
栅电流与栅源电压
8
10,000
栅电流与栅源电压
1,000
I
GSS
- 栅极电流（mA ）
6
I
GSS
- 栅电流（
毫安）
100
T
J
= 150_C
4
10
1
0.1
T
J
= 25_C
2
0
0
3
6
9
12
15
18
0.01
0
3
6
9
12
15
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71252
S- 01753 -REV 。 A， 08月14日00
2
Si6874EDQ
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 5通2 V
24
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
24
25_C
18
18
125_C
12
30
T
C
= –55_C
Vishay Siliconix公司
传输特性
12
1.5 V
6
6
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏极电流
0.06
2500
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.05
- 电容（pF ）
2000
C
国际空间站
1500
0.04
V
GS
= 1.8 V
0.03
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
0.02
1000
C
OSS
0.01
500
C
RSS
0
4
8
12
16
20
0
0
6
12
18
24
30
0
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 6.5 A
栅极电荷
1.8
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 6.5 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
6
9
12
15
4
1.6
1.4
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
3
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 71252
S- 01753 -REV 。 A， 08月14日00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
3
Si6874EDQ
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源漏二极管正向电压
20
0.08
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
10
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
0.06
I
D
= 6.5 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
0
1
2
3
4
5
6
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
0.2
24
V
GS （ TH）
方差（ V）
–0.0
功率（W）的
32
单脉冲功率，结到环境
16
–0.2
8
–0.4
–0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
–2
10
–1
1
时间（秒）
10
100
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 86 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4
文档编号： 71252
S- 01753 -REV 。 A， 08月14日00
Si6874EDQ
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
占空比= 0.5
Vishay Siliconix公司
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 71252
S- 01753 -REV 。 A， 08月14日00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
5
Si6874EDQ
新产品
Vishay Siliconix公司
双N通道20 -V （D -S ）的MOSFET ，共漏极
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.026 @ V
GS
= 4.5 V
20
0.031 @ V
GS
= 2.5 V
0.039 @ V
GS
= 1.8 V
I
D
(A)
6.5
5.8
5.0
D
D
TSSOP-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
N沟道
S
1
N沟道
S
2
D
8
D
D
D
D
G
1
2.4千瓦
G
2
2.4千瓦
Si6874EDQ
7
6
5
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
20
"12
6.5
4.7
30
1.50
1.67
1.06
稳定状态
单位
V
5.3
4.2
A
1.10
1.20
0.76
-55到150
_C
W
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71252
S- 01753 -REV 。 A， 08月14日00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
60
86
38
最大
75
105
45
单位
° C / W
1
Si6874EDQ
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"4.5
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.5 A
漏源导通电阻
a
I S
O 4 S
R I
r
DS （ ON）
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 5.8 A
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 5.0 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= 10 V，I
D
= 6.5 A
I
S
= 1.5 A，V
GS
= 0 V
20
0.021
0.025
0.031
25
0.65
1.1
0.026
0.031
0.039
S
V
W
0.40
"1
"10
1
20
V
mA
mA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
V,
I
D
^
1 ，V
根
4 = 5 V R
G
= 6
W
A
4.5 V,
V
DS
= 10 V, V
GS
4 = 5 V I
D
= 6.5 A
V
4.5 V,
65
12.5
2.7
2.7
0.7
1.3
5.5
4.6
1.0
2.0
8.0
7.0
ms
18
nC
C
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
栅电流与栅源电压
8
10,000
栅电流与栅源电压
1,000
I
GSS
- 栅极电流（mA ）
6
I
GSS
- 栅电流（
毫安）
100
T
J
= 150_C
4
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1
0.1
T
J
= 25_C
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0
0
3
6
9
12
15
18
0.01
0
3
6
9
12
15
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71252
S- 01753 -REV 。 A， 08月14日00
2
Si6874EDQ
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 5通2 V
24
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
24
25_C
18
18
125_C
12
30
T
C
= –55_C
Vishay Siliconix公司
传输特性
12
1.5 V
6
6
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏极电流
0.06
2500
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.05
- 电容（pF ）
2000
C
国际空间站
1500
0.04
V
GS
= 1.8 V
0.03
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
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1000
C
OSS
0.01
500
C
RSS
0
4
8
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0
6
12
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I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
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5
V
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V
DS
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I
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栅极电荷
1.8
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 6.5 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
6
9
12
15
4
1.6
1.4
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
3
0.6
–50
–25
0
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50
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Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 71252
S- 01753 -REV 。 A， 08月14日00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
3
Si6874EDQ
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源漏二极管正向电压
20
0.08
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
10
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
0.06
I
D
= 6.5 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0
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0.6
0.8
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0
0
1
2
3
4
5
6
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
0.2
24
V
GS （ TH）
方差（ V）
–0.0
功率（W）的
32
单脉冲功率，结到环境
16
–0.2
8
–0.4
–0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
–2
10
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时间（秒）
10
100
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 86 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
S
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4
文档编号： 71252
S- 01753 -REV 。 A， 08月14日00
Si6874EDQ
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
占空比= 0.5
Vishay Siliconix公司
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 71252
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5
Si6874EDQ
新产品
Vishay Siliconix公司
双N通道20 -V （D -S ）的MOSFET ，共漏极
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.026 @ V
GS
= 4.5 V
20
0.031 @ V
GS
= 2.5 V
0.039 @ V
GS
= 1.8 V
I
D
(A)
6.5
5.8
5.0
D
D
TSSOP-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
N沟道
S
1
N沟道
S
2
D
8
D
D
D
D
G
1
2.4千瓦
G
2
2.4千瓦
Si6874EDQ
7
6
5
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
20
"12
6.5
4.7
30
1.50
1.67
1.06
稳定状态
单位
V
5.3
4.2
A
1.10
1.20
0.76
-55到150
_C
W
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
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t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
60
86
38
最大
75
105
45
单位
° C / W
1
Si6874EDQ
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"4.5
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.5 A
漏源导通电阻
a
I S
O 4 S
R I
r
DS （ ON）
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 5.8 A
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 5.0 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= 10 V，I
D
= 6.5 A
I
S
= 1.5 A，V
GS
= 0 V
20
0.021
0.025
0.031
25
0.65
1.1
0.026
0.031
0.039
S
V
W
0.40
"1
"10
1
20
V
mA
mA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
V,
I
D
^
1 ，V
根
4 = 5 V R
G
= 6
W
A
4.5 V,
V
DS
= 10 V, V
GS
4 = 5 V I
D
= 6.5 A
V
4.5 V,
65
12.5
2.7
2.7
0.7
1.3
5.5
4.6
1.0
2.0
8.0
7.0
ms
18
nC
C
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
栅电流与栅源电压
8
10,000
栅电流与栅源电压
1,000
I
GSS
- 栅极电流（mA ）
6
I
GSS
- 栅电流（
毫安）
100
T
J
= 150_C
4
10
1
0.1
T
J
= 25_C
2
0
0
3
6
9
12
15
18
0.01
0
3
6
9
12
15
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
S
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V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
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2
Si6874EDQ
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 5通2 V
24
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
24
25_C
18
18
125_C
12
30
T
C
= –55_C
Vishay Siliconix公司
传输特性
12
1.5 V
6
6
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏极电流
0.06
2500
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.05
- 电容（pF ）
2000
C
国际空间站
1500
0.04
V
GS
= 1.8 V
0.03
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
0.02
1000
C
OSS
0.01
500
C
RSS
0
4
8
12
16
20
0
0
6
12
18
24
30
0
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 6.5 A
栅极电荷
1.8
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 6.5 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
6
9
12
15
4
1.6
1.4
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
3
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
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3
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新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源漏二极管正向电压
20
0.08
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
10
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
0.06
I
D
= 6.5 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
0
1
2
3
4
5
6
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
0.2
24
V
GS （ TH）
方差（ V）
–0.0
功率（W）的
32
单脉冲功率，结到环境
16
–0.2
8
–0.4
–0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
–2
10
–1
1
时间（秒）
10
100
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 86 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
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新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
占空比= 0.5
Vishay Siliconix公司
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
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SK15-13
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SAK-C164CM-4RF
ST92150JV2TB
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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SI6874EDQ
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联系人：张女士
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电话：0755- 82556029/82532511
联系人：高小姐/李先生
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区鹏基上步工业厂房102栋西620
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电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
SI6874EDQ
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电话：755-83210909 / 83616256
联系人：夏先生
地址：深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室（亚太地区XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿特拉）专业分销商！)
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联系人：李小姐/李先生/罗小姐/汪先生
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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