Si6459DQ
Vishay Siliconix公司
P通道60 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
–60
r
DS （ ON）
(W)
0.120 @ V
GS
= –10 V
0.150 @ V
GS
= –4.5 V
I
D
(A)
"2.6
"2.4
S*
TSSOP-8
D
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
D
P沟道MOSFET
D
8
D
S
S
D
G
*资料来源引脚2 ， 3 ， 6和7
必须绑常见。
Si6459DQ
7
6
5
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
150 C)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
I
D
T
A
= 70_C
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
符号
V
DS
V
GS
极限
–60
"20
"2.6
"2.1
"30
–1.25
1.5
单位
V
A
W
1.0
-55到150
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
文档编号： 70186
S- 99446 -REV 。 D， 29 - NOV- 99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
符号
R
thJA
极限
83
单位
° C / W
2-1
Si6459DQ
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通状态电阻
a
漏极 - 源极导通状态
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= –60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
= –5 V, V
GS
= –10 V
V
GS
= -10 V，I
D
= –2.6 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –2.4 A
V
DS
= -15 V，I
D
= –2.6 A
I
S
= -1.25 A，V
GS
= 0 V
–20
0.100
0.125
7.5
–0.8
–1.2
0.120
0.150
W
S
V
–1.0
"100
–1
–25
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= -1.25 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= -30 V ，R
L
= 30
W
30 V,
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V R
G
= 6
W
1A
10 V,
V
DS
= –30 V V
GS
= -10 V I
D
= –2.6 A
30 V,
10 V,
26
16
3.7
2.0
8
10
35
12
60
15
20
50
25
90
ns
25
nC
C
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-2
文档编号： 70186
S- 99446 -REV 。 D， 29 - NOV- 99
Si6459DQ
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 10通6 V
24
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
5V
18
16
20
T
C
= –55_C
25_C
125_C
12
传输特性
12
4V
8
6
3V
0
0
1
2
3
4
5
6
4
0
0
2
4
6
8
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
1.0
1400
1200
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.8
- 电容（pF ）
1000
800
600
400
200
0
0
4
8
12
16
20
0
10
电容
C
国际空间站
0.6
0.4
V
GS
= 4.5 V
0.2
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 10 V
0
20
30
40
50
60
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
10
V
DS
= 30 V
I
D
= 2.6 A
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
栅极电荷
1.85
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 2.6 A
6
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
0
4
8
12
16
20
8
1.60
1.35
4
1.10
2
0.85
0
0.60
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70186
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.5
导通电阻与栅极至源极电压
10
I S - 源电流（ A）
T
J
= 150_C
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.4
0.3
I
D
=
2.6
A
0.2
T
J
= 25_C
0.1
1
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.75
单脉冲功率
50
T
C
= 25_C
单脉冲
40
0.50
V GS （ TH）方差（V ）
30
0.25
I
D
= 250
mA
功率（W）的
20
0.00
10
–0.25
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 83℃ / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
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P通道60 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
–60
r
DS （ ON）
(W)
0.120 @ V
GS
= –10 V
0.150 @ V
GS
= –4.5 V
I
D
(A)
"2.6
"2.4
S*
TSSOP-8
D
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
D
P沟道MOSFET
D
8
D
S
S
D
G
*资料来源引脚2 ， 3 ， 6和7
必须绑常见。
Si6459DQ
7
6
5
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
150 C)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
I
D
T
A
= 70_C
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
符号
V
DS
V
GS
极限
–60
"20
"2.6
"2.1
"30
–1.25
1.5
单位
V
A
W
1.0
-55到150
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
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符号
R
thJA
极限
83
单位
° C / W
2-1
Si6459DQ
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通状态电阻
a
漏极 - 源极导通状态
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= –60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
= –5 V, V
GS
= –10 V
V
GS
= -10 V，I
D
= –2.6 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –2.4 A
V
DS
= -15 V，I
D
= –2.6 A
I
S
= -1.25 A，V
GS
= 0 V
–20
0.100
0.125
7.5
–0.8
–1.2
0.120
0.150
W
S
V
–1.0
"100
–1
–25
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= -1.25 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= -30 V ，R
L
= 30
W
30 V,
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V R
G
= 6
W
1A
10 V,
V
DS
= –30 V V
GS
= -10 V I
D
= –2.6 A
30 V,
10 V,
26
16
3.7
2.0
8
10
35
12
60
15
20
50
25
90
ns
25
nC
C
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
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Si6459DQ
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 10通6 V
24
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
5V
18
16
20
T
C
= –55_C
25_C
125_C
12
传输特性
12
4V
8
6
3V
0
0
1
2
3
4
5
6
4
0
0
2
4
6
8
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
1.0
1400
1200
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.8
- 电容（pF ）
1000
800
600
400
200
0
0
4
8
12
16
20
0
10
电容
C
国际空间站
0.6
0.4
V
GS
= 4.5 V
0.2
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 10 V
0
20
30
40
50
60
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
10
V
DS
= 30 V
I
D
= 2.6 A
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
栅极电荷
1.85
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 2.6 A
6
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
0
4
8
12
16
20
8
1.60
1.35
4
1.10
2
0.85
0
0.60
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.5
导通电阻与栅极至源极电压
10
I S - 源电流（ A）
T
J
= 150_C
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.4
0.3
I
D
=
2.6
A
0.2
T
J
= 25_C
0.1
1
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.75
单脉冲功率
50
T
C
= 25_C
单脉冲
40
0.50
V GS （ TH）方差（V ）
30
0.25
I
D
= 250
mA
功率（W）的
20
0.00
10
–0.25
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 83℃ / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
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S
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2-4
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S- 99446 -REV 。 D， 29 - NOV- 99
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Vishay Siliconix公司
P通道60 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
–60
r
DS （ ON）
(W)
0.120 @ V
GS
= –10 V
0.150 @ V
GS
= –4.5 V
I
D
(A)
"2.6
"2.4
S*
TSSOP-8
D
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
D
P沟道MOSFET
D
8
D
S
S
D
G
*资料来源引脚2 ， 3 ， 6和7
必须绑常见。
Si6459DQ
7
6
5
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
150 C)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
I
D
T
A
= 70_C
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
符号
V
DS
V
GS
极限
–60
"20
"2.6
"2.1
"30
–1.25
1.5
单位
V
A
W
1.0
-55到150
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
文档编号： 70186
S- 99446 -REV 。 D， 29 - NOV- 99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
符号
R
thJA
极限
83
单位
° C / W
2-1
Si6459DQ
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通状态电阻
a
漏极 - 源极导通状态
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= –60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
= –5 V, V
GS
= –10 V
V
GS
= -10 V，I
D
= –2.6 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –2.4 A
V
DS
= -15 V，I
D
= –2.6 A
I
S
= -1.25 A，V
GS
= 0 V
–20
0.100
0.125
7.5
–0.8
–1.2
0.120
0.150
W
S
V
–1.0
"100
–1
–25
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= -1.25 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= -30 V ，R
L
= 30
W
30 V,
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V R
G
= 6
W
1A
10 V,
V
DS
= –30 V V
GS
= -10 V I
D
= –2.6 A
30 V,
10 V,
26
16
3.7
2.0
8
10
35
12
60
15
20
50
25
90
ns
25
nC
C
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
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2-2
文档编号： 70186
S- 99446 -REV 。 D， 29 - NOV- 99
Si6459DQ
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 10通6 V
24
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
5V
18
16
20
T
C
= –55_C
25_C
125_C
12
传输特性
12
4V
8
6
3V
0
0
1
2
3
4
5
6
4
0
0
2
4
6
8
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
1.0
1400
1200
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.8
- 电容（pF ）
1000
800
600
400
200
0
0
4
8
12
16
20
0
10
电容
C
国际空间站
0.6
0.4
V
GS
= 4.5 V
0.2
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 10 V
0
20
30
40
50
60
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
10
V
DS
= 30 V
I
D
= 2.6 A
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
栅极电荷
1.85
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 2.6 A
6
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
0
4
8
12
16
20
8
1.60
1.35
4
1.10
2
0.85
0
0.60
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.5
导通电阻与栅极至源极电压
10
I S - 源电流（ A）
T
J
= 150_C
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.4
0.3
I
D
=
2.6
A
0.2
T
J
= 25_C
0.1
1
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.75
单脉冲功率
50
T
C
= 25_C
单脉冲
40
0.50
V GS （ TH）方差（V ）
30
0.25
I
D
= 250
mA
功率（W）的
20
0.00
10
–0.25
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 83℃ / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
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