Si5935DC
新产品
Vishay Siliconix公司
双P沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.086 @ V
GS
= - 4.5 V
- 20
0.121 @ V
GS
= - 2.5 V
0.171 @ V
GS
= - 1.8 V
特点
I
D
(A)
- 4.1
- 3.4
- 2.9
D
TrenchFETr功率MOSFET，
D
低R
DS （ ON）
双和出色的动力
处理这种紧凑型
应用
D
负荷开关
D
PA的开关
D
电池开关
S
1
S
2
1206-8 ChipFETr
1
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
S
2
G
2
G
1
G
2
标识代码
DF XX
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
底部视图
订购信息： Si5935DC -T1
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
- 20
"8
单位
V
- 4.1
- 2.9
- 15
- 1.8
2.1
1.1
- 55 150
260
-3
- 2.2
- 0.9
1.1
0.6
W
_C
A
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
50
90
30
最大
60
110
40
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为单片化的结果
工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料在互连
接口上。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 72220
S- 31260 -REV 。 A， 16军03
www.vishay.com
1
Si5935DC
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= - 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
p
- 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 3 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 2.5 A
V
GS
= - 1.8 V，I
D
= - 0.6 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= - 10 V，I
D
= - 3 A
I
S
= - 0.9 A，V
GS
= 0 V
- 15
0.069
0.097
0.137
8
- 0.8
- 1.2
0.086
0.121
0.171
S
V
W
- 0.4
1.0
"100
-1
-5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= - 0.9 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
- 1 ，V
根
= - 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 3 A
5.5
0.91
1.6
18
32
42
26
30
30
50
65
40
60
ns
8.5
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
15
V
GS
= 5通3 V
12
I
D
- 漏电流（ A）
2.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
12
15
传输特性
T
C
= - 55_C
25_C
9
125_C
6
9
2V
6
3
1.5 V
1V
0
1
2
3
4
5
3
0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72220
S- 31260 -REV 。 A， 16军03
2
Si5935DC
新产品
Vishay Siliconix公司
双P沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.086 @ V
GS
= - 4.5 V
- 20
0.121 @ V
GS
= - 2.5 V
0.171 @ V
GS
= - 1.8 V
特点
I
D
(A)
- 4.1
- 3.4
- 2.9
D
TrenchFETr功率MOSFET，
D
低R
DS （ ON）
双和出色的动力
处理这种紧凑型
应用
D
负荷开关
D
PA的开关
D
电池开关
S
1
S
2
1206-8 ChipFETr
1
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
S
2
G
2
G
1
G
2
标识代码
DF XX
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
底部视图
订购信息： Si5935DC -T1
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
- 20
"8
单位
V
- 4.1
- 2.9
- 15
- 1.8
2.1
1.1
- 55 150
260
-3
- 2.2
- 0.9
1.1
0.6
W
_C
A
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
50
90
30
最大
60
110
40
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为单片化的结果
工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料在互连
接口上。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 72220
S- 31260 -REV 。 A， 16军03
www.vishay.com
1
Si5935DC
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= - 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
p
- 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 3 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 2.5 A
V
GS
= - 1.8 V，I
D
= - 0.6 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= - 10 V，I
D
= - 3 A
I
S
= - 0.9 A，V
GS
= 0 V
- 15
0.069
0.097
0.137
8
- 0.8
- 1.2
0.086
0.121
0.171
S
V
W
- 0.4
1.0
"100
-1
-5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= - 0.9 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
- 1 ，V
根
= - 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 3 A
5.5
0.91
1.6
18
32
42
26
30
30
50
65
40
60
ns
8.5
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
15
V
GS
= 5通3 V
12
I
D
- 漏电流（ A）
2.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
12
15
传输特性
T
C
= - 55_C
25_C
9
125_C
6
9
2V
6
3
1.5 V
1V
0
1
2
3
4
5
3
0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72220
S- 31260 -REV 。 A， 16军03
2
Si5935DC
Vishay Siliconix公司
双P沟道1.8 V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 20
R
DS （ ON）
(Ω)
0.086在V
GS
= - 4.5 V
0.121在V
GS
= - 2.5 V
0.171在V
GS
= - 1.8 V
I
D
(A)
- 4.1
- 3.4
- 2.9
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
低R
DS （ ON）
双和出色的动力
处理这种紧凑型
符合RoHS指令2002/95 / EC
1206-8 ChipFET
1
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
S
2
G
2
应用
- 负荷开关
PA的开关
- 电池开关
标识代码
DF XX
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
S
1
S
2
G
1
G
2
底部视图
D
1
订货信息：
Si5935DC -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si5935DC -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
B，C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
- 1.8
2.1
1.1
- 55 150
260
- 4.1
- 2.9
- 15
- 0.9
1.1
0.6
W
°C
5s
±8
-3
- 2.2
A
稳定状态
- 20
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
t
≤
5s
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
50
90
30
最大
60
110
40
° C / W
单位
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀） ，结果
在制造单片化过程。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不要求保证
充足的底侧焊接互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 72220
S10-0936 -REV 。 C， 19 -APR- 10
www.vishay.com
1
Si5935DC
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
二极管的正向电压
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= - 0.9 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 10
Ω
I
D
- 1 ，V
根
= - 4.5 V ，R
g
= 6
Ω
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 3 A
5.5
0.91
1.6
18
32
42
26
30
30
50
65
40
60
ns
8.5
nC
a
a
符号
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 8 V
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85 °C
V
DS
≤
- 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 3 A
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 2.5 A
V
GS
= - 1.8 V，I
D
= - 0.6 A
V
DS
= - 10 V，I
D
= - 3 A
I
S
= - 0.9 A，V
GS
= 0 V
分钟。
- 0.4
典型值。
马克斯。
- 1.0
± 100
-1
-5
单位
V
nA
A
A
- 15
0.069
0.097
0.137
8
- 0.8
- 1.2
0.086
0.121
0.171
Ω
S
V
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
15
V
GS
= 5 V直通3 V
12
I
D
- 漏电流（ A）
2.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
12
25 °C
9
125 °C
15
T
C
= - 55 °C
9
2V
6
6
3
1.5 V
1V
0
1
2
3
4
5
3
0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
传输特性
www.vishay.com
2
文档编号： 72220
S10-0936 -REV 。 C， 19 -APR- 10
Si5935DC
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.30
800
0.25
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
V
GS
= 1.8 V
0.20
- 电容（pF ）
600
C
国际空间站
400
0.15
V
GS
= 2.5 V
0.10
V
GS
= 4.5 V
200
0.05
C
RSS
0.00
0
3
6
9
12
15
0
0
4
C
OSS
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
5
V
DS
= 10 V
I
D
= 3 A
4
R
DS （ ON）
- 导通电阻
1.4
1.6
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3 A
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
（归一化）
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
20
0.4
导通电阻与结温
10
I
S
- 源电流（ A）
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.3
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
I
D
= 0.6 A
0.2
I
D
= 3 A
0.1
1
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
导通电阻与栅极至源极电压
文档编号： 72220
S10-0936 -REV 。 C， 19 -APR- 10
www.vishay.com
3
Si5935DC
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.4
50
0.3
I
D
= 250 A
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.2
功率（W）的
40
30
0.1
20
0.0
10
- 0.1
- 0.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
时间（s）
阈值电压
100
I
DM
有限
限于由R
DS （ ON）
*
10
I
D
- 漏电流（ A）
P（吨） = 0.0001
单脉冲功率
1
P（吨） = 0.001
I
D（上）
有限
T
C
= 25 °C
单脉冲
BVDSS有限公司
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
P（吨） = 10
DC
0.1
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90
°
C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
方波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到环境
www.vishay.com
4
文档编号： 72220
S10-0936 -REV 。 C， 19 -APR- 10
Si5935DC
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
方波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到脚
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
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文档编号： 72220
S10-0936 -REV 。 C， 19 -APR- 10
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5
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