Si5903DC
Vishay Siliconix公司
双P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
()
0.155 @ V
GS
= --4.5 V
--20
0.180 @ V
GS
= --3.6 V
0.260 @ V
GS
= --2.5 V
I
D
(A)
2.9
2.7
2.2
S
1
S
2
1206-8 ChipFETt
1
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
S
2
G
2
G
1
G
2
标识代码
DA XX
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
底部视图
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
订货信息：
Si5903DC-T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
--20
12
单位
V
2.9
2.1
10
--1.8
2.1
1.1
--55到150
260
2.1
1.5
--0.9
1.1
0.6
W
A
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
≤
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
50
90
30
最大
60
110
40
单位
° C / W
C/
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为单片化的结果
工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料在互连
接口上。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71054
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
2-1
Si5903DC
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= --250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
12
V
V
DS
= --16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= --16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
--5 V, V
GS
= --4.5 V
V
GS
= --4.5 V，I
D
= --2.1 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= --3.6 V，I
D
= --2.0 A
V
GS
= --2.5 V，I
D
= --1.7 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= --10 V，I
D
= --2.1 A
I
S
= --0.9 A，V
GS
= 0 V
--10
0.130
0.150
0.215
5
--0.8
--1.2
0.155
0.180
0.260
S
V
--0.6
100
--1
--5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= --0.9 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= --10 V ，R
L
= 10
I
D
--1 A，V
根
= --4.5 V ，R
G
= 6
V
DS
= --10 V, V
GS
= --4.5 V，I
D
= --2.1 A
3
0.9
0.6
13
35
25
25
40
20
55
40
40
80
ns
6
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 5通4 V
8
I
D
- 漏电流（ A）
3.5 V
10
传输特性
T
C
= --55_C
3V
I
D
- 漏电流（ A）
8
25_C
6
2.5 V
4
2V
2
1.5 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
6
125_C
4
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71054
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
2-2
Si5903DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.4
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
600
500
- 电容（pF ）
C
国际空间站
400
300
200
100
0.0
0
2
4
6
8
10
0
0
C
RSS
4
8
12
16
20
C
OSS
电容
V
GS
= 2.5 V
0.3
0.2
V
GS
= 3.6 V
0.1
V
GS
= 4.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 2.1 A
4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 2.1 A
1.4
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0.0
0.5
0.6
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.40
0.35
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 2.1 A
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71054
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
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2-3
Si5903DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.2
0.1
0.0
--0.1
--0.2
--50
10
功率（W）的
30
50
单脉冲功率
40
20
--25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
时间（秒）
1
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
-
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
2-4
文档编号： 71054
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的，在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
www.vishay.com
1
Si5903DC
Vishay Siliconix公司
双P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
()
0.155 @ V
GS
= --4.5 V
--20
0.180 @ V
GS
= --3.6 V
0.260 @ V
GS
= --2.5 V
I
D
(A)
2.9
2.7
2.2
S
1
S
2
1206-8 ChipFETt
1
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
S
2
G
2
G
1
G
2
标识代码
DA XX
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
底部视图
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
订货信息：
Si5903DC-T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
--20
12
单位
V
2.9
2.1
10
--1.8
2.1
1.1
--55到150
260
2.1
1.5
--0.9
1.1
0.6
W
A
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
≤
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
50
90
30
最大
60
110
40
单位
° C / W
C/
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为单片化的结果
工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料在互连
接口上。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71054
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
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Si5903DC
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= --250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
12
V
V
DS
= --16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= --16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
--5 V, V
GS
= --4.5 V
V
GS
= --4.5 V，I
D
= --2.1 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= --3.6 V，I
D
= --2.0 A
V
GS
= --2.5 V，I
D
= --1.7 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= --10 V，I
D
= --2.1 A
I
S
= --0.9 A，V
GS
= 0 V
--10
0.130
0.150
0.215
5
--0.8
--1.2
0.155
0.180
0.260
S
V
--0.6
100
--1
--5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= --0.9 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= --10 V ，R
L
= 10
I
D
--1 A，V
根
= --4.5 V ，R
G
= 6
V
DS
= --10 V, V
GS
= --4.5 V，I
D
= --2.1 A
3
0.9
0.6
13
35
25
25
40
20
55
40
40
80
ns
6
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 5通4 V
8
I
D
- 漏电流（ A）
3.5 V
10
传输特性
T
C
= --55_C
3V
I
D
- 漏电流（ A）
8
25_C
6
2.5 V
4
2V
2
1.5 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
6
125_C
4
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71054
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
2-2
Si5903DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.4
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
600
500
- 电容（pF ）
C
国际空间站
400
300
200
100
0.0
0
2
4
6
8
10
0
0
C
RSS
4
8
12
16
20
C
OSS
电容
V
GS
= 2.5 V
0.3
0.2
V
GS
= 3.6 V
0.1
V
GS
= 4.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 2.1 A
4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 2.1 A
1.4
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0.0
0.5
0.6
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.40
0.35
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 2.1 A
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71054
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
2-3
Si5903DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.2
0.1
0.0
--0.1
--0.2
--50
10
功率（W）的
30
50
单脉冲功率
40
20
--25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
时间（秒）
1
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
-
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
2-4
文档编号： 71054
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
Si5903DC
Vishay Siliconix公司
双P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
()
0.155 @ V
GS
= --4.5 V
--20
0.180 @ V
GS
= --3.6 V
0.260 @ V
GS
= --2.5 V
I
D
(A)
2.9
2.7
2.2
S
1
S
2
1206-8 ChipFETt
1
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
S
2
G
2
G
1
G
2
标识代码
DA XX
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
底部视图
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
订货信息：
Si5903DC-T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
--20
12
单位
V
2.9
2.1
10
--1.8
2.1
1.1
--55到150
260
2.1
1.5
--0.9
1.1
0.6
W
A
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
≤
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
50
90
30
最大
60
110
40
单位
° C / W
C/
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为单片化的结果
工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料在互连
接口上。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71054
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
2-1
Si5903DC
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= --250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
12
V
V
DS
= --16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= --16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
--5 V, V
GS
= --4.5 V
V
GS
= --4.5 V，I
D
= --2.1 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= --3.6 V，I
D
= --2.0 A
V
GS
= --2.5 V，I
D
= --1.7 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= --10 V，I
D
= --2.1 A
I
S
= --0.9 A，V
GS
= 0 V
--10
0.130
0.150
0.215
5
--0.8
--1.2
0.155
0.180
0.260
S
V
--0.6
100
--1
--5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= --0.9 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= --10 V ，R
L
= 10
I
D
--1 A，V
根
= --4.5 V ，R
G
= 6
V
DS
= --10 V, V
GS
= --4.5 V，I
D
= --2.1 A
3
0.9
0.6
13
35
25
25
40
20
55
40
40
80
ns
6
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 5通4 V
8
I
D
- 漏电流（ A）
3.5 V
10
传输特性
T
C
= --55_C
3V
I
D
- 漏电流（ A）
8
25_C
6
2.5 V
4
2V
2
1.5 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
6
125_C
4
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71054
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
2-2
Si5903DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.4
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
600
500
- 电容（pF ）
C
国际空间站
400
300
200
100
0.0
0
2
4
6
8
10
0
0
C
RSS
4
8
12
16
20
C
OSS
电容
V
GS
= 2.5 V
0.3
0.2
V
GS
= 3.6 V
0.1
V
GS
= 4.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 2.1 A
4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 2.1 A
1.4
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0.0
0.5
0.6
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.40
0.35
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 2.1 A
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71054
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
2-3
Si5903DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.2
0.1
0.0
--0.1
--0.2
--50
10
功率（W）的
30
50
单脉冲功率
40
20
--25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
时间（秒）
1
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
-
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
2-4
文档编号： 71054
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
Si5903DC
Vishay Siliconix公司
双P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
()
0.155 @ V
GS
= --4.5 V
--20
0.180 @ V
GS
= --3.6 V
0.260 @ V
GS
= --2.5 V
I
D
(A)
2.9
2.7
2.2
S
1
S
2
1206-8 ChipFETt
1
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
S
2
G
2
G
1
G
2
标识代码
DA XX
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
底部视图
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
订货信息：
Si5903DC-T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
--20
12
单位
V
2.9
2.1
10
--1.8
2.1
1.1
--55到150
260
2.1
1.5
--0.9
1.1
0.6
W
A
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
≤
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
50
90
30
最大
60
110
40
单位
° C / W
C/
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为单片化的结果
工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料在互连
接口上。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71054
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
2-1
Si5903DC
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= --250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
12
V
V
DS
= --16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= --16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
--5 V, V
GS
= --4.5 V
V
GS
= --4.5 V，I
D
= --2.1 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= --3.6 V，I
D
= --2.0 A
V
GS
= --2.5 V，I
D
= --1.7 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= --10 V，I
D
= --2.1 A
I
S
= --0.9 A，V
GS
= 0 V
--10
0.130
0.150
0.215
5
--0.8
--1.2
0.155
0.180
0.260
S
V
--0.6
100
--1
--5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= --0.9 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= --10 V ，R
L
= 10
I
D
--1 A，V
根
= --4.5 V ，R
G
= 6
V
DS
= --10 V, V
GS
= --4.5 V，I
D
= --2.1 A
3
0.9
0.6
13
35
25
25
40
20
55
40
40
80
ns
6
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 5通4 V
8
I
D
- 漏电流（ A）
3.5 V
10
传输特性
T
C
= --55_C
3V
I
D
- 漏电流（ A）
8
25_C
6
2.5 V
4
2V
2
1.5 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
6
125_C
4
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71054
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
2-2
Si5903DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.4
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
600
500
- 电容（pF ）
C
国际空间站
400
300
200
100
0.0
0
2
4
6
8
10
0
0
C
RSS
4
8
12
16
20
C
OSS
电容
V
GS
= 2.5 V
0.3
0.2
V
GS
= 3.6 V
0.1
V
GS
= 4.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 2.1 A
4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 2.1 A
1.4
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0.0
0.5
0.6
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.40
0.35
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 2.1 A
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71054
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
2-3
Si5903DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.2
0.1
0.0
--0.1
--0.2
--50
10
功率（W）的
30
50
单脉冲功率
40
20
--25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
时间（秒）
1
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
-
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
2-4
文档编号： 71054
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
QQ：2880707522 复制
