Si5855DC
Vishay Siliconix公司
P沟道1.8 V （G - S）的MOSFET与肖特基二极管
MOSFET产品概要
V
DS
(V)
- 20
R
DS （ ON）
(Ω)
0.110在V
GS
= - 4.5 V
0.160在V
GS
= - 2.5 V
0.240在V
GS
= - 1.8 V
I
D
(A)
- 3.6
- 3.0
- 2.4
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
超低V
f
肖特基
Si5853DC引脚兼容
符合RoHS指令2002/95 / EC
肖特基产品概要
V
KA
(V)
20
V
f
(V)
二极管的正向电压
0.375 V在1
I
F
(A)
1.0
应用
便携式设备的充电电路
1206-8 ChipFET
1
A
K
K
D
D
A
S
S
K
G
标识代码
G
JB
XXX
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
D
P沟道MOSFET
A
底部视图
订货信息：
Si5855DC -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si5855DC -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源极电压（ MOSFET ）
反向电压（肖特基）
栅源电压（ MOSFET ）
连续漏电流（T
J
= 150 ℃） （MOSFET）
a
漏电流脉冲（ MOSFET ）
连续源电流（ MOSFET二极管的导通）
a
平均正向电流（肖特基）
脉冲正向电流（肖特基）
最大功率耗散（ MOSFET ）
a
最大功率耗散（肖特基）
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
B，C
符号
V
DS
V
KA
V
GS
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
I
D
I
DM
I
S
I
F
I
FM
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
J
, T
英镑
P
D
5s
- 20
20
±8
- 3.6
- 2.6
- 10
- 1.8
1.0
7
2.1
1.1
1.9
1.0
稳定状态
单位
V
- 2.7
- 1.9
- 0.9
A
1.1
0.6
1.1
0.56
- 55 150
260
°C
W
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀） ，结果
在制造单片化过程。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不要求保证
充足的底侧焊接互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 72232
S10-0547 -REV 。 C， 08 -MAR- 10
www.vishay.com
1
Si5855DC
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
t
≤
5s
结到环境
a
稳定状态
结到脚
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
稳定状态
设备
MOSFET
肖特基
MOSFET
肖特基
MOSFET
肖特基
R
thJF
R
thJA
符号
典型
50
54
90
95
30
30
最大
60
65
110
115
40
40
° C / W
单位
MOSFET规格
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
符号
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 8 V
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85 °C
V
DS
≤
5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 2.7 A
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 2.2 A
V
GS
= - 1.8 V，I
D
= - 1 A
V
DS
= - 10 V，I
D
= - 2.7 A
I
S
= - 0.9 A，V
GS
= 0 V
分钟。
- 0.45
典型值。
马克斯。
- 1.0
± 100
-1
-5
单位
V
nA
A
A
- 10
0.095
0.137
0.205
7
- 0.8
5.1
- 1.2
7.7
0.110
0.160
0.240
Ω
S
V
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 2.7 A
1.2
1.0
16
25
45
45
40
40
nC
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 10
Ω
I
D
- 1 ，V
根
= - 4.5 V ，R
g
= 6
Ω
I
F
= - 0.9 A， di / dt的= 100 A / μs的
30
30
27
20
ns
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
肖特基规格
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 1 A
I
F
= 1 A，T
J
= 125 °C
V
r
= 20 V
最大反向漏电流
结电容
I
rm
C
T
V
r
= 20 V ，T
J
= 85 °C
V
r
= 20 V ，T
J
= 125 °C
V
r
= 10 V
分钟。
典型值。
0.34
0.255
0.05
2
10
90
马克斯。
0.375
0.290
0.500
20
100
pF
mA
单位
V
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文档编号： 72232
S10-0547 -REV 。 C， 08 -MAR- 10
Si5855DC
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MOSFET的典型特征
25 ℃，除非另有说明
10
V
GS
= 5 V直通3 V
8
I
D
- 漏电流（ A）
2.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
8
10
T
C
= - 55 °C
25 °C
125 °C
6
6
2V
4
4
2
1.5 V
0
0.0
2
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.6
V
GS
= 1.8 V
0.5
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
600
0.4
- 电容（pF ）
800
传输特性
C
国际空间站
0.3
400
0.2
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
200
C
OSS
C
RSS
0.1
0.0
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
5
V
DS
= 10 V
I
D
= 2.7 A
4
R
DS （ ON）
- 导通电阻
1.4
1.6
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 2.7 A
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
3
（归一化）
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
1
2
3
4
5
6
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
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Si5855DC
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MOSFET的典型特征
25 ℃，除非另有说明
10
0.4
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
I
D
= 2.7 A
0.3
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
0.2
0.1
1
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
0.4
50
导通电阻与栅极至源极电压
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250 A
0.2
功率（W）的
40
30
0.1
20
0.0
10
- 0.1
- 0.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
时间（s）
阈值电压
100
I
DM
有限
单脉冲功率
限于由R
DS （ ON）
*
10
I
D
- 漏电流（ A）
P（吨） = 0.001
1
I
D（上）
有限
T
A
= 25 °C
单脉冲
BVDSS有限公司
0.01
0.1
1
10
100
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
0.1
P（吨）= 1
P（吨） = 10
DC
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区
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文档编号： 72232
S10-0547 -REV 。 C， 08 -MAR- 10
Si5855DC
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MOSFET的典型特征
25 ℃，除非另有说明
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
4.表层嵌
10
100
600
方波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
方波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到脚
肖特基典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
10
I
R
- 反向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（ A）
10
1
T
J
= 150 °C
1
T
J
= 25 °C
0.1
20 V
10 V
0.01
0.001
0.0001
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
T
J
- 结温（ ° C）
V
F
- 正向压降（ V）
反向电流与结温
正向电压降
文档编号： 72232
S10-0547 -REV 。 C， 08 -MAR- 10
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