Si5855CDC
Vishay Siliconix公司
P通道20 - V（D -S）的MOSFET利用肖特基二极管
MOSFET产品概要
V
DS
(V)
- 20
R
DS （ ON）
(Ω)
0.144在V
GS
= - 4.5 V
0.180在V
GS
= - 2.5 V
0.222在V
GS
= - 1.8 V
I
D
(A)
a
- 3.7
- 3.3
- 3.0
4.1 NC
Q
g
（典型值）。
特点
LITTLE FOOT
PLUS
功率MOSFET
超低V
F
肖特基
应用
RoHS指令
柔顺
充电开关，用于便携式设备
- 内置式低V
F
海沟肖特基二极管
肖特基产品概要
V
KA
(V)
20
V
f
(V)
二极管的正向电压
0.375在1
I
F
(A)
a
1
1206-8 ChipFET
1
A
K
K
D
D
A
S
S
K
G
标识代码
G
JG
XXX
很多可追溯性
和日期代码
D
P沟道MOSFET
A
底部视图
产品编号
CODE
订货信息：
Si5855CDC -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源极电压（ MOSFET ）
反向电压（肖特基）
栅源电压（ MOSFET ）
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
符号
V
DS
V
KA
V
GS
极限
- 20
20
±8
- 3.7
a
- 3.0
- 2.5
B，C
- 2.0
B，C
- 10
- 2.3
a
- 1.1
B，C
1
7
2.8
1.8
1.3
B，C
0.8
B，C
3.1
2.0
1.9
1.2
- 55 150
260
单位
V
连续漏电流（T
J
= 150 ℃） （MOSFET）
I
D
漏电流脉冲（ MOSFET ）
连续源电流（ MOSFET二极管的导通）
平均正向电流（肖特基）
脉冲正向电流（肖特基）
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
D，E
I
DM
I
S
I
F
I
FM
A
最大功率耗散（ MOSFET ）
W
P
D
最大功率耗散（肖特基）
W
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
T
J
, T
英镑
°C
文档编号： 68910
S- 82299 -REV 。 A， 22 - 09月08
www.vishay.com
1
Si5855CDC
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结到环境（ MOSFET ）
B， C，F
最大结到脚（漏） （ MOSFET ）
最大结到环境（肖特基）
B，C ，G
最大结到脚（漏） （肖特基）
符号
R
thJA
R
thJF
R
thJA
R
thJF
典型
82
35
54
30
最大
99
45
65
40
° C / W
单位
注意事项：
一。基于T
C
= 25 °C.
B 。表面安装在FR4板。
C.吨
≤
5 s.
。见焊接温度曲线
（ http://www.vishay.com/doc?73257 ） 。
采用PowerPAK ChipFET是一种无引线封装。引线端子的端部是
暴露的铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能
保证不要求保证足够的底侧的焊料互连。返修条件：手工焊接用焊
铁，不建议无引线元件。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
F。在稳态条件下的MOSFET，最大为130 ° C / W 。
克。在稳态条件下的肖特基最大为115 ° C / W 。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
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2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 5
Ω
I
D
- 2 A，V
根
= - 5 V ，R
g
= 1
Ω
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 5
Ω
I
D
- 2 A，V
根
= - 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
F = 1 MHz的
1.1
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 5 V，I
D
= - 2.5 A
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 2.5 A
V
DS
= - 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
276
60
43
4.5
4.1
0.6
1.0
5.5
11
34
22
8
5
14
17
8
11
17
51
33
16
10
21
26
16
ns
Ω
6.8
6.2
nC
pF
V
DS
ΔV
DS / TJ
ΔV
GS （ TH） / TJ
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
I
D
= - 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 8 V
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≤
- 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 2.5 A
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 2.2 A
V
GS
= - 1.8 V，I
D
= - 2.0 A
V
DS
= - 10 V，I
D
= - 2.5 A
- 10
0.120
0.150
0.185
18
0.144
0.180
0.222
S
Ω
- 0.45
- 20
- 19
2
-1
± 100
-1
- 10
V
毫伏/°C的
V
ns
A
A
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
文档编号： 68910
S- 82299 -REV 。 A， 22 - 09月08
Si5855CDC
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= - 2 A的di / dt = 100 A / μs的TJ = 25°C
I
S
= - 2 A，V
GS
= 0 V
- 0.8
23
13
10
13
测试条件
T
C
= 25 °C
分钟。
典型值。
马克斯。
- 2.3
- 10
- 1.2
35
20
单位
漏源体二极管特性
A
V
ns
nC
ns
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
肖特基规格
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 1 A
I
F
= 1 A，T
J
= 125 °C
V
r
= 20 V
最大反向漏电流
结电容
I
rm
C
T
V
r
= 20 V ，T
J
= 85 °C
V
r
= 20 V ，T
J
= 125 °C
V
r
= 10 V
分钟。
典型值。
0.34
0.255
0.05
2
10
90
马克斯。
0.375
0.290
0.500
20
100
pF
mA
单位
V
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
10
V
GS
= 5通2.5
V
8
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
V
GS
= 2
V
6
1.5
2.0
1.0
T
C
= 25 °C
0.5
4
V
GS
= 1.5
V
2
V
GS
= 1
V
0
0
1
2
3
4
5
0.0
0.0
T
C
= 125 °C
T
C
= - 55 °C
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
传输特性
文档编号： 68910
S- 82299 -REV 。 A， 22 - 09月08
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3
Si5855CDC
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.30
540
0.25
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
- 电容（pF ）
V
GS
= - 1.8
V
0.20
V
GS
= - 2.5
V
0.15
450
360
C
国际空间站
270
0.10
V
GS
= - 4.5
V
180
C
OSS
C
RSS
0.05
90
0.00
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏极电流
5
I
D
= 2.5 A
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
4
V
DS
= 10
V
3
V
DS
= 16
V
R
DS （ ON）
- 导通电阻
1.3
（归一化）
1.5
电容
1.1
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 2.5 A
2
0.9
1
V
GS
= 2.5 V ;我
D
= 2.2 A
0
0
1
2
3
4
5
0.7
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
100
0.25
导通电阻与结温
I
D
= 2.5 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.20
T
J
= 125 °C
0.15
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 150 °C
1
T
J
= 25 °C
0.10
T
J
= 25 °C
0.05
0.1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
2
4
6
8
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
正向二极管电压与温度。
导通电阻与栅极至源极电压
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4
文档编号： 68910
S- 82299 -REV 。 A， 22 - 09月08
Si5855CDC
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.7
5
0.6
I
D
= 250
A
功率（W）的
- 25
0
25
50
75
100
125
150
V
GS （ TH）
(V)
0.5
4
3
0.4
2
0.3
1
0.2
- 50
0
0.001
0.01
0.1
时间（s）
1
10
100
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
100
单脉冲功率
10
I
D
- 漏电流（ A）
有限
by
R
DS （ ON）
*
100
s
1
1毫秒
10毫秒
0.1
T
A
= 25 °C
单脉冲
BVDSS有限公司
0.01
0.1
100毫秒
1 s, 10 s
DC
1
10
100
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
>最低
V
GS
at
哪
R
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
文档编号： 68910
S- 82299 -REV 。 A， 22 - 09月08
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5
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