Si5853DC
Vishay Siliconix公司
P沟道1.8 -V （G -S ） MOSFET和肖特基二极管
MOSFET产品概要
V
DS
(V)
--20
r
DS （ ON）
()
0.110 @ V
GS
= --4.5 V
0.160 @ V
GS
= --2.5 V
0.240 @ V
GS
= --1.8 V
I
D
(A)
--3.6
--3.0
--2.4
肖特基产品概要
V
KA
(V)
20
V
f
(v)
二极管的正向电压
0.48 V @ 0.5 A
I
F
(A)
1.0
S
K
1206-8 ChipFETt
1
A
K
K
D
D
A
S
G
G
标识代码
JA
XX
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
底部视图
D
P沟道MOSFET
A
订货信息：
Si5853DC-T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源极电压（ MOSFET和肖特基）
反向电压（肖特基）
栅源电压（ MOSFET ）
连续漏电流（T
J
= 150_C ） （MOSFET）
a
漏电流脉冲（ MOSFET ）
连续源电流（ MOSFET二极管的导通）
a
平均FOWARD电流（肖特基）
脉冲FOWARD电流（肖特基）
最大功率耗散（ MOSFET ）
a
最大功率耗散
（肖特基）
a
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
J
, T
英镑
P
D
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
KA
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
F
I
FM
5秒
--20
20
8
--3.6
--2.6
--10
--1.8
1.0
7
2.1
1.1
1.3
0.68
稳定状态
单位
V
8
--2.7
--1.9
--0.9
A
1.1
0.6
0.96
0.59
--55到150
260
_C
W
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
B，C
笔记
一。表面装在1 “×1 ” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为单片化的结果
工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料在互连
接口上。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71239
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
2-1
Si5853DC
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
t
≤
5秒
结到环境
a
J
TI T A双向吨
稳定状态
圣圣吨
设备
MOSFET
肖特基
MOSFET
肖特基
MOSFET
肖特基
符号
典型
50
77
最大
60
95
110
130
40
40
单位
R
thJA
90
110
° C / W
结到脚
结到脚
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
稳定状态
R
thJF
30
33
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= --250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
8
V
V
DS
= --16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= --16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
≤
--5 V, V
GS
= --4.5 V
V
GS
= --4.5 V，I
D
= --2.7 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= --2.5 V，I
D
= --2.2 A
V
GS
= --1.8 V，I
D
= --1 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= --10 V，I
D
= --2.7 A
I
S
= --0.9 A，V
GS
= 0 V
--10
0.095
0.137
0.205
7
--0.8
--1.2
0.110
0.160
0.240
S
V
--0.45
100
--1
--5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= --0.9 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= --10 V ，R
L
= 10
I
D
--1 A，V
根
= --4.5 V ，R
G
= 6
V
DS
= --10 V, V
GS
= --4.5 V，I
D
= --2.7 A
,
,
4.4
1.4
0.65
16
30
30
27
20
25
45
45
40
40
ns
6.5
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
肖特基规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 0.5 A
I
F
= 0.5 A，T
J
= 125_C
V
r
= 20 V
V
r
= 20 V ，T
J
= 85_C
V
r
= 20 V ，T
J
= 125_C
V
r
= 10 V
民
典型值
0.42
0.33
0.002
0.10
1.5
31
最大
0.48
0.4
0.100
1
10
单位
V
最大反向漏电流
g
结电容
www.vishay.com
I
rm
C
T
mA
pF
2-2
文档编号： 71239
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
Si5853DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 5通3 V
8
I
D
- 漏电流（ A）
2.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
8
10
T
C
= --55_C
25_C
MOSFET
传输特性
6
2V
4
6
125_C
4
2
1.5 V
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.6
V
GS
= 1.8 V
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.5
- 电容（pF ）
600
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
2
4
6
8
10
0
0
C
RSS
4
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
C
国际空间站
800
电容
400
200
C
OSS
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 2.7 A
4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 2.7 A
1.4
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
1
2
3
4
5
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
文档编号： 71239
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
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2-3
Si5853DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.4
MOSFET
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
I
D
= 2.7 A
0.3
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
0.2
T
J
= 25_C
0.1
1
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.2
0.1
0.0
--0.1
--0.2
--50
10
功率（W）的
30
50
单脉冲功率
40
20
--25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
时间（秒）
1
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
-
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
2-4
文档编号： 71239
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
Si5853DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
MOSFET
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
典型特征（ 25_C除非另有说明）
反向电流与结温
20
10
I
R
- 反向电流（mA ）
5
肖特基
正向电压降
I
F
- 正向电流（ A）
1
T
J
= 150_C
1
0.1
20 V
0.01
10 V
T
J
= 25_C
0.001
0.0001
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
150
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
- 正向压降（ V）
电容
C
T
- 结电容（pF ）
120
90
60
30
0
0
4
8
12
16
20
V
KA
- 反向电压（V
文档编号： 71239
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
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2-5
Si5853DC
Vishay Siliconix公司
P沟道1.8 -V （G -S ） MOSFET和肖特基二极管
MOSFET产品概要
V
DS
(V)
--20
r
DS （ ON）
()
0.110 @ V
GS
= --4.5 V
0.160 @ V
GS
= --2.5 V
0.240 @ V
GS
= --1.8 V
I
D
(A)
--3.6
--3.0
--2.4
肖特基产品概要
V
KA
(V)
20
V
f
(v)
二极管的正向电压
0.48 V @ 0.5 A
I
F
(A)
1.0
S
K
1206-8 ChipFETt
1
A
K
K
D
D
A
S
G
G
标识代码
JA
XX
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
底部视图
D
P沟道MOSFET
A
订货信息：
Si5853DC-T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源极电压（ MOSFET和肖特基）
反向电压（肖特基）
栅源电压（ MOSFET ）
连续漏电流（T
J
= 150_C ） （MOSFET）
a
漏电流脉冲（ MOSFET ）
连续源电流（ MOSFET二极管的导通）
a
平均FOWARD电流（肖特基）
脉冲FOWARD电流（肖特基）
最大功率耗散（ MOSFET ）
a
最大功率耗散
（肖特基）
a
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
J
, T
英镑
P
D
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
KA
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
F
I
FM
5秒
--20
20
8
--3.6
--2.6
--10
--1.8
1.0
7
2.1
1.1
1.3
0.68
稳定状态
单位
V
8
--2.7
--1.9
--0.9
A
1.1
0.6
0.96
0.59
--55到150
260
_C
W
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
B，C
笔记
一。表面装在1 “×1 ” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为单片化的结果
工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料在互连
接口上。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71239
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
2-1
Si5853DC
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
t
≤
5秒
结到环境
a
J
TI T A双向吨
稳定状态
圣圣吨
设备
MOSFET
肖特基
MOSFET
肖特基
MOSFET
肖特基
符号
典型
50
77
最大
60
95
110
130
40
40
单位
R
thJA
90
110
° C / W
结到脚
结到脚
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
稳定状态
R
thJF
30
33
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= --250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
8
V
V
DS
= --16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= --16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
≤
--5 V, V
GS
= --4.5 V
V
GS
= --4.5 V，I
D
= --2.7 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= --2.5 V，I
D
= --2.2 A
V
GS
= --1.8 V，I
D
= --1 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= --10 V，I
D
= --2.7 A
I
S
= --0.9 A，V
GS
= 0 V
--10
0.095
0.137
0.205
7
--0.8
--1.2
0.110
0.160
0.240
S
V
--0.45
100
--1
--5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= --0.9 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= --10 V ，R
L
= 10
I
D
--1 A，V
根
= --4.5 V ，R
G
= 6
V
DS
= --10 V, V
GS
= --4.5 V，I
D
= --2.7 A
,
,
4.4
1.4
0.65
16
30
30
27
20
25
45
45
40
40
ns
6.5
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
肖特基规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 0.5 A
I
F
= 0.5 A，T
J
= 125_C
V
r
= 20 V
V
r
= 20 V ，T
J
= 85_C
V
r
= 20 V ，T
J
= 125_C
V
r
= 10 V
民
典型值
0.42
0.33
0.002
0.10
1.5
31
最大
0.48
0.4
0.100
1
10
单位
V
最大反向漏电流
g
结电容
www.vishay.com
I
rm
C
T
mA
pF
2-2
文档编号： 71239
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
Si5853DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 5通3 V
8
I
D
- 漏电流（ A）
2.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
8
10
T
C
= --55_C
25_C
MOSFET
传输特性
6
2V
4
6
125_C
4
2
1.5 V
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.6
V
GS
= 1.8 V
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.5
- 电容（pF ）
600
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
2
4
6
8
10
0
0
C
RSS
4
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
C
国际空间站
800
电容
400
200
C
OSS
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 2.7 A
4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 2.7 A
1.4
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
1
2
3
4
5
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
文档编号： 71239
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
2-3
Si5853DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.4
MOSFET
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
I
D
= 2.7 A
0.3
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
0.2
T
J
= 25_C
0.1
1
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.2
0.1
0.0
--0.1
--0.2
--50
10
功率（W）的
30
50
单脉冲功率
40
20
--25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
时间（秒）
1
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
-
4.表层嵌
10
100
600
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2-4
文档编号： 71239
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
Si5853DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
MOSFET
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
典型特征（ 25_C除非另有说明）
反向电流与结温
20
10
I
R
- 反向电流（mA ）
5
肖特基
正向电压降
I
F
- 正向电流（ A）
1
T
J
= 150_C
1
0.1
20 V
0.01
10 V
T
J
= 25_C
0.001
0.0001
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
150
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
- 正向压降（ V）
电容
C
T
- 结电容（pF ）
120
90
60
30
0
0
4
8
12
16
20
V
KA
- 反向电压（V
文档编号： 71239
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2-5
Si5853DC
Vishay Siliconix公司
P沟道1.8 -V （G -S ） MOSFET和肖特基二极管
MOSFET产品概要
V
DS
(V)
--20
r
DS （ ON）
()
0.110 @ V
GS
= --4.5 V
0.160 @ V
GS
= --2.5 V
0.240 @ V
GS
= --1.8 V
I
D
(A)
--3.6
--3.0
--2.4
肖特基产品概要
V
KA
(V)
20
V
f
(v)
二极管的正向电压
0.48 V @ 0.5 A
I
F
(A)
1.0
S
K
1206-8 ChipFETt
1
A
K
K
D
D
A
S
G
G
标识代码
JA
XX
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
底部视图
D
P沟道MOSFET
A
订货信息：
Si5853DC-T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源极电压（ MOSFET和肖特基）
反向电压（肖特基）
栅源电压（ MOSFET ）
连续漏电流（T
J
= 150_C ） （MOSFET）
a
漏电流脉冲（ MOSFET ）
连续源电流（ MOSFET二极管的导通）
a
平均FOWARD电流（肖特基）
脉冲FOWARD电流（肖特基）
最大功率耗散（ MOSFET ）
a
最大功率耗散
（肖特基）
a
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
J
, T
英镑
P
D
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
KA
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
F
I
FM
5秒
--20
20
8
--3.6
--2.6
--10
--1.8
1.0
7
2.1
1.1
1.3
0.68
稳定状态
单位
V
8
--2.7
--1.9
--0.9
A
1.1
0.6
0.96
0.59
--55到150
260
_C
W
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
B，C
笔记
一。表面装在1 “×1 ” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为单片化的结果
工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料在互连
接口上。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
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Si5853DC
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
t
≤
5秒
结到环境
a
J
TI T A双向吨
稳定状态
圣圣吨
设备
MOSFET
肖特基
MOSFET
肖特基
MOSFET
肖特基
符号
典型
50
77
最大
60
95
110
130
40
40
单位
R
thJA
90
110
° C / W
结到脚
结到脚
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
稳定状态
R
thJF
30
33
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= --250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
8
V
V
DS
= --16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= --16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
≤
--5 V, V
GS
= --4.5 V
V
GS
= --4.5 V，I
D
= --2.7 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= --2.5 V，I
D
= --2.2 A
V
GS
= --1.8 V，I
D
= --1 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= --10 V，I
D
= --2.7 A
I
S
= --0.9 A，V
GS
= 0 V
--10
0.095
0.137
0.205
7
--0.8
--1.2
0.110
0.160
0.240
S
V
--0.45
100
--1
--5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= --0.9 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= --10 V ，R
L
= 10
I
D
--1 A，V
根
= --4.5 V ，R
G
= 6
V
DS
= --10 V, V
GS
= --4.5 V，I
D
= --2.7 A
,
,
4.4
1.4
0.65
16
30
30
27
20
25
45
45
40
40
ns
6.5
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
肖特基规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 0.5 A
I
F
= 0.5 A，T
J
= 125_C
V
r
= 20 V
V
r
= 20 V ，T
J
= 85_C
V
r
= 20 V ，T
J
= 125_C
V
r
= 10 V
民
典型值
0.42
0.33
0.002
0.10
1.5
31
最大
0.48
0.4
0.100
1
10
单位
V
最大反向漏电流
g
结电容
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I
rm
C
T
mA
pF
2-2
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S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
Si5853DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 5通3 V
8
I
D
- 漏电流（ A）
2.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
8
10
T
C
= --55_C
25_C
MOSFET
传输特性
6
2V
4
6
125_C
4
2
1.5 V
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.6
V
GS
= 1.8 V
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.5
- 电容（pF ）
600
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
2
4
6
8
10
0
0
C
RSS
4
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
C
国际空间站
800
电容
400
200
C
OSS
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 2.7 A
4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 2.7 A
1.4
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
1
2
3
4
5
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
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Si5853DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.4
MOSFET
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
I
D
= 2.7 A
0.3
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
0.2
T
J
= 25_C
0.1
1
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.2
0.1
0.0
--0.1
--0.2
--50
10
功率（W）的
30
50
单脉冲功率
40
20
--25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
时间（秒）
1
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
-
4.表层嵌
10
100
600
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2-4
文档编号： 71239
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
Si5853DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
MOSFET
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
典型特征（ 25_C除非另有说明）
反向电流与结温
20
10
I
R
- 反向电流（mA ）
5
肖特基
正向电压降
I
F
- 正向电流（ A）
1
T
J
= 150_C
1
0.1
20 V
0.01
10 V
T
J
= 25_C
0.001
0.0001
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
150
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
- 正向压降（ V）
电容
C
T
- 结电容（pF ）
120
90
60
30
0
0
4
8
12
16
20
V
KA
- 反向电压（V
文档编号： 71239
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