Si5513DC
Vishay Siliconix公司
补充20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
N沟道
P沟道
P沟道
20
20
20
r
DS （ ON）
(W)
0.075 @ V
GS
= 4.5 V
0.134 @ V
GS
= 2.5 V
0.155 @ V
GS
=
4.5
V
0.260 @ V
GS
=
2.5
V
I
D
(A)
4.2
3.1
2.9
2.2
Q
g
（典型值）
4
3
1206-8 ChipFETr
1
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
S
2
G
2
D
1
S
2
G
2
G
1
标识代码
EB XX
很多可追溯性
和日期代码
S
1
N沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
底部视图
零件编号代码
订货信息：
Si5513DC-T1
Si5513DC -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
N沟道
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
P沟道
5秒
稳定状态
20
"12
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
20
单位
V
4.2
3.0
10
1.8
2.1
1.1
3.1
2.2
0.9
1.1
0.6
55
150
260
2.9
2.1
10
1.8
2.1
1.1
2.1
1.5
0.9
1.1
0.6
W
_C
A
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
50
90
30
最大
60
110
40
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为单片化的结果
工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料在互连
接口上。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71186
S- 42138 -REV 。男， 15 - NOV- 04
www.vishay.com
1
Si5513DC
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
=
20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
导通状态
在国家漏极电流
a
I
D( )
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
p
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.1 A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
2.1
A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 2.3 A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
1.7
A
正向跨导
a
g
f
fs
V
SD
V
DS
= 10 V，I
D
= 3.1 A
V
DS
=
10
V，I
D
=
2.1
A
I
S
= 0.9 A，V
GS
= 0 V
I
S
=
0.9
A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
10
10
0.065
0.130
0.115
0.215
8
5
0.8
0.8
1.2
1.2
0.075
0.155
0.134
0.260
S
W
0.6
0.6
1.5
1.5
"100
"100
1
1
5
5
A
mA
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
门体
门体漏
I
GSS
nA
二极管的正向电压
a
V
动态
b
总栅极电荷
Q
g
N沟道
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.1 A
P沟道
V
DS
=
10
V V
GS
=
4.5
V I
D
=
2.1
A
10 V,
4 5 V,
21
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 6
W
P沟道
P沟道
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
10 V
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
I
F
= 0.9 A， di / dt的= 100 A / MS
I
F
=
0.9
A， di / dt的= 100 A / MS
N沟道
P沟道
4
3
0.6
0.9
1.3
0.6
12
13
35
35
19
25
9
25
40
40
18
20
55
55
30
40
15
40
80
80
ns
6
6
nC
栅极 - 源
门源电荷
Q
gs
Q
gd
d
t
d( )
D（上）
t
r
t
D（ FF）
D（关闭）
t
f
t
rr
栅极 - 漏极
闸漏极电荷
开启
打开延迟时间
上升时间
打开-O FF
关闭延迟时间
下降时间
源极 - 漏极
反向恢复时间
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%,
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
www.vishay.com
文档编号： 71186
S- 42138 -REV 。男， 15 - NOV- 04
2
Si5513DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 5通3 V
8
I
D
漏电流（ A）
2.5 V
I
D
漏电流（ A）
8
10
T
C
=
55_C
25_C
N沟道
传输特性
6
6
125_C
4
2V
2
1.5 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
4
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
0.30
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
0
导通电阻与漏电流
600
500
C
电容（pF）
400
300
200
100
0
C
RSS
0
4
C
OSS
C
国际空间站
电容
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
2
4
6
8
10
8
12
16
20
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 3.1 A
4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3.1 A
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
1
2
3
4
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
文档编号： 71186
S- 42138 -REV 。男， 15 - NOV- 04
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3
Si5513DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.20
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
I
S
源电流（ A）
0.15
I
D
= 3.1 A
0.10
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
0.05
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
50
单脉冲功率
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
40
I
D
= 250
mA
功率（W）的
30
0.0
0.2
20
0.4
10
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
4
10
3
10
2
10
1
时间（秒）
1
10
100
600
T
J
温度（℃）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
1000
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 71186
S- 42138 -REV 。男， 15 - NOV- 04
Si5513DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
N沟道
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 5通4 V
8
I
D
漏电流（ A）
3.5 V
10
P- CHANNEL
传输特性
T
C
=
55_C
3V
I
D
漏电流（ A）
8
25_C
6
2.5 V
4
2V
2
1.5 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
6
125_C
4
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
漏极至源极电压（ V）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.4
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
600
500
C
电容（pF）
C
国际空间站
400
300
200
100
0.0
0
2
4
6
8
10
I
D
漏电流（ A）
文档编号： 71186
S- 42138 -REV 。男， 15 - NOV- 04
0
0
C
RSS
4
C
OSS
电容
V
GS
= 2.5 V
0.3
0.2
V
GS
= 3.6 V
0.1
V
GS
= 4.5 V
8
12
16
20
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
5
Si5513DC
Vishay Siliconix公司
补充20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
N沟道
P沟道
P沟道
20
20
20
r
DS （ ON）
(W)
0.075 @ V
GS
= 4.5 V
0.134 @ V
GS
= 2.5 V
0.155 @ V
GS
=
4.5
V
0.260 @ V
GS
=
2.5
V
I
D
(A)
4.2
3.1
2.9
2.2
Q
g
（典型值）
4
3
1206-8 ChipFETr
1
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
S
2
G
2
D
1
S
2
G
2
G
1
标识代码
EB XX
很多可追溯性
和日期代码
S
1
N沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
底部视图
零件编号代码
订货信息：
Si5513DC-T1
Si5513DC -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
N沟道
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
P沟道
5秒
稳定状态
20
"12
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
20
单位
V
4.2
3.0
10
1.8
2.1
1.1
3.1
2.2
0.9
1.1
0.6
55
150
260
2.9
2.1
10
1.8
2.1
1.1
2.1
1.5
0.9
1.1
0.6
W
_C
A
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
50
90
30
最大
60
110
40
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为单片化的结果
工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料在互连
接口上。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71186
S- 42138 -REV 。男， 15 - NOV- 04
www.vishay.com
1
Si5513DC
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
=
20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
导通状态
在国家漏极电流
a
I
D( )
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
p
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.1 A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
2.1
A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 2.3 A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
1.7
A
正向跨导
a
g
f
fs
V
SD
V
DS
= 10 V，I
D
= 3.1 A
V
DS
=
10
V，I
D
=
2.1
A
I
S
= 0.9 A，V
GS
= 0 V
I
S
=
0.9
A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
10
10
0.065
0.130
0.115
0.215
8
5
0.8
0.8
1.2
1.2
0.075
0.155
0.134
0.260
S
W
0.6
0.6
1.5
1.5
"100
"100
1
1
5
5
A
mA
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
门体
门体漏
I
GSS
nA
二极管的正向电压
a
V
动态
b
总栅极电荷
Q
g
N沟道
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.1 A
P沟道
V
DS
=
10
V V
GS
=
4.5
V I
D
=
2.1
A
10 V,
4 5 V,
21
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 6
W
P沟道
P沟道
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
10 V
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
I
F
= 0.9 A， di / dt的= 100 A / MS
I
F
=
0.9
A， di / dt的= 100 A / MS
N沟道
P沟道
4
3
0.6
0.9
1.3
0.6
12
13
35
35
19
25
9
25
40
40
18
20
55
55
30
40
15
40
80
80
ns
6
6
nC
栅极 - 源
门源电荷
Q
gs
Q
gd
d
t
d( )
D（上）
t
r
t
D（ FF）
D（关闭）
t
f
t
rr
栅极 - 漏极
闸漏极电荷
开启
打开延迟时间
上升时间
打开-O FF
关闭延迟时间
下降时间
源极 - 漏极
反向恢复时间
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%,
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
www.vishay.com
文档编号： 71186
S- 42138 -REV 。男， 15 - NOV- 04
2
Si5513DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 5通3 V
8
I
D
漏电流（ A）
2.5 V
I
D
漏电流（ A）
8
10
T
C
=
55_C
25_C
N沟道
传输特性
6
6
125_C
4
2V
2
1.5 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
4
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
0.30
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
0
导通电阻与漏电流
600
500
C
电容（pF）
400
300
200
100
0
C
RSS
0
4
C
OSS
C
国际空间站
电容
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
2
4
6
8
10
8
12
16
20
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 3.1 A
4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3.1 A
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
1
2
3
4
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
文档编号： 71186
S- 42138 -REV 。男， 15 - NOV- 04
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3
Si5513DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.20
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
I
S
源电流（ A）
0.15
I
D
= 3.1 A
0.10
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
0.05
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
50
单脉冲功率
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
40
I
D
= 250
mA
功率（W）的
30
0.0
0.2
20
0.4
10
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
4
10
3
10
2
10
1
时间（秒）
1
10
100
600
T
J
温度（℃）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
1000
10
100
600
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4
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S- 42138 -REV 。男， 15 - NOV- 04
Si5513DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
N沟道
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 5通4 V
8
I
D
漏电流（ A）
3.5 V
10
P- CHANNEL
传输特性
T
C
=
55_C
3V
I
D
漏电流（ A）
8
25_C
6
2.5 V
4
2V
2
1.5 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
6
125_C
4
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
漏极至源极电压（ V）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.4
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
600
500
C
电容（pF）
C
国际空间站
400
300
200
100
0.0
0
2
4
6
8
10
I
D
漏电流（ A）
文档编号： 71186
S- 42138 -REV 。男， 15 - NOV- 04
0
0
C
RSS
4
C
OSS
电容
V
GS
= 2.5 V
0.3
0.2
V
GS
= 3.6 V
0.1
V
GS
= 4.5 V
8
12
16
20
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
5
Si5513DC
Vishay Siliconix公司
补充20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
N沟道
P沟道
P沟道
20
20
20
r
DS （ ON）
(W)
0.075 @ V
GS
= 4.5 V
0.134 @ V
GS
= 2.5 V
0.155 @ V
GS
=
4.5
V
0.260 @ V
GS
=
2.5
V
I
D
(A)
4.2
3.1
2.9
2.2
Q
g
（典型值）
4
3
1206-8 ChipFETr
1
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
S
2
G
2
D
1
S
2
G
2
G
1
标识代码
EB XX
很多可追溯性
和日期代码
S
1
N沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
底部视图
零件编号代码
订货信息：
Si5513DC-T1
Si5513DC -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
N沟道
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
P沟道
5秒
稳定状态
20
"12
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
20
单位
V
4.2
3.0
10
1.8
2.1
1.1
3.1
2.2
0.9
1.1
0.6
55
150
260
2.9
2.1
10
1.8
2.1
1.1
2.1
1.5
0.9
1.1
0.6
W
_C
A
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
50
90
30
最大
60
110
40
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为单片化的结果
工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料在互连
接口上。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
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S- 42138 -REV 。男， 15 - NOV- 04
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1
Si5513DC
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
=
20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
导通状态
在国家漏极电流
a
I
D( )
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
p
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.1 A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
2.1
A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 2.3 A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
1.7
A
正向跨导
a
g
f
fs
V
SD
V
DS
= 10 V，I
D
= 3.1 A
V
DS
=
10
V，I
D
=
2.1
A
I
S
= 0.9 A，V
GS
= 0 V
I
S
=
0.9
A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
10
10
0.065
0.130
0.115
0.215
8
5
0.8
0.8
1.2
1.2
0.075
0.155
0.134
0.260
S
W
0.6
0.6
1.5
1.5
"100
"100
1
1
5
5
A
mA
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
门体
门体漏
I
GSS
nA
二极管的正向电压
a
V
动态
b
总栅极电荷
Q
g
N沟道
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.1 A
P沟道
V
DS
=
10
V V
GS
=
4.5
V I
D
=
2.1
A
10 V,
4 5 V,
21
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 6
W
P沟道
P沟道
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
10 V
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
I
F
= 0.9 A， di / dt的= 100 A / MS
I
F
=
0.9
A， di / dt的= 100 A / MS
N沟道
P沟道
4
3
0.6
0.9
1.3
0.6
12
13
35
35
19
25
9
25
40
40
18
20
55
55
30
40
15
40
80
80
ns
6
6
nC
栅极 - 源
门源电荷
Q
gs
Q
gd
d
t
d( )
D（上）
t
r
t
D（ FF）
D（关闭）
t
f
t
rr
栅极 - 漏极
闸漏极电荷
开启
打开延迟时间
上升时间
打开-O FF
关闭延迟时间
下降时间
源极 - 漏极
反向恢复时间
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%,
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
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2
Si5513DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 5通3 V
8
I
D
漏电流（ A）
2.5 V
I
D
漏电流（ A）
8
10
T
C
=
55_C
25_C
N沟道
传输特性
6
6
125_C
4
2V
2
1.5 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
4
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
0.30
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
0
导通电阻与漏电流
600
500
C
电容（pF）
400
300
200
100
0
C
RSS
0
4
C
OSS
C
国际空间站
电容
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
2
4
6
8
10
8
12
16
20
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 3.1 A
4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3.1 A
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
1
2
3
4
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
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3
Si5513DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.20
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
I
S
源电流（ A）
0.15
I
D
= 3.1 A
0.10
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
0.05
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
50
单脉冲功率
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
40
I
D
= 250
mA
功率（W）的
30
0.0
0.2
20
0.4
10
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
4
10
3
10
2
10
1
时间（秒）
1
10
100
600
T
J
温度（℃）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
1000
10
100
600
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4
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Si5513DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
N沟道
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 5通4 V
8
I
D
漏电流（ A）
3.5 V
10
P- CHANNEL
传输特性
T
C
=
55_C
3V
I
D
漏电流（ A）
8
25_C
6
2.5 V
4
2V
2
1.5 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
6
125_C
4
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
漏极至源极电压（ V）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.4
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
600
500
C
电容（pF）
C
国际空间站
400
300
200
100
0.0
0
2
4
6
8
10
I
D
漏电流（ A）
文档编号： 71186
S- 42138 -REV 。男， 15 - NOV- 04
0
0
C
RSS
4
C
OSS
电容
V
GS
= 2.5 V
0.3
0.2
V
GS
= 3.6 V
0.1
V
GS
= 4.5 V
8
12
16
20
V
DS
漏极至源极电压（ V）
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