Si5475DC
Vishay Siliconix公司
P通道12 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
()
0.031 @ V
GS
= --4.5 V
--12
0.041 @ V
GS
= --2.5 V
0.054 @ V
GS
= --1.8 V
I
D
(A)
--7.6
--6.6
--5.8
S
1206-8 ChipFETt
1
D
D
D
D
S
D
D
G
G
标识代码
BF XX
很多可追溯性
和日期代码
D
P沟道MOSFET
底部视图
产品编号
CODE
订货信息：
Si5475DC-T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
--12
8
单位
V
--7.6
--3.5
20
--2.1
2.5
1.3
--55到150
260
--5.5
--3.9
--1.1
1.3
0.7
W
A
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
≤
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
40
80
15
最大
50
95
20
单位
° C / W
C/
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为singula-的结果
化工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料间
连接。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71324
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
1
Si5475DC
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 我毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
8
V
V
DS
= --9.6 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= --9.6 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
--5
V, V
GS
= --4.5 V
V
GS
= --4.5 V，I
D
= --5.5 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= --2.5 V，I
D
= --4.8 A
V
GS
= --1.8 V，I
D
= --2 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= --5 V，I
D
= --5.2 A
I
S
= --1.1 A，V
GS
= 0 V
--20
0.027
0.035
0.045
19
--0.7
--1.2
0.031
0.041
0.054
S
V
--0.45
100
--1
--5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= --1.1 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= --6 V ，R
L
= 6
I
D
--1 A，V
根
= --4.5 V ，R
G
= 6
V
DS
= --6 V, V
GS
= --4.5 V，I
D
= --5.5 A
19
3.9
3.6
15
20
122
80
40
25
30
180
120
60
ns
29
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
20
V
GS
= 5通2.5 V
2V
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
15
16
传输特性
T
C
= --55_C
25_C
125_C
12
10
8
5
1V
0
0
1
2
3
1.5 V
4
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71324
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
2
Si5475DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
3000
2500
V
GS
= 1.8 V
0.06
V
GS
= 2.5 V
- 电容（pF ）
2000
1500
1000
500
C
RSS
0.00
0
5
10
I
D
- 漏电流（ A）
15
20
0
0
2
4
6
8
10
12
C
OSS
C
国际空间站
电容
0.08
0.04
0.02
V
GS
= 4.5 V
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 6 V
I
D
= 5.5 A
4
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
--50
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5.5 A
3
2
1
0
0
5
10
15
20
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
--25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.08
0.06
I
D
= 5.5 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71324
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
3
Si5475DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.30
0.25
0.20
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.15
0.10
0.05
--0.00
--0.05
--0.10
--0.15
--50
0
10
--3
10
功率（W）的
40
I
D
= 1
m
A
30
50
单脉冲功率
20
--25
0
25
50
75
100
125
150
10
--2
10
--1
1
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 80 ° C / W
3. T
JM
-- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
4
文档编号： 71324
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
Si5475DC
Vishay Siliconix公司
P通道12 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
()
0.031 @ V
GS
= --4.5 V
--12
0.041 @ V
GS
= --2.5 V
0.054 @ V
GS
= --1.8 V
I
D
(A)
--7.6
--6.6
--5.8
S
1206-8 ChipFETt
1
D
D
D
D
S
D
D
G
G
标识代码
BF XX
很多可追溯性
和日期代码
D
P沟道MOSFET
底部视图
产品编号
CODE
订货信息：
Si5475DC-T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
--12
8
单位
V
--7.6
--3.5
20
--2.1
2.5
1.3
--55到150
260
--5.5
--3.9
--1.1
1.3
0.7
W
A
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
≤
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
40
80
15
最大
50
95
20
单位
° C / W
C/
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为singula-的结果
化工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料间
连接。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71324
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
1
Si5475DC
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 我毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
8
V
V
DS
= --9.6 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= --9.6 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
--5
V, V
GS
= --4.5 V
V
GS
= --4.5 V，I
D
= --5.5 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= --2.5 V，I
D
= --4.8 A
V
GS
= --1.8 V，I
D
= --2 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= --5 V，I
D
= --5.2 A
I
S
= --1.1 A，V
GS
= 0 V
--20
0.027
0.035
0.045
19
--0.7
--1.2
0.031
0.041
0.054
S
V
--0.45
100
--1
--5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= --1.1 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= --6 V ，R
L
= 6
I
D
--1 A，V
根
= --4.5 V ，R
G
= 6
V
DS
= --6 V, V
GS
= --4.5 V，I
D
= --5.5 A
19
3.9
3.6
15
20
122
80
40
25
30
180
120
60
ns
29
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
20
V
GS
= 5通2.5 V
2V
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
15
16
传输特性
T
C
= --55_C
25_C
125_C
12
10
8
5
1V
0
0
1
2
3
1.5 V
4
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71324
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
2
Si5475DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
3000
2500
V
GS
= 1.8 V
0.06
V
GS
= 2.5 V
- 电容（pF ）
2000
1500
1000
500
C
RSS
0.00
0
5
10
I
D
- 漏电流（ A）
15
20
0
0
2
4
6
8
10
12
C
OSS
C
国际空间站
电容
0.08
0.04
0.02
V
GS
= 4.5 V
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 6 V
I
D
= 5.5 A
4
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
--50
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5.5 A
3
2
1
0
0
5
10
15
20
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
--25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.08
0.06
I
D
= 5.5 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71324
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
3
Si5475DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.30
0.25
0.20
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.15
0.10
0.05
--0.00
--0.05
--0.10
--0.15
--50
0
10
--3
10
功率（W）的
40
I
D
= 1
m
A
30
50
单脉冲功率
20
--25
0
25
50
75
100
125
150
10
--2
10
--1
1
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 80 ° C / W
3. T
JM
-- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
4
文档编号： 71324
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
Si5475DC
Vishay Siliconix公司
P通道12 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
()
0.031 @ V
GS
= --4.5 V
--12
0.041 @ V
GS
= --2.5 V
0.054 @ V
GS
= --1.8 V
I
D
(A)
--7.6
--6.6
--5.8
S
1206-8 ChipFETt
1
D
D
D
D
S
D
D
G
G
标识代码
BF XX
很多可追溯性
和日期代码
D
P沟道MOSFET
底部视图
产品编号
CODE
订货信息：
Si5475DC-T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
--12
8
单位
V
--7.6
--3.5
20
--2.1
2.5
1.3
--55到150
260
--5.5
--3.9
--1.1
1.3
0.7
W
A
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
≤
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
40
80
15
最大
50
95
20
单位
° C / W
C/
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为singula-的结果
化工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料间
连接。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71324
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
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1
Si5475DC
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 我毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
8
V
V
DS
= --9.6 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= --9.6 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
--5
V, V
GS
= --4.5 V
V
GS
= --4.5 V，I
D
= --5.5 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= --2.5 V，I
D
= --4.8 A
V
GS
= --1.8 V，I
D
= --2 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= --5 V，I
D
= --5.2 A
I
S
= --1.1 A，V
GS
= 0 V
--20
0.027
0.035
0.045
19
--0.7
--1.2
0.031
0.041
0.054
S
V
--0.45
100
--1
--5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= --1.1 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= --6 V ，R
L
= 6
I
D
--1 A，V
根
= --4.5 V ，R
G
= 6
V
DS
= --6 V, V
GS
= --4.5 V，I
D
= --5.5 A
19
3.9
3.6
15
20
122
80
40
25
30
180
120
60
ns
29
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
20
V
GS
= 5通2.5 V
2V
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
15
16
传输特性
T
C
= --55_C
25_C
125_C
12
10
8
5
1V
0
0
1
2
3
1.5 V
4
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71324
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2
Si5475DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
3000
2500
V
GS
= 1.8 V
0.06
V
GS
= 2.5 V
- 电容（pF ）
2000
1500
1000
500
C
RSS
0.00
0
5
10
I
D
- 漏电流（ A）
15
20
0
0
2
4
6
8
10
12
C
OSS
C
国际空间站
电容
0.08
0.04
0.02
V
GS
= 4.5 V
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 6 V
I
D
= 5.5 A
4
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
--50
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5.5 A
3
2
1
0
0
5
10
15
20
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
--25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.08
0.06
I
D
= 5.5 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71324
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
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3
Si5475DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.30
0.25
0.20
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.15
0.10
0.05
--0.00
--0.05
--0.10
--0.15
--50
0
10
--3
10
功率（W）的
40
I
D
= 1
m
A
30
50
单脉冲功率
20
--25
0
25
50
75
100
125
150
10
--2
10
--1
1
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 80 ° C / W
3. T
JM
-- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
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文档编号： 71324
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TPS75003-EP
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–
2006年12月
–
修订2011年3月
三供应电源管理IC用于为FPGA和DSP
检查样品：
TPS75003-EP
1
特点
两个效率高达95％ ， 3 -A降压控制器和
一个300毫安LDO
测试和供电赞同赛灵思
斯巴达 -3 ，的Spartan- 3E和Spartan -3L
FPGA的
可调节（ 1.2 V至6.5 V的雄鹿队， 1 V至6.5
V为LDO ）上的所有通道输出电压
输入电压范围： 2.2 V至6.5 V
独立软启动每个电源
独立的使能各供应
灵活的排序
LDO稳定与2.2 μF陶瓷输出
Capicitor
小型，薄型4.5毫米× 3.5毫米× 0.9毫米
QFN封装
应用
FPGA / DSP / ASIC供应
机顶盒
DSL调制解调器
等离子电视显示面板
2
描述
该TPS75003是一个完整的电源管理
为FPGA ， DSP和其他多电源解决方案
应用程序。该设备已经过测试和
满足所有的赛灵思Spartan -3 ，的Spartan- 3E和
的Spartan- 3L的启动配置文件的要求，其中包括
单调的电压斜坡和最小电压轨
上升时间。独立的使能为每个输出允许
测序，以尽量减少对电源的需求
在启动。每个供应限制浪涌的软启动
在启动过程中的电流。两个集成的降压
控制器允许高效率，高性价比的电压
转换为低和高的电流供给
如内核和I / O 。一个300毫安LDO集成到
提供一个辅助导轨例如V
CCAUX
关于赛灵思
Spartan-3系列FPGA 。所有三个电源电压
在对最大用户可编程选项提供
灵活性。
该TPS75003是从完全指定
–55°C
to
+ 125 ℃，采用QFN封装提供，产生了
高度紧凑的整体解决方案尺寸高功率
散热能力。
支持国防，航天，
和医疗应用
(1)
控制基线
一个封装/测试网站
一个网站制作
提供军用（ -55°C / 125°C ）
温度范围
(1)
延长产品生命周期
扩展产品更改通知
产品可追溯性
额外的温度范围内工作 - 联系工厂
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
斯巴达是Xilinx ， Inc.的商标。
版权
2006-2011年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TPS75003-EP
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2006年12月
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修订2011年3月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
产品
TPS75003MRHLREP
(1)
V
OUT
BUCK1 ：可调
BUCK2 ：可调
LDO ：可调
对于最近的规格和包装的信息，请参阅封装选项附录位于本文档末尾或
看到德州仪器的网站
www.ti.com 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
TPS75003
V
INX
范围（ IN1，IN2 ，IN3 ）
V
ENX
范围（ EN1 ， EN2 ， EN3 ）
V
SWX
范围（SW1 ，SW2，SW3 ）
V
ISX
范围（ IS1 ， IS2 ， IS3 ）
V
OUT3
范围
V
SSX
范围（ SS1，SS2 ， SS3 ）
V
FBX
范围（ FB1 ， FB2 ， FB3 ）
峰值LDO输出电流（I
OUT3
)
连续总功率耗散
结温范围，T
J
存储温度范围
ESD额定值， HBM
ESD额定值，清洁发展机制
(1)
-0.3到+7
-0.3到V
INX
+ 0.3
-0.3到V
INX
+ 0.3
-0.3到V
INX
+ 0.3
-0.3到+7
-0.3到V
INX
+ 0.3
-0.3到+3.3
内部限制
见热信息表
-55到+150
-65到+150
1
500
单位
V
V
V
V
V
V
V
—
—
°C
°C
kV
V
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只和功能在这些或超出下电气特性标明的任何其他条件，装置的操作
是不是暗示。长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
2
产品文件夹链接（ S） ：
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版权
2006-2011年，德州仪器
TPS75003-EP
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–
2006年12月
–
修订2011年3月
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电气特性
V
EN1
= V
IN1
, V
EN2
= V
IN2
, V
EN3
= V
IN3
, V
IN1
= V
IN2
= 2.2 V, V
IN3
= 3 V, V
OUT3
= 2.5V ，C
OUT1
= C
OUT2
= 47
μF,
C
OUT3
= 2.2
μF,
T
A
= -55 ° C至125°C ，除非另有说明。典型值是在T
A
= 25°C.
参数
供应和逻辑
V
INX
I
Q
I
SHDN
V
IH1 ， 2
V
IH3
V
ILX
I
ENX
输入电压范围（IN1 ，IN2
IN3)
(1)
静态电流，I
Q
= I
DGND
+
I
AGND
关断电源电流
启用高，使
（ EN1 ， EN2 ）
启用高，使能（ EN3 ）
启用低，停机
（ EN1 ， EN2 ， EN3 ）
使能引脚电流（ EN1 ， EN2 ，
EN3)
可调输出电压范围
(2)
反馈电压（ FB1 ， FB2 ）
反馈电压准确度
（ FB1 ， FB2 ）
I
FB1,2
V
IS1,2
I
IS1,2
ΔV
OUT ％
/ΔV
IN
ΔV
OUT ％
/ΔI
OUT
n
1,2
t
STR1,2
目前进入FB1 ， FB2引脚
参考电压电流
SENSE
目前进入IS1 ， IS2引脚
线路调整
(1)
负载调整率
效率
(3)
启动时间
(3)
测量电路中
图2中，
V
OUT
+ 0.5 V
≤
V
IN
≤
6.5 V
测量电路中
图2中，
30毫安
≤
I
OUT
≤
2 A
测量电路中
图2中，
I
OUT
= 1 A
测量电路中
图2中，
R
L
= 6
,
C
OUT
= 100
μF,
C
SS
= 2.2
nF
T
A
= 25°C
T
A
=全系列
80
75
(1)
条件
民
典型值
最大
单位
2.2
I
OUT1
= I
OUT2
= I
OUT3
= 0毫安
V
EN1
= V
EN2
= V
EN3
= 0 V
T
A
= 25°C
T
A
=全系列
T
A
= 25°C
T
A
=全系列
1.4
1.45
1.14
1.2
0
0.01
75
0.05
6.5
150
3
V
μA
μA
V
V
0.3
0.5
V
μA
降压控制器1和2中
V
OUT1,2
V
FB1,2
V
FBX
1.22
±2%
0.01
100
0.01
0.1
0.6
94%
5
4
6
100
1.36
0.44
1.55
0.65
1.84
0.86
ms
0.5
120
125
0.5
μA
mV
μA
%/V
%/A
V
INX
V
V
R
DS,ON1,2
I
SW1,2
t
ON
t
关闭
(1)
(2)
(3)
V
IN1,2
＆ GT ;
2.5 V
栅极驱动P沟道和
N沟道MOSFET的导通电阻V
IN1,2
= 2.2 V
栅极驱动P沟道和
N沟道MOSFET驱动电流
最小导通时间
最小关断时间
mA
μs
μs
要在监管，最小V
IN1
（或V
IN2
）必须大于V
OUT1,NOM
（或V
OUT2,NOM
）通过由外部确定的量
组件。最小V
IN3
= V
OUT3
+ V
DO
或2.2 V ，以较高者为准。
最大V
OUT
是依赖于外部元件和将低于V
IN
。参数不生产测试。
依赖于外部元件。
4
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TPS75003-EP
版权
2006-2011年，德州仪器
TPS75003-EP
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2006年12月
–
修订2011年3月
电气特性（续）
V
EN1
= V
IN1
, V
EN2
= V
IN2
, V
EN3
= V
IN3
, V
IN1
= V
IN2
= 2.2 V, V
IN3
= 3 V, V
OUT3
= 2.5V ，C
OUT1
= C
OUT2
= 47
μF,
C
OUT3
= 2.2
μF,
T
A
= -55 ° C至125°C ，除非另有说明。典型值是在T
A
= 25°C.
参数
LDO
V
OUT3
V
FB3
输出电压范围
反馈引脚电压
反馈引脚电压精度
(5)
ΔV
OUT ％
/ΔV
IN
ΔV
OUT ％
/ΔI
OUT
V
DO
I
CL3
I
FB3
V
n
t
SD
UVLO
(4)
(5)
(6)
线路调整
(5)
负载调整率
输入输出电压差
(V
IN
= V
OUT （ NOM ）
- 0.1)
(6)
电流限制
目前进入FB3引脚
输出噪声
BW = 100赫兹 - 100千赫，
I
OUT3
= 300毫安
2.95 V
≤
V
IN3
≤
6.5 V
1毫安
≤
I
OUT3
≤
300毫安
V
OUT3
+ 0.5V
≤
V
IN3
≤
6.5 V
10毫安
≤
I
OUT3
≤
300毫安
I
OUT3
= 300毫安
V
OUT
= 0.9× V
OUT （ NOM ）
375
(4)
条件
民
1
典型值
最大
6.5 - V
DO
单位
V
V
0.507
±4%
0.075
0.01
250
600
0.03
400
175
160
1.8
100
350
1000
0.1
%/V
％ / mA的
mV
mA
μA
μV
RMS
°C
V
mV
热关断温度关机，升温
LDO
复位，降温
欠压锁定阈值
欠压闭锁滞后
V
IN
升起
V
IN
落下
最大V
OUT
是依赖于外部元件和将低于V
IN
。参数不生产测试。
要在监管，最小V
IN1
（或V
IN2
）必须大于V
OUT1,NOM
（或V
OUT2,NOM
）通过由外部确定的量
组件。最小V
IN3
= V
OUT3
+ V
DO
或2.2 V ，以较高者为准。
V
DO
并不时应用V
OUT
+ V
DO
＆ LT ;
2.2 V.
版权
2006-2011年，德州仪器
5
产品文件夹链接（ S） ：
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