Si5475DC
Vishay Siliconix公司
P通道12 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
()
0.031 @ V
GS
= --4.5 V
--12
0.041 @ V
GS
= --2.5 V
0.054 @ V
GS
= --1.8 V
I
D
(A)
--7.6
--6.6
--5.8
S
1206-8 ChipFETt
1
D
D
D
D
S
D
D
G
G
标识代码
BF XX
很多可追溯性
和日期代码
D
P沟道MOSFET
底部视图
产品编号
CODE
订货信息：
Si5475DC-T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
--12
8
单位
V
--7.6
--3.5
20
--2.1
2.5
1.3
--55到150
260
--5.5
--3.9
--1.1
1.3
0.7
W
A
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
≤
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
40
80
15
最大
50
95
20
单位
° C / W
C/
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为singula-的结果
化工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料间
连接。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71324
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
1
Si5475DC
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 我毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
8
V
V
DS
= --9.6 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= --9.6 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
--5
V, V
GS
= --4.5 V
V
GS
= --4.5 V，I
D
= --5.5 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= --2.5 V，I
D
= --4.8 A
V
GS
= --1.8 V，I
D
= --2 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= --5 V，I
D
= --5.2 A
I
S
= --1.1 A，V
GS
= 0 V
--20
0.027
0.035
0.045
19
--0.7
--1.2
0.031
0.041
0.054
S
V
--0.45
100
--1
--5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= --1.1 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= --6 V ，R
L
= 6
I
D
--1 A，V
根
= --4.5 V ，R
G
= 6
V
DS
= --6 V, V
GS
= --4.5 V，I
D
= --5.5 A
19
3.9
3.6
15
20
122
80
40
25
30
180
120
60
ns
29
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
20
V
GS
= 5通2.5 V
2V
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
15
16
传输特性
T
C
= --55_C
25_C
125_C
12
10
8
5
1V
0
0
1
2
3
1.5 V
4
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71324
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
2
Si5475DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
3000
2500
V
GS
= 1.8 V
0.06
V
GS
= 2.5 V
- 电容（pF ）
2000
1500
1000
500
C
RSS
0.00
0
5
10
I
D
- 漏电流（ A）
15
20
0
0
2
4
6
8
10
12
C
OSS
C
国际空间站
电容
0.08
0.04
0.02
V
GS
= 4.5 V
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 6 V
I
D
= 5.5 A
4
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
--50
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5.5 A
3
2
1
0
0
5
10
15
20
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
--25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.08
0.06
I
D
= 5.5 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71324
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
3
Si5475DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.30
0.25
0.20
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.15
0.10
0.05
--0.00
--0.05
--0.10
--0.15
--50
0
10
--3
10
功率（W）的
40
I
D
= 1
m
A
30
50
单脉冲功率
20
--25
0
25
50
75
100
125
150
10
--2
10
--1
1
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 80 ° C / W
3. T
JM
-- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
4
文档编号： 71324
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
Si5475DC
Vishay Siliconix公司
P通道12 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
()
0.031 @ V
GS
= --4.5 V
--12
0.041 @ V
GS
= --2.5 V
0.054 @ V
GS
= --1.8 V
I
D
(A)
--7.6
--6.6
--5.8
S
1206-8 ChipFETt
1
D
D
D
D
S
D
D
G
G
标识代码
BF XX
很多可追溯性
和日期代码
D
P沟道MOSFET
底部视图
产品编号
CODE
订货信息：
Si5475DC-T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
--12
8
单位
V
--7.6
--3.5
20
--2.1
2.5
1.3
--55到150
260
--5.5
--3.9
--1.1
1.3
0.7
W
A
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
≤
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
40
80
15
最大
50
95
20
单位
° C / W
C/
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为singula-的结果
化工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料间
连接。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71324
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
1
Si5475DC
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 我毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
8
V
V
DS
= --9.6 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= --9.6 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
--5
V, V
GS
= --4.5 V
V
GS
= --4.5 V，I
D
= --5.5 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= --2.5 V，I
D
= --4.8 A
V
GS
= --1.8 V，I
D
= --2 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= --5 V，I
D
= --5.2 A
I
S
= --1.1 A，V
GS
= 0 V
--20
0.027
0.035
0.045
19
--0.7
--1.2
0.031
0.041
0.054
S
V
--0.45
100
--1
--5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= --1.1 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= --6 V ，R
L
= 6
I
D
--1 A，V
根
= --4.5 V ，R
G
= 6
V
DS
= --6 V, V
GS
= --4.5 V，I
D
= --5.5 A
19
3.9
3.6
15
20
122
80
40
25
30
180
120
60
ns
29
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
20
V
GS
= 5通2.5 V
2V
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
15
16
传输特性
T
C
= --55_C
25_C
125_C
12
10
8
5
1V
0
0
1
2
3
1.5 V
4
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71324
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
2
Si5475DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
3000
2500
V
GS
= 1.8 V
0.06
V
GS
= 2.5 V
- 电容（pF ）
2000
1500
1000
500
C
RSS
0.00
0
5
10
I
D
- 漏电流（ A）
15
20
0
0
2
4
6
8
10
12
C
OSS
C
国际空间站
电容
0.08
0.04
0.02
V
GS
= 4.5 V
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 6 V
I
D
= 5.5 A
4
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
--50
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5.5 A
3
2
1
0
0
5
10
15
20
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
--25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.08
0.06
I
D
= 5.5 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71324
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
3
Si5475DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.30
0.25
0.20
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.15
0.10
0.05
--0.00
--0.05
--0.10
--0.15
--50
0
10
--3
10
功率（W）的
40
I
D
= 1
m
A
30
50
单脉冲功率
20
--25
0
25
50
75
100
125
150
10
--2
10
--1
1
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 80 ° C / W
3. T
JM
-- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
4
文档编号： 71324
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
Si5475DC
Vishay Siliconix公司
P通道12 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
()
0.031 @ V
GS
= --4.5 V
--12
0.041 @ V
GS
= --2.5 V
0.054 @ V
GS
= --1.8 V
I
D
(A)
--7.6
--6.6
--5.8
S
1206-8 ChipFETt
1
D
D
D
D
S
D
D
G
G
标识代码
BF XX
很多可追溯性
和日期代码
D
P沟道MOSFET
底部视图
产品编号
CODE
订货信息：
Si5475DC-T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
--12
8
单位
V
--7.6
--3.5
20
--2.1
2.5
1.3
--55到150
260
--5.5
--3.9
--1.1
1.3
0.7
W
A
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
≤
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
40
80
15
最大
50
95
20
单位
° C / W
C/
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为singula-的结果
化工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料间
连接。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71324
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
1
Si5475DC
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 我毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
8
V
V
DS
= --9.6 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= --9.6 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
--5
V, V
GS
= --4.5 V
V
GS
= --4.5 V，I
D
= --5.5 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= --2.5 V，I
D
= --4.8 A
V
GS
= --1.8 V，I
D
= --2 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= --5 V，I
D
= --5.2 A
I
S
= --1.1 A，V
GS
= 0 V
--20
0.027
0.035
0.045
19
--0.7
--1.2
0.031
0.041
0.054
S
V
--0.45
100
--1
--5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= --1.1 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= --6 V ，R
L
= 6
I
D
--1 A，V
根
= --4.5 V ，R
G
= 6
V
DS
= --6 V, V
GS
= --4.5 V，I
D
= --5.5 A
19
3.9
3.6
15
20
122
80
40
25
30
180
120
60
ns
29
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
20
V
GS
= 5通2.5 V
2V
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
15
16
传输特性
T
C
= --55_C
25_C
125_C
12
10
8
5
1V
0
0
1
2
3
1.5 V
4
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71324
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
2
Si5475DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
3000
2500
V
GS
= 1.8 V
0.06
V
GS
= 2.5 V
- 电容（pF ）
2000
1500
1000
500
C
RSS
0.00
0
5
10
I
D
- 漏电流（ A）
15
20
0
0
2
4
6
8
10
12
C
OSS
C
国际空间站
电容
0.08
0.04
0.02
V
GS
= 4.5 V
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 6 V
I
D
= 5.5 A
4
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
--50
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5.5 A
3
2
1
0
0
5
10
15
20
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
--25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.08
0.06
I
D
= 5.5 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71324
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
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3
Si5475DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.30
0.25
0.20
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.15
0.10
0.05
--0.00
--0.05
--0.10
--0.15
--50
0
10
--3
10
功率（W）的
40
I
D
= 1
m
A
30
50
单脉冲功率
20
--25
0
25
50
75
100
125
150
10
--2
10
--1
1
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 80 ° C / W
3. T
JM
-- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
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4
文档编号： 71324
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
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